research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Study on Temperature and Etching Effects on Silicon Oxide Formation Using Laser Ellipsometric Method
دراسة تأثير درجة الحرارة والتنميش في تكوين أوكسيد السيليكون بأستخدام طريقة تدوير مستوى استقطاب الليزر

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar M. Al-Baldawi --- Ammar H. Jraiz
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 6 Pages: 797-807
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a laser ellipsometric method is implemented to study theformation of oxide films on silicon substrate at room temperature in air. Twolasers, He-Ne and semiconductor diode, as well as a tungsten halogen lamp,were used as a light source in this method to show the importance ofcoherency for accurate results. The thickness of oxide layer was measured andthe results is compared with that calculated for a monolayer of oxide.Behavior of thermally formed oxides was studied using ellipsometry todetermine polarizer angle as a function of etching time.

في هذا البحث استخدمت طريقة تدوير مستوى استقطاب شعاع الليزر لدراسة تكوين أغشيةالاوكسيد على قاعدة سيليكونية في الهواء عند درجة حرارة الغرفة اس تخدم نوعان منالليزرات الأول ليزر الهليوم–نيون والثاني ليزر أشباه الموصلات كما استخدم مصباح التنكستنكمصادر ضوئية في هذه الطريقة لبيان أهمية التشاكه على دقة النتائج.جرت قياس سمك طبقة الاوكسيد ومقارنتها بالنتائج المحسوبة لطبقة أحادية من الاوكسيد .جرى در اسة سلوك الاكاسيد المتكونة حراريا باستخدام تقنية تدوير مستوى الاستقطاب لتحديدزاوية الاستقطاب كدالة لزمن التنميش.


Article
Fabrication and Characteristics Study Of CdO/Si Heterojunction
تصنيع ودراسة خواص المفرق الهجين CdO/Si

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jareeze --- Ammar M. Al-Baldawi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 12 Pages: 1484-1491
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present paper CdO/Si heterojunction has been prepared by spray pyrolysismethod , electrical characteristics include I-V , C-V , were studied the build-inpotentialequal 1.7 eV and optoelectronic characteristics include I-V illuminationcondition, photovoltaic, responsivity , quantum efficiency were studied . theideality factor to be 2.93 and short circuit photocurrent 170μA, open circuitphotovoltge 120mV at AM1 condition and two peaks responsivity were found ,first peak at region 600±20nm this peak due to absorb of light in CdO throughband-to-band absorption while second region at 800±30nm which due to the Sibandgap.

بطريقة الرش الكيميائي الحراري تم دراسة CdO/Si في هذا البحث تم تحضير المفرق الهجين1.7 وتم دراسة eV الخواص الكهربائية المتضمنة تيار-جهد، سعة-جهد ووجد جهد البناء الداخلي يساويالخواص الكهروبصرية المتضمنة تيار-جهد في حالة إضاءة والخواص الفولتائية والاستجابية الطيفية170 وفولتية الدائرة μA والكفاءة الكمية وقد وجد ان عامل المثالية يساوي 2.93 وتيار دائرة القصر600±20 بسبب امتصاص nm ووجد قمتي استجابية الأولى عند AM 120 عند حالة 1 mV المفتوحة800±30 بسبب فجوة طاقة السليكون . nm حزمة الى حزمة في الغشاء والثانية


Article
PREPARATION AND STUDY CHARACTERISTICS OF CdO THIN FILM

Authors: Gehan E. Simon --- Ammar M. Al-Baldawi --- Adnan H. Fiaem --- Khalid J. Abd Al-Satter
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 4 Pages: 92-96
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium thin film have been prepared by vacuum evaporation method on a slide of glass substrate at room temperature and then oxidation process of thin film using oven in air, the crystal structure of the sample was studied using X-ray diffraction, the transmission and absorption characteristics were measured in the wavelength range (300-1000 nm) and the direct band gap energy was determined and found to be 2.45 eV ,the extinction coefficient was studied ,the electrical characteristics were measured, the electrical conductivity was 3×0-2 (Ω.cm), the carriers concentration was 8.9×014(cm-3).

تم تحضير غشاء من معدن الكادميوم بطريقة التبخير الحراري على شريحة من الزجاج الاعتيادي في درجة حرارة الغرفة ومن ثم أكسدة الغشاء بالفرن في الهواء تم دراسة التركيب البلوري للعينات بواسطة حيود الأشعة السينية إضافة الى دراسة النفاذية والامتصاصية للمادة ضمن المدى (300-1000 nm) ، تم حساب فجوة الطاقة المباشرة و وجد أنها (2.45eV) كذلك عامل الفقد مقابل طاقة الفوتون الساقط ,تم دراسة خواص الكهربائية و وجد أن التوصيلية الكهربائية (3 × 10-2Ω.cm) وتركيز الحاملات الشحنة (8.9 × 1014cm-3) .

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2009 (1)

2008 (1)

2007 (1)