research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Gas Sensing of (SnO2)1-x(ZnO)x composite films associating with structural and electrical properties
التحسس الغازي لأغشية مركب (SnO2)1-x(ZnO)x مع الخصائص التركيبية والكهربائية

Loading...
Loading...
Abstract

Semiconductor-based gas sensors were prepared, using n-type tin oxide (SnO2) and tin oxide: zinc oxide composite [(SnO2)1-x(ZnO)x] at different atomic ratios (x) using pulsed laser deposition at room temperature, without any treatment. The prepared thin films were examined in order to obtain the optimum conditions for gas sensing applications, using X-ray diffraction, Hall effect measurements, and direct current conductivity. It was found that the optimum crystallinity and maximum electron density, corresponding to the minimum charge carrier mobility, appeared at 10% ZnO ratio. This sample has the optimum gas sensitivity was 358 % against 10% NO2 gas appeared at 473 K working temperature.

تم تحضير المتحسس الغازي المعتمد على شبه الموصل، باستخدام أوكسيد القصدير((SnO2 من النوع n و مزيج أوكسيد القصدير: أوكسيد الزنك (SnO2)1-x(ZnO)x عند نسب ذريةx مختلف باستخدام الترسيب بالليزر النبضي في درجة حرارة الغرفة، بدون اي معالجة. فحصت الأغشية الرقيقة المحضرة للوصول الى الظروف المثلى لتطبيقات المتحسس الغازي، باستخدام حيود الأشعة السينية، وقياسات تأثير هول، وتوصيلية التيار الكهربائي المباشر. وقد وجد أن درجة التبلور المثلى وكثافة الإلكترون القصوى، المقابلة لتحركية حاملات الشحنة الدنيا، تظهر عند النسبة %10 من ZnO. وكانت أعلى حساسية لغاز لثاني أوكسيد النيتروجين هي %358 عند تركيز 10% وعند درجة حرارة تشغيل473 كلفن.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2019 (1)