research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2016 (1)