research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Study the effect oxidation time on physical properties of cdo thin films prepared by thermal evaporated

Author: Lecturer Fatima I. Sultan
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2015 Volume: 20 Issue: 86 / علمي Pages: 997-1002
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

University of Technology.Abstract thin films were prepared by thermal evaporated method of cadmium metal on a glass substrate, then conventional oxides in air at 500ᵒC and different oxidation times (30, 60 and 90) mint. The characterization of samples were carried out by atomic force microscopy and UV-VIS spectroscopy. Detailed optical and morphological properties of the prepared films are presented at different oxidation times. A UV-VIS transmition spectrum of produced films shows high transmission in visible, IR region and low transmission in UV region. Average grain size in the range of nanometer and decreases with increasing oxidation time. Keywords:, Cadmium thin films, thin films, thermal evaporation .1. Introduction Cadmium oxide (CdO) has high electrical conductivity and high optical transmittance with a moderate refractive index in the visible region of the solar spectrum. In recent years it has found various applications in transparent electrodes, solar cells, photo transistors, photodiodes, gas sensors, etc. [1,2]. CdO films are wide, direct band-gap semiconductors with an optical energy gap of about 2.4 eV at room temperature [3]. CdO, with it's cubic structure, is also a II-VI n-type semiconductor with donor defects, such as Cd interstitials and oxygen vacancies [4, 5]. CdO thin films are prepared by many physical and chemical techniques. Many physical and chemical preparation techniques such as pulsed laser deposition [6], sputtering [7], chemical vapor deposition [8], reactive evaporation [9], spray pyrolysis [10], sol-gel [11-13], etc. have been used in order to obtain CdO films .In this study, highly transparent and conductive CdO films were prepared by using thermal evaporation technique. The variations in the morphological and the optical properties of the CdO films with oxidation time are presented.2. Experiments details Cadmium material was grown from (Balzers BAE 080) evaporation system under vacuum of 2×10-4 torr on glass substrates at room temperature using a molybdenum boat heater. The deposited films oxides

Keywords


Article
Negative Effect of Laser Treatment with Nd:YAG on the Corrosion of Amalgam in Artificial Saliva
التأثير السلبي للمعاملة الليزرية بليزر Nd:YAG على تأكل الحشوة الزئبقية في اللعاب الاصطناعي

Author: Lec. Fatima I.Sultan
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2013 Volume: 19 Issue: 79 / علمي Pages: 863-873
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

This work involves study the corrosion behavior of amalgam in artificial saliva at pH=6 and 37oC after using Nd: YAG, where this laser used for healing the cancer. This study indicates that laser surface treatment affecting corrosion resistance of amalgam, and the results indicate that the laser treatment don`t give the desired purpose because the nature of amalgam and the presence of mercury in this alloy which may be evaporate and it give toxicity for human and the energy of treatment must be low to avoid evaporation. In this work, laser treatment with two pulses under experimental conditions gave little improvement in corrosion resistance of amalgam compared with one and three pulses through the corrosion parameters of polarization behavior.

يهدف هذا البحث الى دراسة سلوك التأكل للحشوة الزئبقية بعد المعاملة الليزرية بليزر Nd:YAG في اللعاب الصناعي عند اس هيدروجيني 6 ودرجة حرارة 37 درجة مئوية حيث يستخدم هذا الليزر لمعالجة الاورام في اللثة. ان الدراسة الحالية اثبتت بان المعاملة الليزرية تؤثر على مقاومة التأكل بسبب طبيعة الحشوة الزئبقية الحاوية على الزئبق والذي قد يتبخر معطياً تأثيراً سمي وان الطاقة الليزرية يجب ان تكون اقل ما يمكن. ان المعاملة الليزرية في هذا البحث بضربتين ليزريتين اعطت تحسناً قليلاً في مقاومة التأكل مقارنة مع المعاملة الليزرية نبضة واحدة وثلاث نبضات كما تبينه متغيرات التأكل المقاسة من سلوك الاستقطاب.

Keywords

Amalgam --- Laser treatment --- Corrosion


Article
Structural, Chemical and Morphological of Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching
تركیبیة وكیمیائیة وتراكیب السطوح السلیكون المسامي المنتج بالتنمیش الكھروكیمیاوي

Authors: Amna A. Salman --- Fatima I. Sultan --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 5 Pages: 855-867
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the nanocrystalline porous silicon (PS) films is prepared by electrochemical etching of p-type silicon wafer with different currents density (15 and 30 mA/cm2) and etching times on the formation nano-sized pore array with a dimension of around few hundreds nanometric. The films were characterized by the measurement of XRD, FTIR spectroscopy and atomic force microscopy properties.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and Atomic Force microscopy confirms the nanometric size Chemical fictionalization during the electrochemical etching show on surface chemical composition of PS. The etching possesses inhomogeneous microstructures that contain a-Si clusters (Si3–Si–H) dispersed in amorphous silica matrix and (O-SiO,C-SiO). From the FTIR analyses showed that the Si dangling bonds of the as-prepared PS layer have large amount of Hydrogen to form weak Si–H bonds. The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (current density and etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.

في ھذا البحث تم تحضیر أغشیة السلیكون المسامي النانویة بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي لرقائق السلیكون من النوع القابل مع كثافة تیارات ( 15 و 30 ملي امبیر/سم 2) لتكوین حفر بأحجام نانویة منظمة بحدود مئات قلیلة من الأبعاد النانومتریة وازمان تنمیش مختلفة وتم تشخیص الأغشیة من قیاسات حیودالأشعة السینیة ومطیافیة تحویلات فوریر للأشعة تحت الحمراء وخواص مجھر القوى الذري. من حیود الأشعة السینیة تم تخمین الحجم البلوري للسلیكون المسامي بالمقیاس النانو ومجھر القوى الذري یؤكد على ان الحجم بالنانومتر.كما تم تحدید المجامیع الفعالة الكیمیائیة خلال التنمیش الكھرو كیمیاوي تظھر على سطح المركب الكیمیائي للسلیكون المسامي. عملیة التنمیش الكھروكیمیائي التي تحوي على تراكیب غیر متجانسة في المشتتة في السلیكا (O-SiO, C-SiO) وعلى مجموعات (Si3-Si-H) السلیكون العشوائي مثل عناقیدالعشوائیة. من تحلیلات تحویلات فوریر للاشعة تحت الحمراء أظھرت أواصر السلیكون المتدلیة لطبقة Si-H السلیكون المسامي كما تم تم ترسیبھا حیث تحوي كمیة كبیرة من الھیدروجین على شكل أواصر الضعیفة. أظھرت اختبارات مجھر القوى الذري على سطح السیلیكون الخشن ، مع زیادة عملیة التنمیش(كثافة التیار وزمن التنمیش) نوى البنیة المسامیة الذي تؤدي إلى زیادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزیادة بخشونة السطح أیضا تزداد.


Article
I-V and C-V Characteristics of Porous Silicon Nanostructures by Electrochemical Etching
خصائص (تيار- فولتية) و (سعة - فولتية) للسليكون المسامي نانوي التركيب بالتنميش الكهروكيمياوي

Authors: Fatima I. Sultan --- Amna A. Slman --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 332-338
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers has been prepared in this work by electrochemical etching (ECE) technique of a p-type silicon wafer with resistivity (1.5-4 Ω.cm) in hydrofluoric (HF) acid of 20% concentration. Various affecting studied etching time (10, 30, and 45 min) and current density (15 mA/cm2). We have study the morphological properties (AFM) and the electrical properties (I-V and C-V).The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.The electrical properties of prepared PS; namely current density-voltage characteristics under dark, show that the pass current through the PS layer decreased by increasing the etching time, due to increase the resistivity of PS layer. The PS layer shows a rectifying behaviour with different rectification ratio. C-V measurements shows that the increase of the etching time decreases the capacitance of the PS layer. This behavior was attributed to the increasing in the depletion region width which leading to the increasing of built-in potential.

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي بتقنية التنميش الكهروكيميائي لشريحة سليكون من النوع (p) بمقاومية (1.5-4 أوم.سم)، باستخدام حامض الهيدروفلوريك بتركيز 20%. جرى دراسة تاثير ازمان تنميش مختلفة (10، 30 و 45 دقيقة) وكثافة تيار (15 ملي امبير/سم2). تم دراسة الخصائص الطبوغرافية (AFM) والكهربائية (I-V) و (C-V) لطبقة السليكون المسامي .أظهرت فحوصات مجهر القوى الذري على سطح سليكون خشن ، مع زيادة عملية التنميش (زمن التنميش) نوى البنية المسامية الذي تؤدي إلى زيادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزيادة بخشونة السطح أيضا تزداد.الخصائص الكهربائية لطبقة السليكون المسامي المحضرة؛ اي خصائص تيار - جهد تحت الظلام٬ أظهرت ان التيار المار خلال طبقة السليكون المسامي يقل بزيادة زمن التنميش٬ نتيجةً لزيادة مقاومية طبقة السليكون المسامي. أوضحت طبقة السليكون المسامي سلوكاً تقويمياً مع نسب تقويم مختلفة. أظهرت قياسات سعة - جهد ان بزيادة زمن التنميش تقل سعة طبقة السليكون المسامي. هذا السلوك يعزى الى الزيادة في عرض منطقة الاستنزاف التي تؤدي الى زيادة في جهد البناء الداخلي.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (3)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2015 (1)

2013 (2)

2012 (1)