research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
STUDY OF OPTICAL GAIN IN AlGaAs QUANTUM DOT PHOTODETECTOR
دراسة الربح الضوئي في الكاشف الضوئي المكون من النقاط الكمية الالمنيوم / غاليوم/ زرنيخ

Author: Hayder T. Assafli حيدر توران مهدي
Journal: DIYALA JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES مجلة ديالى للعلوم الهندسية ISSN: 19998716/26166909 Year: 2017 Volume: 10 Issue: 3 Pages: 86-95
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

The Quantum Dot Infrared Photo Detectors (QDIPs) become the leading technology in semiconductor detectors. This attraction comes from the properties of these devices that overpowers over the currently available detectors like Quantum Well Infrared Photo Detectors (QWIPs). In this paper, different Z-length dimensions are used to investigate the behavior of energy levels inside the quantum dots. The Z-length is also applied to investigate the shift of the operating wavelength and adjust the quantum dot performance by multiband Schroedinger-Poisson simulation. The generated electrons in the detection process are one of the most important properties of these dots. A software program is used to simulate the wave function, energy state, and absorption for different Z-dimensions. Results showed that the bandgap decreases and the absorption response shifts with increasing Z-dimension.

الكواشف التحت الحمراء المكونة من النقاط الكمية اصبحت في مقدمة كواشف الاشباه الموصلات والسبب يعود الى خصائص هذا النوع من الكواشف التي تعطيها مميزات اكثر من قريناتها مثل الكواشف التحت الحمراء ذات البئر الكمي. في هذا البحث, تم دراسة تأثير تغيير البعد Z للنقاط الكمية على مستويات الطاقة والتي بدورها تأثر على الاستجابة الضوئية للكاشف. وتم دراسة تأثير تغيير البعد Z على تغير استجابة الكاشف للطول الموجي بطريقة المحاكاة باستخدام طريقة شرودنكر- بويسون. ألالكترونات الناتجة مهمة جدا لاعطاء خواص النقاط الكمية. تم استخدام برنامج المحاكاة لتوليد دالة الموجة, مستويات الطاقة, وخواص الامتصاص. واظهرت النتائج ان فجوة الطاقة تقل والامتصاصية تزداد مع زيادة البعد Z.


Article
Design High Efficient Reflectivity of Distributed Bragg Reflectors
تصميم مرايا DBR عالية الكفاءة

Authors: Wail Y. Nassir --- Ali H. Abdulhadi --- Hayder T. Assafli
Journal: Iraqi Journal of Laser المجلة العراقية لليزر ISSN: 18121195 Year: 2016 Volume: 15 Issue: A Pages: 13-18
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: Bragg Reflectors consist of periodic dielectric layers having an optical path length of quarter wavelength for each layer giving them important properties and makes them suitable for optoelectronics applications. The reflectivity can be increased by increasing the number of layers of the mirror to get the required value. For example for an 8 layers Bragg mirror (two layers for each dielectric pair), the contrast of the refractive index has to be equal to 0.275 for reaching reflectivity > 99%. Doubling the number of layers results in a reflectivity of 99.99%. The high reflectivity is purely caused by multiple-interference effects. It can be analyzed by using different matrix methods such as the transfer matrix method (TMM) which is the simplest method to study the characteristic of devices with different alternating layers.

الخلاصة: تتكون مرايا براغ من عدة طبقات عازلة مع سمك يعادل ربع الطول الموجي ولها أهمية في تطبيقات أجهزة الالكترونيات البصرية، يمكن زيادة الانعكاسية عن طريق زيادة عدد الطبقات من المرآة حتى الحصول على القيم المطلوبة، على سبيل المثال عندما نستخدم مرايا مكونة من أربعة طبقات براغ مزدوجة مع ضرورة ان يكون التباين في معامل الانكسار بمقدار 0.275 للحصول على انعكاسية اعلى من 99٪، وعند استخدام ثمانية طبقات مزدوجة مع نفس التباين في معامل الانكسار نحصل على انعكاسية عالية بمقدار 99.99٪. تم حساب أفضل سمك للزوج من طبقات المادة المزدوجة InAs/InSb بمقدار 2.7749 × 10-7 متر. تم تحليل الانعكاسية لمواد مختلفة باستخدام طريقة (TMM) للمصفوفات وتعتبر اسهل طريقة لدراسة الخصائص لعدة طبقات متناوبة مختلفة.

Keywords


Article
Effects of Enhancement P+ Layer on IGBT Operation

Authors: Inmar N. Ghazi --- Hayder T. Assafli --- Wail Y. Nassir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2018 Volume: 36 Issue: 5 Part (A) Engineering Pages: 582-585
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

IGBT (Insulated-gate bipolar transistor), is used widely in high voltage applications, it is very important to realize the doping profile in order to understand the design and the electrical performances of such devices. The performance depends on the layer, doping, and a carrier distribution among each layer. A specific selected layer can be added with precise properties for enhancing the device and increase the low current operate requirement. In this paper, an IGBT device is an enhanced and better performance achieved by the addition of a heavily positive doped intermediate layer. The collector current is decreased from 0.05 mA to 0.03 mA at 600 V. Decreasing the current results in higher efficient device by decreasing the amount of heat produced by the device.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2016 (1)