research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Carrier Life Time, Time Constant, And Other Related Detector Parameter For Porous Silicon /Silicon Heterojunction Detector
تحديد فترة حياة الحاملات الاقليه ، الثابت الزمني ومعلمات الكاشف الاخرى لكاشف المفرق الهجيني نوع السليكون المسامي سليكون

Author: Evan T. Salem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 18 Pages: 5660-5673
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, Porous silicon constituting silicon nanostructures layerhave been produce on crystal silicon using different preparation condition in laserinduced electrical etching process. Were a (800 nm) , (1watt) semiconductor laserhas been used with the electrochemical etching process to prepare the porous layeron the surface of (111) n- type silicon substrate. Two different Silicon resistivitiesof (0.564,4.29) W.cm was employed to prepared (Ps/ Si) heterojunction at differentpreparation condition. The characteristic of the prepared device has been found todepend directly on the formation current density and substrate resistivity. Theobtained device has good parameter to work as a detector in the (V- NIR) region .

في هذا البحث، تم تحظير السليكون المسامي مشتملا على السليكون ذو التركيب النانويعلىقاعده متمثله ببلوره سليكون عند شروط تحظير مختلفة. حيث تم استخدام جهاز ليزر شبة1) مع جهاز التنميش watt) 800 ) وبقدره لاتتجاوز nm) الموصل ذي الطول الموجيالكهروكيميائي للحصول على طبقه السليكون المسامي ، وبالتالي تحظير المفرق الهجيني نوعتم قياس زمن النهوض للنبيطه المصنعه ووجد ليكون معتمدا على مقدار تيار . (Ps/Si)التكوين. كما وجد بان النبيطه المصنعه ذات معلمات جيده للعمل ككاشف ضوئي عند المكطقةالرئيه وتحت الحمراء القريبه


Article
Oxygen Pressure Effect on Optical Properties and FTIR Results of MgO Thin Films Prepared Using RPLD Technique

Author: Evan T. Salem
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2010 Volume: 21 Issue: 5 Pages: 1-13
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, oxygen pressure effect on optical and FTIR spectrum of MgO dielectric oxide thin film has been carried out using Reactive Pulsed Laser as a Deposition technique (RPLD),werer (7nsec) Nd-YAG laser has been use to ablated pure Mg target and deposited on glass substrates. This has been done at different oxygen back ground pressure ranged from (150-300) mbar and constant substrate temperature of (423K).The result shows that the bond formation between Mg and oxygen atoms is directly depended on the back ground oxygen pressure. The optical properties of MgO films show that high transparency of about (80-85) % can be achieved with MgO film which it self decreases sharply with the decreasing of oxygen pressure. While the optical ban gap is 5.01eV at optimum oxygen pressure of (200) mbar.

في هذا البحث تم دراسة تاثير ضغط غاز الاوكسجين المستخدم كوسط ترسيب على الخصائص البصريه ونتائج تحويلات فورير للمنطقة تحت الحمراء لاغشية اوكسيد المغنيسيوم الشفافة الموصلة باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي الفعالة باستخدام ليزر الندميوم ياك والذي يعمل بامد نبضة (7nsec) على قاعدة من الزجاج عند ضغوط مختلفة لاوكسجين تمتد بين (150-350mbar) وعند درجة حرارة قاعدة (423K). اظهرت نتائج الخصائص البصرية لاوكسيد المغنيسيوم ان فجوة الطاقة عند افضل الشروط(200mbar) هي (5.01eV). كما ان نسبة النفاذية لاوكسيد المغنيسيوم كانت عالية وتصل الى (85%) ووجدت بانها تقل مع نقصان ضغط الاوكسجين المحيط

Keywords


Article
X-ray Diffraction and FTIR Spectra of SnO2 Thin Film Prepared Using RTO Method

Author: Evan T. Salem
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2010 Volume: 21 Issue: 5 Pages: 89-102
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent conducting oxide thin films of SnO2 has been prepared on quartz substrates at different oxidation conditions such as oxidation temperature and oxidation time using rapid thermal oxidation method. The films crystallize is a tetragonal structure and X-ray diffraction measurements have shown polycrystalline SnO2 films prepared at 873 K, 90 sec with (101) orientation. The SnO2 phase formation was also confirmed with the recorded Fourier Transform Infrared (FTIR) results.

في هذا البحث تم تحضير اغشية اوكسيد القصدير وهو من الاكاسيد الشفافه الموصله على قواعد منن الونوازتعند ظروف مختافه باستخدام تقنية الاكسده الحرازيه السريعه عند دزجة حنرازه اكسنده واامناك اكسنده مختلفنهوتم دزاسة كل من حينود الاعنعه السنينيه و ين ا FTIR . وجند اك اغشنية اوكسنيد القصندير متعنددت التبلنوزوزباعية التركيب وتنمو عند دزجنة حنرازت ) 873 K ( وامنن اكسنده ) 90 sec ( وهنذا منا تبيننه ايضناا جتنا اFTIR

Keywords


Article
Transparent Oxide MgO Thin Films Prepanred By Reactive Pused Laser Deposition
تحضير ودراسة خصائص غشاء اوكسيد المغنيسيوم باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Evan T. Salem --- Farhan A.Mohamed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 4 Pages: 723-729
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent dielectric thin films of MgO have been deposited on glasssubstrates at different oxygen pressure between (50-300) mbar using a pulsed laserdeposition technique to ablation of Mg target in the presence of oxygen as reactiveatmosphere. Structural, and optical, properties of these films have beeninvestigated. The films crystallize in a cubic structure and X-ray diffractionmeasurements have shown that the polycrystalline MgO films prepared at oxygenpressure (200) mbar and substrate temperature (150°C) with (111) and (002)orientations. The films deposited at oxygen pressure between (150-300) mbar andsubstrate temperature (150°C) exhibited highest optical transmittivity (>80%) andthe direct band gap energy was found to be 5.01 eV at oxygen pressure (200) mbar.The measured of the resistivity of the film prepared at oxygen pressure (200) mbarand substrate temperature (150°C) was 1.45x107Ω cm.

أغشيه اوكسيد المغنيسيوم الشفافة العازلة المرسبة على قواعد من الزجاج عند ضغوط50 ) ملى بار باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي الذي - أوكسجين مختلفة تتراوح بين ( 300يعمل على تشظية أهداف معدن المغنيسيوم المتمثلة باستخدام الأوكسجين كوسط ترسيب. تضمنالبحث دراسة وتحليل للخصائص البصرية ،, والتركيبية للأغشية المحضرة بظروف مختلفة .أظهرت نتائج الخصائص التركيبية للأغشية المنماة من خلال دراسة حيود الأشعة السينية تبينبان الحبيبات لغشاء اوكسيد المغنيسيوم قد تمحورت باتجاه ( 111 ) و( 002 ) عند افضل ضروف150 ) درجة حرارة قاعدة . Co) 200 ) ضغط اوكسجين و mbar) للترسيب التي وجدت لتكونأظهرت نتائج الخصائص البصرية لأغشية اوكسيد المغنيسيوم إن فجوة الطاقة عند أفضل5.01 ). كما إن نسبة النفاذية لأغشية اوكسيد المغنيسيوم كانت عالية وتصل إلى eV) الشروط هي150-300 ) ملى بار. أما نتائج قياس المقاوميه mbar) 80% ) عند ضغط أوكسجين تتراوح بين )1.45 ) عند نفس ضروف *107Ωcm) لهذه الأغشية تدل على أنها ذات مقاوميه عالية تصل الىالترسيب السابق.


Article
Preparation and Characterization of MOS Device using MgO Film as A Dielectric Material
تحضیر ودراسة خصائص غشاء اوكسید المغنیسیوم باستخدام تقنیة لترسیب باللیزر النبضي

Authors: Farhan A. Mohamed --- Evan T. Salem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 21 Pages: 6253-6262
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization of Al/MgO/Si MOSdevice has been carried out using PLD as a deposition technique, and forcomparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed. The obtainedresult show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type. The Spectral Responsivity measurement of (Al/MgO/Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al/SiO2/Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al/MgO/Si) MOS device was shorter than of (Al/SiO2/Si) MOS device.

باستخدام (Al/MgO/Si) ( MOS) في ھذا البحث ، تم صنیع ودراسة خصائص نبیطھ نوع Al/SiO2/Si) تقنیھ الترسیب باللیزر النبضي ، ولاجل المقارنھ تم تصنیع نبیطة من نوع اضھرت النتائج التي تم الحصول علیھا ان الخصائص الكھربائیة والبصریھ للنبائط ، ((MOS) المحضره تعتمد بصوره كبیره على نوع الاوكسید المستخدم ،كذلك اظھرت خصائص سعة –جھد كانت (Al/MgO/Si) ان النبائط من النوع الحاد . خصائص الاستجابیة الطیفیة للنبیطھ نوع 0.20 اما نتائج A/W وجدت لتكون (Al/SiO2/Si) 0.27 بینما للنبیطھ الثانیھ نوع A/W حوالياقصر من مثیلة للنبیطھ نوع (Al/MgO/Si) زمن النھوض فبینت ان زمن النھوض للنبیطھ نوع.(Al/SiO2/Si)


Article
Enhanced the response time of the P-N junction Photodetector

Authors: Khawla S. khashan --- Evan T. Salem --- Mukaram A. Fakhery
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 4 Pages: 423-428
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, the response time of p-n junction photo-detector has been achieved by using the rapid thermalannealing (RTA) technique in which the annealing time has been ranged from (5-25) s at (773 K) the result shows a goodimprovement in the time constant of the detector and it has beast result at (15) s which reach to (26.81) ns for (905) nmwavelength of GaAlAs laser

باستخدام تقنية التلدين (p-n) في هذا البحث ، تم تحسين زمن الاستجابة لكاشف ضوئي نوع773 ) . ومن K) 5-25 )عند درجة حرارة )s وبأزمان تتراوح من ،( RTA) الحراري السريع15 ، أذ وصل زمن s النتائج لوحظ تحسن جيد في ثابت الزمن للكاشف وكانت أقضل نتيجة عندوبطول موجي ( (GaAlAa) 26.81 باستخدام ليزر أشباه الموصلات ns الاستجابة الى.( 905nm

Keywords


Article
Optical Constants of Zinc Telluride Thin Films in the Visible and Near-Infrared Regions

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Evan T. Salem --- Muhammad S. Muhammad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 5 Pages: 512-519
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, thin films of ZnTe were deposited on glass substrates usingvacuum evaporation technique. The optical measurements on the deposited filmswere performed to determine the transmission spectrum and the absorption spectraas a function of incident wavelength. As well, optical parameters, such asextinction coefficient, value and type of energy gap, type of the dominantabsorption processes, real and complex refractive index as functions of incidentphoton energy, were determined. This study may present better understanding forthe optical properties of ZnTe thin films and their devices in order to enhance theircharacteristics and improve their efficiencies.

على قواعد (ZnTe) في هذا البحث، جرى ترسيب أغشية رقيقة من تيلورايد الخارصينزجاجية باستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. أجريت القياسات البصرية على الأغشيةالمرسبة لتحديد طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي الساقط ومن ثم تحديدالمعاملات البصرية مثل معامل الامتصاص ومعامل التخميد وقيمة ونوع فجوة الطاقة وعملياتالامتصاص وقيمة معامل الانكسار المركب. هذه الدراسة يمكن أن تقدم فهمًا أفضل للخواصالبصرية لأغشية تيلورايد الخارصين الرقيقة ونبائطها من أجل تحسين خصائصها وزيادة حدودالكفاءة لها.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2010 (5)

2008 (2)