نتائج البحث : يوجد 3

قائمة 1 - 3 من 3
فرز

مقالة
Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching
دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

المؤلف: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 السنة: 2016 المجلد: 57 الاصدار: 3A الصفحات: 1707-1714
الجامعة: Baghdad University جامعة بغداد - جامعة بغداد

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب.

الكلمات المفتاحية

: Photoluminescence --- Porous Silicon --- Electrochemical Etching


مقالة
STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF NANOCRYSTALLINE Zn0.5Cd0.5S/CdS THIN FILMS FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
الخصائــص التركيبيـة والبصريـة لأغشيــة Zn0.5Cd0.5S/CdS ذات التراكــيب النانــويــة للتطبيقات الكهروضوئية

المؤلف: JAMAL FADHIL MOHAMMAD جمال فاضل محمد
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Univesity of Thi-Qar Journal مجلة جامعة ذي قار العلمية ISSN: 66291818 السنة: 2016 المجلد: 11 الاصدار: 4 الصفحات: 1-13
الجامعة: Thi-Qar University جامعة ذي قار - جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present work, structural and optical properties of nanocrystalline Zn0.5Cd0.5S, CdS and Zn0.5Cd0.5S / CdS thin films have been investigated in order to use as window layer for photovoltaic application. Nanocrystalline Zn0.5Cd0.5S and CdS films have been deposited on glass substrates using chemical bath deposition technique (CBD). The atomic force microscopy (AFM) images showed that the prepared nanocrystalline thin films are homogeneous and have nano size structures. XRD analysis showed that, the films have polycrystalline structure with (002) orientation. From the optical properties results, the films have high transmittance ( 70 %). The band gap is found to be higher as comparison with the bulk of the same films indicating blue shift with respect to the bulk value as a result of quantum size effect. The electrical properties results show that the resistivity of CdS, Zn0.5Cd0.5S and Zn0.5 Cd0.5S / CdS was (3.50×102, 3.43×103 and 3.18×102 Ω cm ) respectively

في هذا البحث، تمت دراسة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية Zn0.5Cd0.5S و CdS و Zn0.5Cd0.5S /CdS ذات التراكيب النانوية لغرض استخدامها كنافذة في التطبيقات الكهروضوئية حيث تم ترسيبها على ارضيات زجاجية باستخدام تقنية الحوض الكيميائي. أوضحت صور مجهر القوة الذرية للعينات المحضرة أن الأغشية متجانسة وذات تراكيب نانوية، فحوصات حيود الاشعة السينية بينت ان الأغشية المحضرة متعددة التبلور وذات اتجاه سائد (200). من خلال نتائج الخصائص البصرية فأن الأغشية ذات نفاذية بصرية اكبر من 70 % وان فجوة الطاقة البصرية للأغشية النانوية ذات قيمة اعلى مقارنة مع فجوة الطاقة البصرية للحالة المحسوسة (Bulk) نتيجة لتأثيرات التقييد الكمي. اما نتائج الخصائص الكهربائية فقد بينت ان المقاومية لأغشية CdS، Zn0.5Cd0.5S و ZnxCd1-xS / CdS كانت 3.50×102 ، 3.43×103 و 3.18×102 أوم سم على الترتيب.


مقالة
Nanocrystalline Lead Sulphide Thin Films Deposited by Chemical Bath Deposition Technique
أغشية كبريتيد الرصاص النانوية التركيب المحضرة بتقنية الحوض الكيميائي

المؤلف: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 السنة: 2017 المجلد: 13 الاصدار: 2 - part 1 الصفحات: 1-13
الجامعة: Diyala University جامعة ديالى - جامعة ديالى

Loading...
Loading...
الخلاصة

In the present paper, nanocrystalline lead sulphide (PbS) thin films were prepared by a chemical bath deposition (CBD) technique onto glass substrates using the mixed aqueous solutions of lead acetate, thiourea and ammonia. The structure of the films was studied by X-ray diffraction. XRD studies show that the preferential orientation is (200). The optical properties were carried out from spectroscopy measurements in the wavelength range 300-1100 nm. The optical band gap of the prepared films was found to be higher as compared with respect to the bulk value (0.4 eV) due to quantum size effect with shift toward shorter wavelengths.

في هذا البحث، تم تحضير أغشية كبريتيد الرصاص البلورية النانوية بتقنية الحوض الكيميائي على أرضيات زجاجية، وباستخدام مزيج سائل من خلات الرصاص، الثايوريا والأمونيا. الخصائص التركيبية للأغشية المحضرة تم دراستها من خلال فحوصات حيود الاشعة السينية. حيث اوضحت القياسات ان الاتجاه السائد للأغشية المحضرة هو (200). الخصائص البصرية تم دراستها باستخدام جهاز دراسة الطيف البصري للمنطقة الطيفية المرئية وفوق البنفسجية حيث وجد ان فجوة الطاقة البصرية للأغشية المحضرة ذات قيمة اعلى من قيمة فجوة الطاقة البصرية للأغشية عندما تكون في الحالة المحسوسة (Bulk) نتيجة التقييد الكمي مع ازاحة تجاه الاطوال الموجية القصيرة.

قائمة 1 - 3 من 3
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (3)


اللغة

English (3)


السنة
من الى Submit

2017 (1)

2016 (2)