research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
High-Quality Aligned GaN/ZnO Nanowires Grown by Thermal Evaporation for UV Detector Application
النانووواير عالي الجودة للكاليوم نترايد/زنك اوكسايد والمحضر بطريقه التبخير الحراري لتطبيقات كواشف الاشعه الفوق البنفسجيه

Author: Asmiet Ramizy عصمت رمزي عبد الغفور
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2017 Volume: 9 Issue: 1 Pages: 97-104
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Gallium nitride (GaN) nanowires (NWs) were grown on Zinc oxide/silicon (ZnO/Si) (1 substrate(100) by thermal evaporation method. The magnetron sputtering technique was used to deposit ZnO thin film. High-density nanostructured GaN was formed as shown in the scanning electron microscopy image. X-ray diffraction showed that ZnO/Si and GaN films had a hexagonal wurtzite structure. Photoluminescence (PL) of ZnO/Si showed strong peak at 382.84 nm (3.23 eV),while PL of GaN/ZnO/Si NWs exhibited a strong band-edge emission at approximately 338.94 nm (3.65 eV), which belongs to GaN NWs. Broadening of the energy bandgap compared with the growth of GaN (3.45 eV) could have occurred because of nanocrystalline structure quantum confinement effects. Raman spectrum of ZnO/Si nanocrystalline thin films showed a band located at 579 cm−1 that can correspond to the A1(TO) mode. Furthermore, the Raman bands at approximately 520 cm−1 correspond to the first-order transverse optical (1TO) mode of the c-Si substrate. For GaN/ZnO/Si NWs, Raman-active optical phonons are assigned to 568 cm−1 because of E2 (high). The I–V characteristics of GaN/ZnO/Si indicated the excellent ultraviolet photoresponse.

تم تحضير الكاليوم نتريد نانو واير على طبقه الزنك اوكسايد باستخدام طريقه التبخير الحراري . تم ترسيب افلام الزنك اوكسايد باستخدم طريقه الترذيذ .اظهرت نتائج المجهر الالكتروني تشكيل كثيف ذات تراكيب نانويه على سطح الكاليوم نتريد .اظهرت نتائح حيود الاشعه السينيه ان أ لكاليوم نترايد/زنك اوكسايد كلاهما يمتلكان تركيب سداسي.بينت دراسه التلؤلؤيه الضوئيه للزنك اوكسايد/سليكون ظهور قمه ذات شده عاليه عند 382.84 نانوميتر (3.23الكترون فولت) وكذلك اظهرت ان الكاليوم نتريد/ للزنك اوكسايد/سليكون يتملك حافه حزمه انبعات حاده عند 338.94نانوميتر (3.65الكترون فولت) والتي تعود للتركيب الكاليوم نتريد نانو واير.اظهرت النتايج ان هناك تعريض في فجوه الطاقه البصريه لكاليوم نتريد ذات التركيب الناونويه مقارنه بالتركيب الحجمي الاعتيادي والذي يعود سببه الى تاثير الحصر الكمي عند الابعاد النانويه. ايضا بينت نتايج فحص رامان ظهور انماط اهتزازيه عند 579,520,568 سم-1تابعه لى للزنك اوكسايد/سليكون بنمط(A1(TO) ولسيلكون بنمط ((1TO والكاليوم نتريد/ للزنك اوكسايد/سليكون بنمط (E2(High)). اشارت دراسه الخصائص الكهربائيه ان الفلم المحضر يبدي استجابيه جيده كمتحسس للاشعه فوق البنفسجيه.


Article
Energy Band Diagram of NiO: Lu2 O3/n-Si heterojunction
NiO: Lu2 O3/Si مخطط حزم الطاقة للمفرق المتباين

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد أبراهيم --- Abubaker S. Mohammed أبوبكر صبار محمد --- Asmiet Ramizy عصمت رمزي
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 58 Issue: 1B Pages: 287-293
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Crystalline NiO and doped with rare earth lutetium oxide (Lu2O3) at (6%wt)., have been prepared by pulsed laser deposition (PLD), The Q-switched Nd:YAG laser beam was incident at an angle of 45° on the target surface, and the energy of the laser was 500 mJ, wavelengths of 532nm, and frequency 6Hz. XRD pattern shows all doped and undoped films are polycrystalline, and cubic structure. The 200nm thin NiO showed an average optical energy band gap of 3.4eV, and increase with doping at 6% Lu2O3. The Hall Effect measurements confirmed that holes were predominant charges in the conduction process (i.e p-type). D.C conductivity measurements with temp-erature (T), show that the films prepared have the two activation energy increase with doping of Lu2O3. Capacitance-voltage (C-V) measurements were performed for films prepared, where the built in voltage has been determined and decreases in value when doping with the rare earth. In this study we assumed an energy band diagram for p-NiO /n-Si heterojunction.

تم تحضير أغشية أوكسيد النيكل البلوري المطعم بعنصر الليتتيوم النادر عند نسبة 6% بواسطة الترسيب بالليزر النبضي. وكان شعاع الليزر نيدميوم-ياك يسقط عند زاوية 45 درجة على سطح الهدف, طاقة ليزر 500mJ, طول موجي ,532nm وتردد .6Hz أنماط حيود الاشعة السينية بينت ان الأغشية المحضرة النقية والمطعمة متعددة التبلور وذات تركيب بلوري مكعبي .غشاء اوكسيد النيكل الرقيق ذا سمك 200 نانومتر يمتلك فجوة طاقة بصرية مقدارها 3.4 الكترون-فولت وتزداد قيمتها عند التطعيم بالعنصر Lu2O3 عند نسبة .%6 اكدت قياسات تأثير هول ان الفجوات هي الشحنات السائدة في عملية التوصيل اي انه موجب الشحنة. وضحت قياسات التوصيلية المستمرة ان الاغشية المحضرة تمتلك طاقتي تنشيط تزداد قيمتها عند التطعيم بالليتتيوم. تم اجراء قياسات سعة-جهد حيث تم تحديد جهد البناء الداخلي والذي تنخفض قيمته عند التطعيم بالعنصر النادر .في هذه الدراسة نفترض مخطط حزم الطاقة للمفرق المتباين p-NiO/n-S .


Article
Preparation and Study of Cadmium Oxide Doped Gallium Oxide Thin Films and application of Gas Sensor
تحضير ودراسة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الكادميوم النقيوالمطعم بأوكسيد الكاليوم وتطبيقها كمتحسس غاز

Authors: Salah sh.hamd صلاح شهاب حمد --- Asmiet Ramizy عصمت رمزي عبد الغفور --- Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2017 Volume: 9 Issue: 2 Pages: 10-20
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the structure and optical properties of pure cadmium oxide films, and doped with gallium oxide have been achieved, the films were deposited on glass and silicon substrates, with different ratios (1,3,5,7)% via spry pyrolysis method, at the substrate temperature of ̊ C300. XRD results showed that all prepared films had a cubic polycrystalline structure, with preferred orientation of (111) for cadmium oxide. Surface morphology was studied using atomic force microscope (AFM), the grain size of the thin films was about 105.42-69.07 nm, with surface roughness is about (3.32-0.901) nm and root mean square (RMS) (3.97-1.05) nm for cadmium oxide films. The optical properties were studied using UV-VIS spectroscopy at wavelength (300-1100 nm), It was observed that the value of transmittance increases when the gallium doping are increasing and the films have a direct energy gap about (2.3-4) eV that increases with the increase in gallium concentration. Sensitivity properties of pure cadmium oxide films, and doped with gallium oxide was deposed on silicon substrates of NO2 gas at different operation temperatures was found that the films of CdO doped with Gallium oxide on silicon substrate has greater sensitivity than the films than the undoped and that the doping has improved the sensitivity of the membranes CdO.

جرى في هذا البحث مناقشة الخصائص التركيبية والبصرية والتحسسية لأغشية رقيقة من أوكسيد الكادميوم النقية والمطعمة بأوكسيد الكاليوم المرسبة على قواعدالزجاج والسيلكون بتراكيز مختلفة من اوكسيد الكاليوم %(1,3,5,7) بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري في درجة حرارة ̊ C300. أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب مكعبي (cubic) متعدد التبلور (polycrystalline) وان الاتجاه المفضل هو (111) لأوكسيد الكادميوم. درست طبوغرافية السطح من خلال مجهر القوة الذرية (AFM) وقد تبين أن الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة حوالي(69.07-105.42)nm ،مع خشونة السطح(0.901-3.32) nm وكان متوسط الجذر التربيعي (RMS)(1.05-3.97)nm لأغشية أوكسيد الكادميوم، وقد تمت دراسة الخصائص البصرية بواسطة ﻣﻄﯿﺎفاﻟﻨﻔﺎذﯾﺔﻟﻼﺷﻌﺔاﻟﻤﺮﺋﯿﺔ –ﻓﻮقاﻟﺒﻨﻔﺴﺠﯿﺔ (UV-VIS)عند طول موجي ,(300 - 1100 nm) ولوحظ أن قيمة النفاذية تزداد عند التطعيم وان الأغشية تمتلك فجوة طاقة مباشرة تزداد بزيادة التطعيم(2.3-4) eV , الخصائص التحسسية لأغشية أوكسيد الكادميوم المطعم باوكسيد الكاليوم والمرسبة على قواعد السيلكون اتجاه غاز NO2 بدرجات حرارة مختلفة, وجد أن أغشية CdO المطعمة باوكسيدالكاليوم والمرسبة على قواعد السيلكون تمتلك تحسسية أكبر من الأغشية غير المطعمة اتجاه غاز NO2 أي أن التطعيم أدى الى تحسين الخواص التحسسية لأغشية CdO..


Article
FABRICAT & STUDY CU0.5IN0.5S2 THIN FILMS COMPOSITE PREPARED BYPYLORYSIS SPRAY METHOD.
تحضير ودراسة مركب Cu0.5In0.5S2المحضر بطريقة الرش الكيمياوي الحراري

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of Cu0.5In0.5S2 has been prepared by spray pyrolysis on different substrate of silicon and glass slides (25mm ×25mm) substrate at temperature (Ts) of 300 ±10oC . The thickness of thin films is 500 ±20nm. The morphology of the prepared film showed asmooth formationwith small grain sizes overall the entire surface.This indicates that the formation of crystalline compounds. The optical characteristics of thin film have been investigated by UV-VIS spectrophotometer in the wavelength range (300 -1000nm ) . The film has a direct allows electronic transition with the optical energy gap ( Eg ) of 2.9 eV . The broadening of the band gap energy occurs with the decrease in the crystallite size. The papered film revealed a good light trapping of wide wavelength spectrum. This means the film is promising in optoelectronic applications. The electrical properties were investigated using Hall measurements techniques; the result provides an evidence of p-type .

تم تحضير غشاء من Cu0.5In0.5S2 بطريقة التحلل الكيميائي الحراري على قواعد من الزجاج وبأبعاد 25 x 25 ملم , وبحرارة سطح 350 ± 10 درجة سليزية . تم قياس سمك النماذج وقد وجد ان السمك 500 ± 20 نانو متر. اظهرت دراسة السطح ان الأفلام المحضرة كانت صقيله وبأحجام متباينة وموزعة على معظم السطح . تم دراسة الخواص البصرية باستخدام الــ UV –VIS بمدى طول موجي من 300-1000 نانو متر . امتلك الغشاء المحضر انتقالات الكترونية مسموحة بفجوة طاقة 2.9 eV).). ان هذا التعريض في قيمة فجوة الطاقة هو دالة للنقصان في أ لحجم الحبيبي . اظهر الغشاء المحضر مراكز اقتناص جيد لمدى طول موجي عريض مما يعني ان هذا الغشاء هو ممكن استخدامه في تطبيقات الكهرو بصرية مثل الخلايا الشمسية . اظهرت نتائج القياسات الكهربائية ان الغشاء من النوع P-type

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (2)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (2)

2013 (1)