research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Enhancement of vanadium oxide doped Eu+3 for gas sensorapplication
تحسين اوكسيد الفناديوم المشوب بمادة Eu+3 كمتحسس غاز

Authors: Issam M.Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Hassan M. Odhaib حسن مطشر عذيب
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 33 Pages: 17-27
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of vanadium oxide nanoparticles doped with different concentrations of europium oxide (2, 4, 6, and 8) wt % are deposited on glass and Si substrates with orientation (111) utilizing by pulsed laser deposition technique using Nd:YAG laser that has a wavelength of 1064 nm, average frequency of 6 Hz and pulse duration of 10 ns. The films were annealed in air at 300 °C for two hours, then the structural, morphological and optical properties are characterized using x-ray diffraction (XRD),Field emission scanning electron microscopy (FESEM) and UV-Vis spectroscopy respectively. The X-ray diffraction results of V2O5:Eu2O3 exhibit that the film has apolycrystalline monoclinic V2O5 and triclinic V4O7 phases. The FESEM image shows a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform nanostructures on the glasssubstrate. The type of the particle foundnanoparticles with different doping concentrations of Eu2O3. The optical energy gap increases with the increase of doping concentration and it varies from 2.67 eV to 2.71 eV. The prepared thin films are used to fabricate sensor against nitrogen dioxide gas. The dependence of sensitivity and response time on doping ratio and operation temperature of gas sensors has been studied, the maximum sensitivity was about 100%, the response time is equal to 24s and recovery time 16s for V2O5 doped 2% Eu2O3 at 50 °C.

تم في هذا البحث استخدام طريقة الترسيب بالليزر النبضي بواسطة ليزر Nd:YAG ذي الطول الموجي nm1064λ= وبمعدل تكرار Hz6 وفترة نبضة ns10 لترسيب أغشية رقيقة بنوعية عالية لاوكسيد الفناديوم النقية و المشوبه بأوكسيد اليوربيوم وبنسب مختلفة (0, 2, 4, 6, 8) wt. % على قواعد زجاجية ورقائق السليكون من النوع (111) وتم تلدين الغشاء بدرجة حرارة 300 درجة مئوية لمدة ساعتين. تم دراسة الخصائص التركيبية باستخدام حيود الاشعة السينية والمجهر الالكتروني والطوبوغرافية للسطح والخصائص البصرية باستخدام طيف الامتصاص للكيف المرئي والفق البنفسجية. بينت دراسة طيف حيود الاشعة السينية لأغشية V2O5 ذات التركيب النانوي وبتراكيزEu2O3مختلفة (0% -8 %) والتي تم تحضيرها باستخدام الترسيب بالليزر النبضي ان جميع الاغشيه المحضره كانت ذات تركيب متعدد التبلور وتبين أيضا ان الطور الذي ظهر في غشاءEu2O3كان أحادي الميل مع ظهور طور ثانوي و انقلاب في الطور الى V4O7. بينت صور المجهر الالكتروني ا شكال نانوية منتظمة الترسيب مع تغير النوع مع تغير نسبة التشويب. فجوة الطاقة البصريةتزداد بزيادة نسبة التشويب من 2.67 الى 2.71 الكترون فولت. تم استخدام الاغشية المحضرة لتصنيع متحسس لغاز اوكسيد النتروجين. تم دراسة تاثير تغيير النسبة ودرجة الحرارة على كل من التحسسية وزمن التحسس و زمن الرجوع. وجد ان اعظم تحسسية 100% وزمن تحسس 24 ثانية وزمن الرجوع 16 ثانية للعينة بنسبة 2% Eu2O3 وبدرجة حرارة 50 درجة مئوية.


Article
Electrical behavior and Optical Properties of Copper oxide thin Films
السلوك الكهربائي والخواص البصرية لأغشية اوكسيد النحاس الرقيقة

Authors: Ahmed S.Ahmed أحمد صالح أحمد --- Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان --- Issam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 638-645
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work the structural, electrical and optical Properties of CuO semiconductor films had been studied, which prepared at three thickness (100, 200 and 500 nm) by spray pyrolysis method at 573K substrate temperatures on glass substrates from 0.2M CuCl2•2H2O dissolved in alcohol. Structural Properties shows that the films have only a polycrystalline CuO phase with preferential orientation in the (111) direction, the dc conductivity shows that all films have two activation energies, Ea1 (0.45-0.66 eV) and Ea2 (0.055-.0185 eV), CuO films have CBH (Correlated Barrier Hopping) mechanism for ac-conductivity. The energy gap between (1.5-1.85 eV).

في هذا البحث تم دراسة الخصائص التركيبية والكهربائية والبصرية لأغشية CuO المحضرة بثلاث اسماك(t=100,200 and 500 nm) بطريقة الرش الكيميائي عند درجة حرارة ارضية 573K على ارضيات من الزجاج من محلول 0.2 مولاري من CuCl2.2H2O مذاب في 50 مليلتر من الكحول.أظهرت الفحوصات التركيبية ان الأغشية المحضرة لها تركيب متعدد التبلور وبدورانية باتجاه (111).اما قياسات التوصيلية المستمرة فتظهر بان الأغشية لها منطقتين لطاقة (Ea1=0.45-(0.66eV ,(Ea2=0.05-0.85eV) . أما نتائج التوصيلية المتناوبة فأظهرت ان الأغشية المحضرة تخضع لنموذج تنطط الحاجز المتلازم (CBH) , أما فجوة الطاقة فكانت تتراوح بين (Eg=1.5-1.85 eV)


Article
Structural and optical properties of BaTiO3 thin films prepared by pulsed laser deposition
الخواص التركيبية والبصرية لأغشية الباريوم تيتانيت الـرقيقة الـمرسبة بتقنية الليزر النبضي

Authors: Qusay A. Hussein قصي علي حسين --- Issam M.Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- K.T.Al-Rasoul خالد طه الرسول
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 17 Pages: 41-44
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

BaTiO3 thin films have been deposited on Si (111) and glass substrates by using pulsed laser deposition technique. The films were characterized by using X-ray diffraction, atomic force microscope and optical transmission spectra. The films growth on Si after annealing at 873K showed a polycrystalline nature, and exhibited tetragonal structure, while on glass substrate no growth was noticed at that temperature. UV-VIS transmittance measurements showed that the films are highly transparent in the visible wavelength region and near-infrared region for sample annealing on glass substrate. The optical gap of the film were calculated from the curve of absorption coefficient (αhν) 2 vs. hν and was found tobe 3.6 eV at substrate temperature 573K, and this value increases up to 3.69 eV at annealing temperature of (673K), but the refractive index was found to decrease from 2.4 to 2.2 at that temperature.

تم ترسيب مركب الباريوم تيتانيت على قواعد من السيليكون (111) والزجاج بأستخدام تقنية ترسيب الليزر النبضي .تم فحص الافلام بواسطة حيود الاشعة السينية ومجهر القوى الذري وطيف النفاذية البصري.وقد ظهر ان نمو الغشاء على السيلكون بعد التلدين عند درجة 873كلفن بشكل متعدد البلورات, بتركيب رباعي, بينما الاغشية المرسبة على الزجاج لم تظهر اي نمو في الغشاء عند التلدين بتلك الدرجة. كذلك تم دراسة الخصائص البصرية بواسطة قياسات مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية وقد ظهر ان الاغشية شفافة جداً في منطقةِ اطوالِ الموجة المرئيةِ ومنطقةِ الأشعة تحت الحمراءِ القريبة بالنسبة للعيّنةِ الملدنةِ على قاعدة زجاجية. كذلك تم حساب قيمة فجوة الطاقة من خلال معرفة معامل الامتصاص وتغيره مع الطاقة حيث وجدت قيمتها 3.6الكترون فولت للغشاءالمحضر عند درجة حرارة القاعدة 573كلفن وهذه القيمة تزداد الى 3.69الكترون فولت, اما معامل الانكسار يقل عندما يلدن الغشاء لينخفض من 2.4الى2.2 عند تلدين 673 كلفن.


Article
Influence of substrate temperature on structural and optical properties of SnO2 films
تأثير درجة حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية SnO2الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Tin Oxide (SnO2) films have been deposited by spray pyrolysis technique at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of SnO2 films have been investigated. The XRD result shows a polycrystalline structure for SnO2 films at substrate temperature of 673K. The thickness of the deposited film was of the order of 200 nm measured by Toulansky method. The energy gap increases from 2.58eV to 3.59 eV when substrate temperature increases from 473K to 673K .Electrical conductivity is 4.8*10-7(.cm)-1 for sample deposited at 473K while it increases to 8.7*10-3 when the film is deposited at 673K

تم ترسيب اغشية (SnO2) بطريقة الرش الكيميائي عند درجات حرارة ارضية مختلفة وقد تمت دراسة تاثير تغيير تلك الدرجات الحرارية على تركيب الاغشية وخصائصها البصرية والكهربائية. أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة عند درجة حرارة ارضية (673K) كانت ذات تركيب متعدد البلورات. كان سمك الاغشية المحضرة بحدود (200nm) وقد تم قياسها بطريقة تولانسكي(Toulansky). ازدادت فجوة الطاقة البصرية من 2.58 الى 3.59 الكترون-فولت .كما ان التوصيلية الكهربائية ازدادت من 4.8*10-7(ohm.cm)-1 الى 8.7*10-3 (ohm.cm)-1 عند زيادة درجة حرارة الارضية من 473K الى 673K.


Article
FABRICAT & STUDY CU0.5IN0.5S2 THIN FILMS COMPOSITE PREPARED BYPYLORYSIS SPRAY METHOD.
تحضير ودراسة مركب Cu0.5In0.5S2المحضر بطريقة الرش الكيمياوي الحراري

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of Cu0.5In0.5S2 has been prepared by spray pyrolysis on different substrate of silicon and glass slides (25mm ×25mm) substrate at temperature (Ts) of 300 ±10oC . The thickness of thin films is 500 ±20nm. The morphology of the prepared film showed asmooth formationwith small grain sizes overall the entire surface.This indicates that the formation of crystalline compounds. The optical characteristics of thin film have been investigated by UV-VIS spectrophotometer in the wavelength range (300 -1000nm ) . The film has a direct allows electronic transition with the optical energy gap ( Eg ) of 2.9 eV . The broadening of the band gap energy occurs with the decrease in the crystallite size. The papered film revealed a good light trapping of wide wavelength spectrum. This means the film is promising in optoelectronic applications. The electrical properties were investigated using Hall measurements techniques; the result provides an evidence of p-type .

تم تحضير غشاء من Cu0.5In0.5S2 بطريقة التحلل الكيميائي الحراري على قواعد من الزجاج وبأبعاد 25 x 25 ملم , وبحرارة سطح 350 ± 10 درجة سليزية . تم قياس سمك النماذج وقد وجد ان السمك 500 ± 20 نانو متر. اظهرت دراسة السطح ان الأفلام المحضرة كانت صقيله وبأحجام متباينة وموزعة على معظم السطح . تم دراسة الخواص البصرية باستخدام الــ UV –VIS بمدى طول موجي من 300-1000 نانو متر . امتلك الغشاء المحضر انتقالات الكترونية مسموحة بفجوة طاقة 2.9 eV).). ان هذا التعريض في قيمة فجوة الطاقة هو دالة للنقصان في أ لحجم الحبيبي . اظهر الغشاء المحضر مراكز اقتناص جيد لمدى طول موجي عريض مما يعني ان هذا الغشاء هو ممكن استخدامه في تطبيقات الكهرو بصرية مثل الخلايا الشمسية . اظهرت نتائج القياسات الكهربائية ان الغشاء من النوع P-type

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2017 (1)

2013 (1)

2012 (2)

2011 (1)