research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Study on Temperature and Etching Effects on Silicon Oxide Formation Using Laser Ellipsometric Method
دراسة تأثير درجة الحرارة والتنميش في تكوين أوكسيد السيليكون بأستخدام طريقة تدوير مستوى استقطاب الليزر

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar M. Al-Baldawi --- Ammar H. Jraiz
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 6 Pages: 797-807
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a laser ellipsometric method is implemented to study theformation of oxide films on silicon substrate at room temperature in air. Twolasers, He-Ne and semiconductor diode, as well as a tungsten halogen lamp,were used as a light source in this method to show the importance ofcoherency for accurate results. The thickness of oxide layer was measured andthe results is compared with that calculated for a monolayer of oxide.Behavior of thermally formed oxides was studied using ellipsometry todetermine polarizer angle as a function of etching time.

في هذا البحث استخدمت طريقة تدوير مستوى استقطاب شعاع الليزر لدراسة تكوين أغشيةالاوكسيد على قاعدة سيليكونية في الهواء عند درجة حرارة الغرفة اس تخدم نوعان منالليزرات الأول ليزر الهليوم–نيون والثاني ليزر أشباه الموصلات كما استخدم مصباح التنكستنكمصادر ضوئية في هذه الطريقة لبيان أهمية التشاكه على دقة النتائج.جرت قياس سمك طبقة الاوكسيد ومقارنتها بالنتائج المحسوبة لطبقة أحادية من الاوكسيد .جرى در اسة سلوك الاكاسيد المتكونة حراريا باستخدام تقنية تدوير مستوى الاستقطاب لتحديدزاوية الاستقطاب كدالة لزمن التنميش.


Article
Preparation and the study optical and electrical properties of thin films for optoelectronic applications

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 7 Pages: 824-828
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Conductive transparent In2O3 thin films with (222) preferred orientation wereprepared by thermal oxidation (TO) in static air of indium thin films at condition(250°C/25 min). Detailed structural, electrical, and optical characteristics of thefilm are presented. The data are interpreted to give a direct band gap of(3.6) eV and indirect band gap of (2.5) eV. The In2O3 film has sheet resistance aslow as (20)Ω/□ . in absence of any post-deposition annealing conditions. Themobility of these films was estimated to be (31) cm2. V-1. s-1.

بطريقة الأكسدة الحرارية In2O تم تحضير غشاء رقيق موصل كهربائيا شفاف من 3250° ) تم دراسة خواص البناء الداخلي C/25min) في الهواء لغشاء الانديوم تحت حالة3.6 ) في )eV. والكهربائية والبصرية للغشاء ووجد أن فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانت20Ω/□ 2.5 ) ومقاومة سطحية واطئة )eV حين كانت فجوة الطاقة للانتقال غير المباشر.(31) cm2.V-1s- بدون أي تلدين مسبق . أما حركية نواقل الشحنة لهذا الغشاء فكانت


Article
Properties of Inclined Silicon Carbide Thin Films Deposited By Vacuum Thermal Evaporation
خواص أغشية كاربيد السليكون الرقيقة المرسبة بشكل مائل باستخدام التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Najem Abdu Al-Kazem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 8 Pages: 938-943
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thermal evaporation system was employed to deposit thin films of SiC onglass substrates in order to determine the parameters of them. Measurements includedtransmission, absorption, Seebak effect, resistivity and conductivity, absorption coefficient,type of energy band-gap, extinction coefficient as functions of photon energy and the effectof increasing film thickness on transmittance. Results explained that SiC thin film is an ntypesemiconductor of indirect energy and-gap of ~3eV,cut-off wavelength of 448 nm,absorption coefficient of 3.4395x104cm-1 and extinction coefficient of 0.154. Theexperimental measured values are in good agreement with the typical values of SiC thinfilms prepared by other advanced deposition techniques.

هذا البحث ، استخدمت منظومة التبخير الحراري لترسيب أغشية رقيقة من كاربيد السليكون علىقواعد زجاجية من اجل تحديد معاملات هذه الأغشية . تضمنت القياسات التي تم أجراؤه ا قياس طيفالنفاذية والامتصاص وتأثير سيباك والمقاومية والتوصيلة ومعامل الامتصاص ونوع فجوة الطاقة ومعاملالتخميد كدالة لطاقة الفوتون الساقط وكذلك تأثير زيادة سمك الغشاء على نفاذية العينات . أظهرت النتائجالتي تم الحصول عليها أن أغشية كاربيد السليكون الرقيقة هي مادة من النوع المانح ذات فجوة طاقة غير(3.439x104 cm- 448 ) ومعامل الامتصاص nm) 3) وكانت قيم الطول الموجي القاطع eV) مباشرة مقداره1 ومعامل التخميد ( 0.154 ) . تبدو القيم المستحصلة عمليا متفقة بشكل جيد مع القيم النموذجية لأغشية )كاربيد السليكون الرقيقة المحضرة باستخدام تقنيات متقدمة للترسيب .


Article
In-nSiC schottky photodiode ; Fabrication and Study
تصنيع ودراسة كاشق شوتكي In-nSiC

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Abdulla Khudiar Abass
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 9 Pages: 1110-1115
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work , schottky photodiode have been mode on n-type SiCby depositing of thin layer of In . electrical characteristics included I-V(dark and illumination ) have been investigated . Ideality factor is 1.6 andbarrier height is 0.53 eV was calculated from I-V and Isc-Voccharacteristics, Ideality factor is 1.7 and barrier height found to be 0.64 eV,and from optoelectronic characteristics have found sensitivity results showthat peak response of photodiode was 550nm .

ف ي ھ ذا البح ث ج رى ترس یب مع دن الان دیوم عل ى طبق ة م ن كاربی د الس لیكون بع دھ ا ت م دراس ة0.53 eV الخصائص تیار-جھد في حالة الظلام والإضاءة تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویس اويوتیار Voc وعامل المثالیة 1.6 من خصائص تیار جھد في حالة الظلام ومن فولتیة الدائرة المفتوحة0.63 وعامل المثالیة ١٫٧ ومن دراسة eV تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویساوي Isc دائرة القصر. 550nm الخصائص الكھروبصریة وجد ان للكاشف قمة استجابیة عند الطول الموجي

Keywords

photodiode --- SiC --- Schottky contact

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2008 (3)

2007 (1)