research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
High Quantum Efficiency of (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) solar cell after annealing of Nd:YAG laser
كفاؤة كمية عالية للخلية الشمسية (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) بعد التلدين

Authors: Firas Sabeeh Mohammed --- Ban Rashid Ali --- Bahaa Jawad Alwan --- Zahra Sabah Rashid
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 856-866
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent and conducting SnO2 thin film has been produced on (quartz and porous silicon) substrates using rapid photothermal oxidation of pure Sn in air at 600 oC oxidation temperature and different oxidation time. The structural properties and scan electron microscope of the prepared films were studied. The photovoltage properties of a Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si solar cell are investigated under irradiation of Nd:YAG laser pulses. The porous Si layer is synthesized on a single crystalline p-type Si using electrochemical etching in aqueous hydrofluoric acid at a current density of 25 mA/cm2 for a 30-min etching time. The structure of the porous layer is investigated using scan electron microscope. The photovoltage properties are found to be dependent on the laser fluencies.

اكاسيد شفافة موصلة SnO2 محضرة على قواعد مختلفة باستخدام تقنية الاكسدة الحرارية السريعة لمعدن القصدير بالهواء عند درجة حرارة اكسدة 600 oC وازمان اكسدة مختلفة. الخصائص التركيبية تم دراستها في هذا البحث. تم تحضير طبقة اليليكون المسامي في هذا البحث باستخدام سليكون نوع p-type Si بمحلول حامض الهايدروفلوريك عند كثافة تيار مقدارها 25 mA/cm2 لمدة 30-min. حيث تم قياس الخصائص الفولتائية للنبيطة المصنعة بعد اجراء عملية التلدين كخلية شمسية حيث اظهرت كفاؤة عالية جدا بعد التلدين.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2015 (1)