research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Frequency Dependent Capacitance –Voltage and Current Density Characteristic of Al/PS/p-Si Heterojunction
إعتماد التردد على خصائص السعة – فولتية وكثافة التيار للمفرق الهجين Al/PS/p-Si

Authors: Hassan Juma Abd حسن عبد الصاحب هادي --- Hasan Abdulsaheb Hadi حسن جمعه عبد
Journal: Iraqi Journal of Science and Technology المجلة العراقية للعلوم والتكنولوجيا ISSN: 18136893 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 89-96
Publisher: Ministry of science and technology وزارة العلوم والتكنولوجيا

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, formation of microstructures porous silicon layer (PS) on c-Si substrate p-type with resistivity’s10 Ω.cm which was prepared by the electrochemical etching (ECE) is presented. The etching current densities (40 and 50 mA.cm-2) were used in the electrochemical etching procedure leading to the formation of 1.08 µm and 1.34µm thick porous layers respectively at constant etching time 300sec. From the current – voltage characteristics of the PS/p-Si, the potential barrier were determined and found to be (0.54 and 0.53 eV) respectively. C-V measurements performed on metal/porous silicon/crystalline silicon structures with different etching current densities and frequency depended

في هذا البحث تم تشكيل التركيب المايكروي لطبقة السيليكون المسامي(PS) على القاعدة السيليكونية من النوع الموجب ذي المقاومية 10 Ω.cm المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائية . ان قيم كثافات تيار التنميش في الطريقة المستخدمة للحصول على سمكي طبقة السيليكون المسامي 1.08 µm و 1.34µm هي على التوالي (40 mA.cm-2 و 50 mA.cm-2) بثبات زمن التنميش عند القيمة 300 ثانية. من خصائص تيار –فولتية للتركيب PS/p-Si تم حساب قيمة حاجز الجهد والذين هما 0.54 ev و 0.53 ev لكلا التركيبين على التوالي. دراسة خصائص السعة – فولتية لتركيب المعدن/ السيليكون المسامي/السيليكون البلوري والتي اعتمدت على كل من كثافة تيار التنميش والتردد

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2014 (1)