research centers


Search results: Found 13

Listing 1 - 10 of 13 << page
of 2
>>
Sort by

Article
The Effect of Germanium Content(x) on the Electrical Properties of (Gex S1-x) Thin Films
تأثير تركيز الجرمانيوم على الخصائص الكهربائية لأغشية (GexS1-x) الرقيقة

Author: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2010 Volume: 8 Issue: 12 Pages: 18-22
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of GexS1-x were fabricated by thermal evaporating under vacuum of 10-5Toor on glass substrate. The effect of increasing of germanium content (x) in sulfide films on the electrical properties like d.c conductivity (σDC), concentration of charge carriers (nH) and the activation energy (Ea) and Hall effect were investigated. The measurements show that (Ea) increases with the increasing of germanium content from 0.1to0.2 while it get to reduces with further addition, while charge carrier density (nH) is found to decrease and increase respectively with germanium content. The results were explained in terms of creating and eliminating of states in the band gap.

تم تحضير أغشية رقيقة مـــن Ge x S 1-x بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ Toor 10-5 علــــــى أرضية زجاجية. تم مناقشة تأثير المحتوى من الجرمانيوم على كل الخواص الكهربائية التي تشمل قياسات التوصيلية الكهربائية المستمرة, كثافة حاملات الشحنة وطاقة التنشيط وتأثير هول .أظهرت النتائج ان(Ea) تزداد مع زيادة محتوى الجرما نيوم من 0.1 الى0.2 بينما تقل مع استمرار الأضافة. بينما وجدان كثافة حامالت الشحنة تقل ثم تزداد على التوالي مع زيادة المحتوى. فسرت النتائج بدلالة استحداث او ازالة مستويات في فجوة الطاقة.


Article
X- ray diffraction and dielectric properties of PbSe thin films
حيود الاشعة السينية و الخواص العزلية لاغشية PbSe الرقيقة

Author: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 34 Pages: 1-14
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Lead selenide PbSe thin films of different thicknesses (300, 500, and 700 nm) were deposited under vacuum using thermal evaporation method on glass substrates. X-ray diffraction measurements showed that increasing of thickness lead to well crystallize the prepared samples, such that the crystallite size increases while the dislocation density decreases with thickness increasing. A.C conductivity, dielectric constants, and loss tangent are studied as function to thickness, frequency (10kHz-10MHz) and temperatures (293K-493K). The conductivity measurements confirmconfirmed that hopping is the mechanism responsible for the conduction process. Increasing of thickness decreases the thermal activation energy estimated from Arhinus equation is found to decrease with thickness increasing. The increase of thickness lead to reduce the polarizability α while the increasing of temperature lead to increase α.

تم تحضير اغشية رقيقة من سلينايد الرصاص باستخدام التبخير الحراري تحت الفراغ على قواعد من الزجاج. اظهرت فحوصات حيودالاشعة السينية ان زيادة السمك ادى الى تحسن ملحوظ في درجة تبلور الاغشية المحضرة بحيث ازداد حجم البلوره من 224.9 الى 320.2 انكستروم بينما هبطت كثافة العيوب من1.97 الى 0.975x1015 لكل متر مربع مع زيادة السمك من 300 الى نانوميتر700. تم دراسة التوصيلة المتناوبة ثابت العزل الكهربائي بجزايه الحقيقي والخيالي, معامل الفقد لاسماك 300,500و 700 نانوميتر كدال للتردد ضمن المدى(10 كيلو هيرتز-100 ميكاهيرتز) ولدرجات حرارة ضمن المدى(298-498 كلفن). اثبتت قياسات التوصيلة المتناوبة ان التنطط هي الميكانيكية المسؤؤلة عن التوصيل. لقد وجد ان طاقة التنشيط الحراري المستحصلة من معادلة ارهينيس تقل مع زيادة سمك الاغشية. زيادة السمك ادت الى هبوط الاستقطابية بينما ارتفاع درجة الحرارة ادى الى زيادة الاستقطابية.


Article
Electrical Properties of ZnS Thin Films
الخصائص الكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عويد سلمان --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 104-112
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of annealing temperature (Ta) on the electrical properties like ,D.C electrical conductivity (σ DC), activation energy (Ea),A.C conductivity σa.c ,real and imaginary (ε1,ε2) of dielectric constants ,relaxation time (τ) has been measured of ZnS thin films (350 nm) in thickness which were prepared at room temperature (R.T) using thermal evaporation under vacuum . The results showed that σD.C increases while the activation energy values(Ea) decreases with increasing of annealing temperature.(Ta) from 303- 423 K .The density of charge carriers (nH) and Hall mobility (μH) increases also with increasing of annealing temperature Hall effect measurements showed that ZnS films were n-type converted to p-type at high annealing temperature(423K).Measurements of a.c conductivity over frequency range (102-106Hz) showed that a.c conductivity obeys the formula σ a.c(w)= A ws,where (s) lies between (0.6- 0.95), σ a.c(w) declared exponentially dependence on the frequency range.

تم قياس تأ ثير درجة حرارة التلدين على الخواص الكهربائية و مثل التوصيلية الكهربائية المستمرة (σDC), طاقة التنشيط (Ea), و التوصيلية الكهربائية المتناوبة (σa.c) ثابت العزل الحقيقي والخيالي(ε1,ε2),زمن الاسترخاء(τ) على اغشية ZnS الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ بسمك 350 nm.أظهرت النتائج ازدياد σ D.C وتناقص قيم Ea مع ازدياد درجة حرارة التلدين من 303 إلى 423K. كثافة حاملات الشحنة ازدادت (nH) والتحركية أيضا مع ازدياد درجة حرارة التلدين أظهرت قياسات تأثير هول إن اغشية ZnSذات توصيلية سالبة تحولت إلى توصيلية من النوع الموجب عند درجة تلدين 423K .أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية المتناوبة( σ a.c(w في مدى التردد (106-102Hz)إن التوصيلية الكهربائية المتناوبة تخضع للعلاقة σ a.c(w)= Aws , حيث الثابت الأسي (s) يقع ضمن المدى (0.95-0.6),σ a.c(w)أظهرت اعتماد أسي على التردد.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Dielectric behavior and AC electrical conductivity analysis of PMMA films
التوصيلية الكهربائية المتناوبة لأغشية PMMA

Authors: Ikhlas H.Shalal اخلاص هميم شلال --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 20 Pages: 47-57
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

PMMA films of different thickness (0.006, 0.0105, 0.0206, 0.0385 and 0.056cm) were synthesized by casting process. The temperature and frequency dependence of dielectric constant and AC electrical conductivity measurements at various frequencies (10kHz-10MHz) and temperatures (293-373K) were carried out. Few anomalies in dielectric studies were observed near 313 and 373 K respectively. These points were related to glass transitions temperature. The variation of activation energy and conduction behavior was studied .From the AC conduction studies, it is confirmed that the mechanism responsible for the conduction process is hopping of carriers. The variations of the dielectric constant and loss as function of frequency at different temperature was observed and the results were discussed. The calculated activation energy varied with the thickness, temperature, and applied frequency. Conductivity plots against frequency suggested that the response obeying the universal power law concerning the AC conductivity and dielectric behavior of polymer. The polarizability  increases with temperature but decreases with thickness indicating weekends and rising of intermolecular forces respectively.

حضرت أغشية من بولي مثيل اكرليت وبأسماك مختلفة بواسطة طريقة الصب.أجريت قياسات التوصيلية الكهربائية المتناوبة ( σa.c(w في مدى درجات الحرارة(293-373)K وفي مدى التردد (107-104Hz). لوحظ سلوك غير اعتيادي في دراسة معامل العزل والذي اعزي إلى درجة حرارة التحول الزجاجي .تم دراسة تغير سلوك التوصيل الكهربائي وتأثيره على طاقة التنشيط. أظهرت النتائج إن ميكانيكية التوصيل المسوؤلة عن التوصيل هي التنطط.القيم المحسوبة لطاقات التنشيط تغيرت مع السمك, التردد ودرجة الحرارة. علاقة التوصيل الكهربائي مع التردد آسية تؤكد التوصيل المتناوب والسلوك العزلي للبوليمروالاستقطابية ازدادت مع درجة الحرارة بينما تناقصت مع زيادة السمك والذي يشير إلى ضعف وزيادة قوى الترابط الجزيئي وعلى التوالي.


Article
Electrical and morphological study of thermally evaporated (Sb2S3)1-xSnx thin films
دراسة كهربائية وتركيبية لاغشية (Sb2S3)1-xSnx الرقيقة المحضرة بالتبخير الحراري

Authors: Hiba H. Issa هبة حسين عيسى --- Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2015 Volume: 13 Issue: 26 Pages: 42-50
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

(Sb2S3)1-xSnx thin films with different concentrations (0, 0.05 and 0.15) and thicknesses (300,500 and 700nm) have been deposited by single source vacuum thermal evaporation onto glass substrates at ambient temperature to study the effect of tin content, thickness and on its structural morphology, and electrical properties. AFM study revealed that microstructure parameters such as crystallite size, and roughness found to depend upon deposition conditions. The DC conductivity of the vacuum evaporated (Sb2S3)1-x Snx thin films was measured in the temperature range (293-473)K and was found to increase on order of magnitude with increase of thickness, and tin content. The plot of conductivity with reciprocal temperature suggests, there are three activation energies Ea1, Ea2 and Ea3 for (Sb2S3)1-x Snx for all x content values and thicknesses which decreases with increasing tin content and thickness. Hall effect measurement showed that low thickness (Sb2S3)1-x Snx film exhibit n-type conductance whereas the film exhibit p-type towards the higher thickness. The electric carrier concentration and mobility show opposite dependence upon tin content and thickness.

حضرت أغشية رقيقة من (Sb2S3)1-xSnx لنسب مختلفة من محتوى القصدير ( 0, 0.05, 0.15) وبأسماك 500 ,300) (700nm andباستخدام التبخير الحراري ومن مصدر واحد على أرضيات الزجاج وعند درجة حرارة الغرفة لدراسة تأثير محتوى القصدير على الخواص التركيبية والكهربائية. أظهرت قياساتAFM أن معلمات التركيب الدقيق مثل معدل الحجم الحبيبي وخشونة السطح يعتمد على ظروف التحضير. التوصيلية الكهربائية المستمرة والتي تم قاسها عند مدى درجات الحرارة (473-293)K وجد أنها ازدادت مرتبة واحدة مع زيادة محتوى القصدير والسمك. رسم العلاقة بين التوصيلية الكهربائية المستمرة ومقلوب درجة الحرارة يظهر ان هناك ثلاث طاقات للتنشيط Ea1 , Ea3, Ea2 لأغشية (Sb2S3)1-x Snx لجميع قيم محتوى القصدير والسمك. بينت قياسات تأثير هول أن أغشية(Sb2S3)1-x Snx ذات السمك الواطئ تظهر توصيلية النوع السالب بينما تظهر الأغشية ذات السمك العالي تظهر توصيلية النوع الموجب. تركيز الحاملات الشحنة والتحركية اظهرا اعتمادا معاكسا مع زيادة قيمة محتوى محتوى القصدير والسمك.


Article
Effect of indium content on X- ray diffraction and optical constants of InxSe1-xthin films
تأثير حيود الانديوم على حيود الاشعة السينية و الثوابت البصرية لاغشية InxSe1-x الرقيقة

Authors: Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن --- Iyat M.Abdulrazzaq ايات منير عبد الرزاق
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 29 Pages: 55-72
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Alloys of InxSe1-xwere prepared by quenching technique with differentIn content (x=10,20,30,and 40).Thin films of these alloys were prepared using thermal evaporation technique under vacuum of 10-5 mbar on glass, at room temperature R.T with different thicknesses (t=300, 500 and 700 nm). The X–ray diffraction measurement for bulk InxSe1-x showed that all alloys have polycrystalline structures and the peaks for x=10 identical with Se, while for x=20,30 and 40 were identical with the Se and InSe standard peaks.The diffraction patterns of InxSe1-xthin film show that with low In content (x=10, and 20) samples have semi crystalline structure, The increase of indium content to x=30 decreases degree of crystallinity and further increase of indium content to x=40 leads to convert structure to amorphous. Increase of thickness from 300 to 700nm increases degree of crystallinity for all indium content. Transmittance measurements were used to calculate refractive index n and the extinction coefficient k using Swanepole’s method. The optical constants such as refractive index (n), extinction coefficient (k) and dielectric constant (εr, εi) increases for low indium content samples and decreases for high indium content samples, while increase of thickness increases optical constants for all x values.The oscillator energyE0, dispersion energy Ed, and other parameters have been determined by Wemple - DiDomenico single oscillator approach.

تم تحضير سبائك من InxSe1-x وبمحتوى مختلف من الانديوم (x=10,20,30,and 40) باستخدام طريقة الانجماد السرع للمنصهر. حضرت اغشية رقيقةمن هذه السبائك باستخدام طريقة التبخير الحراري تحت الفراغ 10-5mbarعلى قواعد زجاجيةعند درجة حرارة الغرفة باسماك مختلفة t=300,500, 700)) نانومينر.اظهر فحص الاشعة السينيةان سبائك InxSe1-x كانت متعددة البلورات وان القمة عندx=10 كانت متطابقة مع قمم Seالقياسية بينما كانت متطابقة مع قمم SeوInSeالقياسية لقيمx=20,30 و40 . اظهر طيف الاشعة السينية لاغشيةInxSe1-x الرقيقة ان النماذج ذات المحتوى الواطيء من الانديوم20وx=10 كانت ذات تركيب شبه بلوري .زيادة المحتوى من الانديوم الى x=30 يقلل درجة التبلور وان الزيادة اكثر الى x=40 يؤدي الى تحويل التركيب الى عشوائي. زيادة السمك من 300 الى700 نانوميتر يزيد من درجة التبلورلكل قيم المحتوى من الانديوم. تم حساب الثوابت البصرية وهي معامل الانكسار, معامل الخمود, من قياس طيف النفاذ باستخدام طريقة Swanepole.الثوابت البصرية معامل الانكسار, معامل الخمود, ثابت العزل الحقيقي والخيالي ازدادت للعينات ذات المحتوى الواطئ من الانديوم وقلت للعينات ذات المحتوى العالي من الانديوم, بينما ازدادت الثوابت البصرية مع زيادة السمك لكل قيم المحتوى من الانديوم.تم حساب طاقة التذبذب والتشتيت ومعاملات اخرى من تقريب Wemple - DiDomenico للمتذبذب المنفرد.


Article
Effect of thickness on the structure, morphology and A.C conductivity of Bi2S3 thin films
تأثير السمك على التركيب, الهيئة و التوصيلية الكهربائية المتناوبة لاغشية Bi2S3 الرقيقة

Authors: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن --- Hiba H. Issa هبة حسين عيسى
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 33 Pages: 87-95
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films samples of Bismuth sulfide Bi2S3 had deposited on glass substrate using thermal evaporation method by chemical method under vacuum of 10-5 Toor. XRD and AFM were used to check the structure and morphology of the Bi2S3 thin films. The results showed that the films with law thickness <700 nm were free from any diffraction peaks refer to amorphous structure while films with thickness≥700 nm was polycrystalline. The roughness decreases while average grain size increases with the increase of thickness. The A.C conductivity as function of frequency had studied in the frequency range (50 to 5x106 Hz). The dielectric constant, polarizability showed significant dependence upon the variation of thickness.

حضرت اغشية من المركب Bi2S3 باستخدام التبخير الحراري وتحت فراغ مقداره 10-5 Toor.تم فحص طبوغرافية وتركيب الاغشية المحضرة باستخدام مجهر القوى الذرية وحيود الشعة السينية.اظهرت النتائج ان الاغشية ذات السمك الواطيء < 700نانوميتر كانت عشوائية التركيب بينما اظهرت الاغشية ذات السمك ≥ 700نانوميتر كانت متعددة البلورات. خشونة سطح الاغشية المحضرة قلت فيما ازداد حجم الحبيبة مع زيادة السمك.تم دراسة التوصيلية المتناوبة كدالة للتردد ضمن المدى (50 هيرتز الى 5 ميكاهيرتز).اظهركل من ثابت العزل والاستقطابية اعتمادا ملحوظا على تغير السمك.


Article
D.C conductivity of In2O3: SnO2 thin films and manufacturing of gas sensor
التوصيلية الكهربائية المستمرة وتصنيع متحسس غازي من اغشية اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير

Authors: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن --- Rusul M. Abdallah رسل محمد عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 32-45
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Compounds were prepared from In2O3 doped SnO2 with different doping ratio by mixing and sintering at 1000oC. Pulsed Laser Deposition PLD was used to deposit thin films of different doping ratio In2O3: SnO2 (0, 1, 3, 5, 7 and 9 % wt.) on glass and p-type wafer Si(111) substrates at ambient temperature under vacuum of 10-3 bar thickness of ~100nm. X-ray diffraction and atomic force microscopy were used to examine the structural type, grain size and morphology of the prepared thin films. The results show the structures of thin films was also polycrystalline, and the predominate peaks are identical with standard cards ITO. On the other side the prepared thin films declared a reduction of degree of crystallinity with the increase of doping ratio. Atomic Force Microscopy (AFM) measurements show the average grain size exhibit to change in non-systematic manner with the increase of doping ratio with tin oxide. The average grain size increases at doping ratios 1, 5 and 7 % from 52.48 to 79.12, 87.57, and 105.59 nm respectively and decreases at residual doping ratio. The average surface roughness increases from 0.458 to 26.8 nm with the increase of doping ratio. The gas sensing measurements of In2O3:SnO2 thin films prepared on p-Si to NO2 gas showed good sensitivity and Maximum sensitivity (50) obtained for In2O3:SnO2 prepared on p-Si at operating temperature 573 K and doping ratio 7 % and 9 %. Maximum speed of response time (8 sec) at operating temperature 573 K and doping ratio 1 %.

حضرت مركبات من اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير وبنسب تطعيم مختلفة وذلك بمزج المركبين وتلبيدها عند درجة 1000 oC. تم استخدام طريقة التبخير بالليزر النبضي لتحضير اغشية رقيقة من المركب In2O3:SnO2 وبنسب تطعيم 9 % wt.) (0, 1, 3, 5, 7, على قواعد من الزجاج ورقائق السليكون مفرد االبلورة. وعند درجة حرارة المحيط وعند ضغط فراغ 10-3 تور وبسمك 150نانومينر. تم استخدام حيود الاشعة السينية ومطياف القوى الذرية لفحص تركيب, الحجم الحبيبي وطبوغرافية الاغشية المحضرة. اظهرت النتائج ان الاغشية المحضرة كانت متعددة البلورة وان المستوي المفضل للنمو متطابق مع بطاقات اوكسيد الانديوم- القصدير ومن جهة اخرى اظهرت الاغشية المحضرة هبوطا في درجة التبلور مع زيادة نسبة التطعيم. قياسات مطياف القوى الذري اظهرت ان حجم الحبيبة تغير بشكل غير منتظم مع نسبة التطعيم. حيث ازداد حجم الحبيبة عند نسب التطعيم 1, 5, 7 % من 52 الى 79, 87و 105 نانوميتر على التوالي وهبط عند نسب التطعيم الباقية. خشونة السطح ازدادت من0.458 الى26.8 نانوميترمع زيادة نسبة التطعيم. قياسات التحسسية لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة على قواعد من السليكون نوع p لغاز NO2 كانت جيدة و اقصى قيمة للتحسسية كانت (50) لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة عند درجة تشغيل 573 K ونسب تطعيم 7 % ,.9% اقصى زمن استجابة كان(8 sec) عند درجة تشغيل 573 K و نسبة تطعيم 1%.


Article
Characterization of (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x films as NH3 gas sensor
خواص اغشيه (SnO2)1-x (TiO2: CuO)x كمتحسس لغاز NH3

Authors: Sara S. Mahmood ساره صادق محمود --- Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 39 Pages: 71-80
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin dioxide (SnO2) were mixed with (TiO2 and CuO) with concentration ratio (50, 60, 70, 80 and 90) wt% films deposited on single crystal Si and glass substrates at (523 K) by spray pyrolysis technique from aqueous solutions containing tin (II) dichloride Dihydrate (SnCl2, 2H2O), dehydrate copper chloride (CuCl2.2H2O) and Titanium(III) chloride (TiCl3) with molarities (0.2 M). The results of electrical properties and analysis of gas sensing properties of films are presented in this report. Hall measurement showed that films were n-type converted to p- type as titanium and copper oxide added at (50) % ratio. The D.C conductivity measurements referred that there are two mechanisms responsible about the conductivity, hence it possess two activation energies. Maximum sensitivity 16 % obtained for sample (SnO2)40(TiO2: CuO) 60 toward (NH3) gas at the operating temperature (473 K), whereas faster response time and recovery time were 20 (s) for (SnO2) and (SnO2)20(TiO2:CuO)80 respectively.

تم تحضير الاغشية الرقيقة من (SnO2)1-x (TiO2: CuO)x وذلك بخلط اوكسيد القصدير مع اوكسيد التيتانيوم و اوكسيد النحاس بنسب وزنية (50, 60, 70, 80 and 90) wt% على قواعد مختلفة مثل الزجاج والسيليكون احادي التبلورباستخدام تقنية الرش الحراري الكيميائي عند درجة حرارة 250 ºCوذلك بمزج كل من كلوريدي القصدير و النحاس المائي الثنائي وكلوريد التيتانيوم الثلاثي بمولارية (0.2 M). في هذا البحث تم عرض نتائج الخواص الكهربائية وتحليل نتائج التحسس الغازي. اظهرت قياسات تاثير هول ان اغشية اوكسيد القصديركانت نوع سالب التوصيل تتحول الى النوع موجب التوصيل مع مزجها مع كل من اوكسيد التيتانيوم والنحاس عند النسبه (%50). اشارت دراسة التوصيلية المستمرة ان الاغشية لها ميكانيكتا توصيل والذي يعني ان هناك طاقتا تنشيط. اعلى قيمة للتحسسية لغاز (NH3) كانت 16 % تم الحصول عليها من الغشاء (SnO2)40(TiO2:CuO)60 عند درجة تشغيل 473 K فيما كان اسرع زمن استجابة وهبوط 20 and 32 (s) لاغشيةSnO2 و (SnO2)70(TiO2:CuO)30على التوالي.


Article
Effect of Dopant Concentration on the Structural, Optical and Sensing Properties of (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x Sprayed Films
تأثير تركيز التشويب على الخواص التركيبية والبصرية والتحسسيه للأغشية SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x) الرقيقه

Authors: Sara S. Mahmood ساره صادق محمود --- Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2019 Volume: 16 Issue: 2 Pages: 361-369
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Spray pyrolysis technique was subjected to synthesized (SnO2)1-x (TiO2: CuO) x Thin films on different substrates like glass and single crystal silicon using. The structure of the deposited films was studied using x-ray diffraction. A more pronounced diffraction peaks of SnO2 while no peaks of (CuO , TiO2 ) phase appear in the X-ray profiles by increasing of the content of (TiO2 , CuO) in the sprayed films. Mixing concentration (TiO2 , CuO) influences on the size of the crystallites of the SnO2 films ,the size of crystallites of the spray paralyzed oxide films change in regular manner by increasing of (TiO2 , CuO) amount. The effect of mixing concentration on the optical properties of the films was also investigated. The reflectance and transmittance spectra in the wavelength range (300-1100) nm were employed to determine the optical properties such as energy band gap (Eg) and refractive index (n), extinction coefficient (k) , real and imaginary parts of dielectric constants (ε1, ε2) for (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x films. The energy band gap omit of which showed reduction from (3.65 to 2.2) eV by reducing of SnO2 amount from (100 to 70) % .The reduction of energy band gap was ascribed to the new tail states introduced in the band gap of tin oxide. The sensitivity of the prepared sensor film was determined resistance difference of the films when exposed to oxidizing gas. The data declared that the mixed SnO2 films have better sensitivity in comparison with unmixed films.

تم تصنيع اغشية رقيقة من (SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x )على ركائز مختلفة مثل الزجاج والسيليكون احادي التبلور باستخدام تقنية االرش الكيميائي الحراري. تم فحص تركيب الاغشيه المرسبه باستخدام حيود الأشعة السينية. في مخطط السينية تظهر قمم حيود SnO2 اكثر وضوحا في حين لا تظهر قمم CuO و TiO2 ويتحسن التركيب عند زيادة محتوى TiO2: CuO في اغشيه الرش. تركيز التشويب لاغشيه TiO2: CuO يؤثر على حجم تبلور اغشيه SnO2 حيث يتغير حجم تبلور اغشيه الرش الحراري بصوره منتظمة بزيادة كمية TiO2: CuO. كما تم دراسة تأثيرتركيز التشويب على الخواص البصرية للأغشية. تم استخدام طيف الانعكاس والنفاذيه لاغشيه SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x) في مدى الطول الموجي nm (300-1100) لتحديد الخواص البصرية مثل فجوة حزمه الطاقة (Eg) ومعامل الانكسار (n) ومعامل الخمود (k) والقيم الحقيقية والتخيلية لثوابت العزل الكهربائي ε1، ε2. لوحظ ان فجوة حزمه الطاقة تقل من 3.8 فولت إلى 2.65 فولت من خلال تقليل كمية TiO2: CuO. ويعزى انخفاض فجوة نطاق الطاقة وبالتالي زيادة طاقة أورباخ إلى الحالات الذيليه للشوائب على حزمه التوصيل أو حزمه التكافؤ لاوكسيد القصدير. يمكن حساب قيمة تحسسيه الغشاء عند تغيير مقاومة الغشاء عند التعرض لغاز اوكسيد النيتروجين. تظهر النتائج أن اغشيه SnO2 المشوبه لديها حساسية أفضل عند مقارنتها بالأغشية غير المشوبه.

Listing 1 - 10 of 13 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (13)


Language

English (13)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (2)

2017 (2)

2016 (1)

2015 (1)

More...