research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
I-V and C-V Characteristics of Porous Silicon Nanostructures by Electrochemical Etching
خصائص (تيار- فولتية) و (سعة - فولتية) للسليكون المسامي نانوي التركيب بالتنميش الكهروكيمياوي

Authors: Fatima I. Sultan --- Amna A. Slman --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 332-338
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers has been prepared in this work by electrochemical etching (ECE) technique of a p-type silicon wafer with resistivity (1.5-4 Ω.cm) in hydrofluoric (HF) acid of 20% concentration. Various affecting studied etching time (10, 30, and 45 min) and current density (15 mA/cm2). We have study the morphological properties (AFM) and the electrical properties (I-V and C-V).The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.The electrical properties of prepared PS; namely current density-voltage characteristics under dark, show that the pass current through the PS layer decreased by increasing the etching time, due to increase the resistivity of PS layer. The PS layer shows a rectifying behaviour with different rectification ratio. C-V measurements shows that the increase of the etching time decreases the capacitance of the PS layer. This behavior was attributed to the increasing in the depletion region width which leading to the increasing of built-in potential.

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي بتقنية التنميش الكهروكيميائي لشريحة سليكون من النوع (p) بمقاومية (1.5-4 أوم.سم)، باستخدام حامض الهيدروفلوريك بتركيز 20%. جرى دراسة تاثير ازمان تنميش مختلفة (10، 30 و 45 دقيقة) وكثافة تيار (15 ملي امبير/سم2). تم دراسة الخصائص الطبوغرافية (AFM) والكهربائية (I-V) و (C-V) لطبقة السليكون المسامي .أظهرت فحوصات مجهر القوى الذري على سطح سليكون خشن ، مع زيادة عملية التنميش (زمن التنميش) نوى البنية المسامية الذي تؤدي إلى زيادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزيادة بخشونة السطح أيضا تزداد.الخصائص الكهربائية لطبقة السليكون المسامي المحضرة؛ اي خصائص تيار - جهد تحت الظلام٬ أظهرت ان التيار المار خلال طبقة السليكون المسامي يقل بزيادة زمن التنميش٬ نتيجةً لزيادة مقاومية طبقة السليكون المسامي. أوضحت طبقة السليكون المسامي سلوكاً تقويمياً مع نسب تقويم مختلفة. أظهرت قياسات سعة - جهد ان بزيادة زمن التنميش تقل سعة طبقة السليكون المسامي. هذا السلوك يعزى الى الزيادة في عرض منطقة الاستنزاف التي تؤدي الى زيادة في جهد البناء الداخلي.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2013 (1)