research centers


Search results: Found 6

Listing 1 - 6 of 6
Sort by

Article
Optical Damage Resistance in a Pure Congruent Lithium Tantalate Crystal
مقاوم الإتلاف الضوئي لبلورة LiTaO3 ليثيوم تانتليت

Author: H. L. Saadon هيثم لفتة سعدون
Journal: basrah journal of science البصرة للعلوم ISSN: 18140343 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 1A english Pages: 113-121
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

The optical damage resistance has been investigated on a pure congruent LiTaO3 crystal by the measurement of the photoinduced birefringence changes as a function of an Ar-laser irradiation time and intensity. From these measurements, the intensity dependence of the saturation value of the birefringence and the photoconductivity have been extracted. The so-obtained results are compared to that of a pure congruent LiNbO3 crystal.

مقاوم الإتلاف الضوئي تم البحث عليه في بلورة LiTaO3 النقية وذلك من خلال قياس تغيرات الانكسار المزدوج الضوئي المحتث كدالة لزمن اشعاع اركون ليزر وشدته. من تحليل النتائج, تم اعتماد الشدة على القيمة المشبعة للانكسار المزدوج ومنها تم استخراج التوصيلية الضوئية. النتائج المستحصلة تمت مقارنتها مع بلورة LiNbO3 النقيه

Keywords


Article
Measurement of the Electro-Optic Coefficients In Electro-Optic Crystals using Compensated Sénarmont System

Authors: H. L. Saadon --- M. A. Rahma
Journal: Basic Education College Magazine For Educational and Humanities Sciences مجلة كلية التربية الأساسية للعلوم التربوية والإنسانية ISSN: 23043717 23128003 Year: 2012 Issue: Special Pages: 445-449
Publisher: Babylon University جامعة بابل

Loading...
Loading...
Abstract

Electro-optic crystal have received considerable attention for many application due to their large electro-optic (EO) and nonlinear optical coefficients [1,2]. Several techniques have been designed for the characterization of the electro-optic properties of bulk samples [3,4]. The disadvantage of these systems are that it require a high ac modulated voltage (up to 300 Vp-p) and the material be made with a large EO coefficients.


Article
Thermo-Optic Effects and Opto-Electrical Bias in an Electro-Optic Modulation System

Author: H. L. Saadon, N. Théofanous, M. A. Rahma, M. Aillerie
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2008 Volume: 34 Issue: 2A Pages: 1-7
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, for an electro-optic (EO) crystal, various thermo-optic (TO) and relevant temperature-dependence parameters are defined, presented and studied in the framework of a transverse and a longitudinal EO-modulation system. This study has been based on the concept of the so-called opto-electrical bias (φ) applied to the system. For both of the above EO-modulation systems a set of four original equations has been extracted and is investigated as regards each of the more important TO or temperature coefficients. Using these equations, for these parameters the role of the transverse configuration is examined in comparison with its corresponding longitudinal configuration. A calculation of uncertaintities in the determination of the principal temperature coefficients concludes the paper.

في هذا العمل, لبلورات الكهروضوئية, متغيرات ثرموضوئية وبرامترات إعتماد درجة الحرارة قد عرفت, قدمت ودرست في نظام التضمين الكهروضوئي المستعرض والطولي. هذه الدراسة اعتمدت على أساس الانحياز الألكتروضوئي المسلط على النظام. لكلا نظامي التضمين الكهروضوئي أعلاه, أربع معادلات أصلية أستحدثت وفحصت كل واحدة منها لكثير من معاملات درجة الحرارة والثرموضوئي. باستخدام هذه المعادلات, للبرامترات أعلاه, الترتيب المستعرض أختبر بالمقارنة مع الترتيب الطولي المرافق له. أخيرا, حساب عدم الدقة في قياس معاملات درجة الحرارة ثم مناقشتها في هذا البحث.


Article
Enhanced Ultraviolet Photodetector Based on Mg-Doped ZnO Nanorods Films

Authors: Hussein Abdullah Hameed --- J. J. Hassan --- H. L. Saadon
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2018 Volume: 29 Issue: 3 ICSSSA 2018 Conference Issue Pages: 158-167
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Magnesium-doped zinc oxide (ZnO: Mg) nanorods and nanotubes films were prepared by hydrothermal method deposited on glass substrates. X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX), photoluminescence (PL), and optical absorption spectroscopy (UV) were performed to characterize the prepared films. X-ray diffraction analysis showed a decrease in the lattice parameters of Mg doped ZnO NRs. The Photoluminescence of the undoped and Mg-doped ZnO NRs displayed a near band edge. At 10 V bias, the metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector performance of the Mg-doped ZnO prepared for various Mg concentrations of 0.0, 0.02, and 0.06 was investigated under radiation of 40μW/cm2 at the wavelengths of 365 and 385 nm UV light. The responsivity, detectivity and quantum efficiency of Mg-doped based on MSM detector were 0.118A/W, 1.0579*1012 and 40.05157 under UV of wavelength 365nm respectively.

تم تحضير اغشية أوكسيد الزنك النقي والمشوب بالمغنيسيوم بتراكيز مختلفة على قواعد زجاجية بالطريقة الحرارية المائية . تم اجراء فحوصات حيود الأشعة السينية (XRD) ، المسح المجهري الإلكتروني (SEM) ، (EDX) ، (PL) ، UV) لتوصيف واختبار الاغشية المحضرة. أظهرت تحليلات حيود الأشعة السينية(XRD) بان جميع النماذج متعددة البلورات ذات تركيب سداسي بالاتجاه (002). تم دراسة تأثير تشويب المغنيسيوم على الخصائص التركيبية والكهربائية والبصرية لأغشية اوكسيد الزنكZnO ، ولوحظ التحسن الواضح على التبلور وكذلك زيادة في فجوة الطاقة البصرية. عند تحيز 10 V ، تم فحص أداء كاشف (MSM) للزنك اوكسايد النقي والمشوب بالمغنيسيوم بتراكيز مختلفة من 0.0 و 0.02 و 0.06 تحت اشعة الفوق البنفسجية ذات شدة 40 μ واط / سم 2 عند أطوال موجية 365 و 385 نانومتر . كانت الاستجابة والكشفية والكفاءة الكمية لكاشف الزنك المشوب بالمغنيسيوم بتركيز ,0.06 A / W 0.118, *10121.0579 و 40.05157 عند الطول الموجي nm365 للأشعة الفوق البنفسجية على التوالي.


Article
Influence of external distortions on multifactor optical identification tags with photon-counting
تأثير التشوهات الخارجية على البطاقات التعريفية لمتعدد العوامل البصري مع العد الفوتوني

Authors: Emad A. Mohammed --- H. L. Saadon --- Elisabet Perez-Cabre --- Hassan H. Mohammed Hassan H. Mohammed1 --- et al.
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2015 Volume: 5 Issue: 2 Pages: 88-96
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

The multifactor optical ID tag reinforces high security verification purposes for credit cards, passports, and product identification marks. In this applications, the optical ID tag should be robust to external distortions. In this work, we investigate the robustness to external distortions of multifactor optical identification (ID) tag based on multifactor optical encryption authentication (MOEA) method, binarization method, and photon counting (PC) technique. The external distortion caused by a uniform and non uniform occlusion (cropping and scratches) of some pixels of the proposed optical ID tags is investigated. Computer simulations are presented to test the system performance against these types of distortions. The results illustrated that the system is able to validate the ID tags, even under severe distortion and it confirmed that the proposed BPOID tag based on PC-MOEA method is more robust compared with the traditional ID tags to such as cropping and scratches.

أن علامة الهويه البصريه المتعددة العوامل تعزز أغراض التحقق عالية الأمان مثل بطاقات الائتمان وجوازات السفر والعلامات التعريفية للمنتج. أن هذه العلامه يجب أن تكون ذات مقاومه عاليه ضد التشوهات الخارجية. لقد تم في هذا العمل التحقق من قوة علامة متعدد العوامل المشفره بصريا ضد التشوهات الخارجيه بالأستناد الى نظرية ال MOEA ونظرية ال Binarization وتقنية العد الفوتوني. لقد تم دراسة التشوهات المنتظمه وغير المنتظمه لبعض الوحدات المكونه لصورة البطاقه البصريه بسبب الخدش والقص لبعض أقسام البطاقه. كما تم عرض المحاكاة الحاسبوبية لاختبار أداء النظام ضد هذه الأنواع من التشوهات. لقد أثبتت النتائج أن النظام قادر على التحقق من صحة الهويات، حتى في ظل التشوهات الخارجيه كما وتؤكد النتائج التجريبية البصرية أن العلامة المقترحة (BPOID) والمعتمده على PC-MOEA تكون أكثر مقاومة إلى التشوهات الخارجية بسبب الخدوش والقطع مقارنة مع البطاقات التقليدية.


Article
All-Photonic Switching of (Fe, Mg) Co-Doped PbS/PVA Nanocomposite Films Under a Pump Laser Illumination
المفتاح الفوتوني من مركبات نانوية لأفلام PbS/PVA مشوبة بمعدنين Fe و Mg تحت اضاءة الليزر

Authors: M. A. Rahma مها عبد الحسين رحمة --- H. L. Saadon هيثم لفته سعدون --- M. A. Mahdi مازن عوني مهدي
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2017 Volume: 9 Issue: 2 Pages: 71-81
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

A new all-photonic switching of nonlinear optical materials with very low signal/noise background was presented. Fe and Mg were used to prepare doped and co-doped PbS/PVA freestanding nanocomposite; films were prepared by a simple chemical method with different doping concentrations. The X-ray diffraction patterns, scanning electron microscope images, and optical absorption spectrum of the prepared films were examined. The crystallinity and optical band gap of the prepared co-doped PbS/PVA were found to be affected by Fe and Mg, doping concentrations. The all prepared samples showed a blue shift in the absorption spectra and the optical band gap was increased when the doping concentration is increased. The all-optical switching effect performance of metal doped and (Fe, Mg) co-doped PbS/PVA with various Fe and Mg concentrations were investigated. The results showed that the (Fe, Mg) co-doped PbS/PVA at 1.2%M Fe and 0.8%M Mg doping concentration can demonstrate an active all-photonic switching device and lead to the realization with maximum modulation depth of 86.5% and switching contrast of 8.8 dB at minimum switching time of 47 ms.

تم تقديم مفتاح فوتوني جديد من مواد لاخطية بصرية باقل نسبة الاشارة الى الضوضاء في الاخراج. حيث تم تحضير المركب النانوي كبريتيد الرصاص/بولي فينايل الكحول (PbS/PVA) باستخدام طريقة كيميائية بسيطة بنسب تشويب مختلفة من المعدنين Fe و Mg. تم تشخيص تلك النماذج المحضرة بواسطة حيود الاشعة السينية XRD ومجهر المسح الالكتروني SEM وطيف الامتصاص الضوئي UV-vis. النتائج اظهرت ان التبلورية وفجوة الطاقة البصرية تتأثران بتغير نسبة التشويب (Fe و Mg). كما اظهرت كل النماذج المحضرة ازاحة نحو الطول الموجي الاقل في طيف الامتصاص عند زيادة نسبة التشويب وان فجوة الطاقة البصرية تزداد بزيادة تركيز التشويب. وان اداء تاثير المفتاح الفوتوني للمركب النانوي المحضر تم التحري عنه. حيث اثبتت النتائج ان المركب النانوي PbS/PVA المشوب بنسب مختلفة من معدن Fe و Mg عند التركيز 1.2%M و 0.8%M، على التوالي يمكن ان يساق كجهاز مفتاح فوتوني فعال وهذا ادى الى ان تحقيقه كجهاز بأعلى عمق تضمين 86.5% وتباين 8.8 dB باقل زمن مفتاحي 47 ms..

Listing 1 - 6 of 6
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (6)


Language

English (6)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2015 (1)

2012 (1)

2008 (1)

More...