research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Sensitivity of Ce doped CuO for NO2 gas
تحسسية أوكسيد النحاس المطعم بالسيريوم لغاز ثاني أوكسيد النتروجين (NO2)

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Jobair A. Najim جبير عبدالله نجم --- Aws M. Rakea أوس موفق راكع
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 35 Pages: 64-74
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work the structural, optical and sensitive properties of Cerium - Copper oxide thin film prepared on silicon and glass substrate by the spray pyrolysis technique at a temperature of (200, 250, 300 °C). The results of (XRD) showed that all the prepared films were of a polycrystalline installation and monoclinic crystal structure with a preferable directions was (111) of CuO. Optical characteristics observed that the absorption coefficient has values for all the prepared CuO: Ce% (104 cm-1) in the visible spectrum, indicating that all the thin films prepared have a direct energy gap. Been fabrication of gas sensors of (CuO: Ce %) within optimum preparation conditions and study sensitivity properties were examined her exposed to nitrogen dioxide (NO2) with concentration ratio of 3 %, at operating temperatures (R.T, 200 and 300 °C). It is found that the maximum sensitivity at concentration value (Ce=50 %) which it is equal to (39.15 %) at operating temperature (300 °C).

تم في هذا البحث مناقشة الخصائص التركيبية، البصرية والتحسسية لأغشية أوكسيد السيريوم - أوكسيد النحاس الرقيقة المرسبة على قواعد من السليكون والزجاج بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري في درجات حرارة مختلفة ( ̊C300 ،250 ،200) وأظهرت نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب متعدد التبلور (polycrystalline) أحادية الميل (monoclinic) وان الاتجاه المفضل هو (111). ولوحظ من الخصائص البصرية ان قيمة معامل الامتصاص لجميع اغشية (CuO:Ce) هي (104 cm-1) في منطقة الطيف المرئي وهذا يعني ان جميع الاغشية الرقيقة المحضرة تمتلك فجوة طاقة مباشرة. تم تصنيع خلية متحسس غاز من اغشية (CuO:Ce) ضمن ظروف التحضير المثلى وتم دراسة الخواص التحسسية لها بتعريضها لغاز ثاني اوكسيد النتروجين ((NO2 بنسبة 3 %، و ان افضل درجة حرارة تشغيل للمتحسس هي 300 °C) و(200 . وجد ان اعظم قيمة للحساسية عند نسبة اضافة (Ce=50%) والتي تساوي (39.15%) عند درجة حرارة (300 °C).


Article
Structural and Optical Properties of Ce-Cupric Oxide Thin Films
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية اوكسيد السيريوم-النحاس الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

This work focuses discusses the structural and optical properties of Cerium- Cupric oxide thin film prepared on silicon and glass substrate by the spray pyrolysis technique at a temperature of 200,250,300 ̊C. The results of (XRD) tests showed that all the prepared films were of a polycrystalline installation and monoclinic crystal structure with a preferable direction was (11-1) of CuO. Morphology analysis studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals that the grain size of the prepared thin film is approximately (64.69-101.26)nm , with a surface roughness of (0.238– 0.544) nm as well as root mean square of (0.280-0.636)nm for CuO Ce-doping, Optical characteristics were studied by UV/VIS Spectrophotometer at (300- 1100 nm) and observed that the transmission value was more than 80 % at the visible wavelength range. The direct energy gap (Eg) ranged between (1.70-3.00) eV at temperature 200 ̊C and then the values of the energy gap decreases with increasing temperature of substrate when, is measured by UV/VIS.

تم في هذا البحث مناقشة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد السيريوم- أوكسيد النحاس الرقيقة المرسبة على قواعد من السيليكون والزجاج بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري في درجات حرارة مختلفة ̊ C300،250، 200، وأظهرت نتائج حيود الاشعة السينية (XRD) أن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب متعدد التبلور (polycrystalline) أحادية الميل (monoclinic) وان الاتجاه المفضل هو (11-1). درست طبوغرافية السطح من خلال مجهر القوة الذرية (AFM) وقد تبين أن الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة حوالي(64.69-101.26)nm ، مع خشونة السطح(0.238– 0.544) nm وكذلك متوسط الجذر التربيعي (RMS)(0.280-0.636)nm لأغشية أوكسيد النحاس- سيريوم الرقيقة المحضرة، وقد تمت دراسة الخصائص البصرية بواسطة ﻣﻄﯿﺎف اﻟﻨﻔﺎذﯾﺔ ﻟﻼﺷﻌﺔ اﻟﻤﺮﺋﯿﺔ –ﻓﻮق اﻟﺒﻨﻔﺴﺠﯿﺔ (UV-VIS)عند طول موجي ,(300 - 1100 nm) ولوحظ أن قيمة النفاذية كانت أكثر من 80% في نطاق الطول الموجي المرئي وان فجوة الطاقة المباشرة تمتلك قيم متدرجة بين (1.70-3.00) eV عند درجة حرارة C 200 ̊، ثم تنخفض قيم فجوة الطاقة مع زيادة درجة حرارة القاعدة.


Article
Study the Surface topography and electrical properties of GaAs:In / c-Si Composite Thin Films
دراسة طوبوغرافية السطح والخصائص الكهربائية لأغشية المركب GaAs:In/c-Si

Loading...
Loading...
Abstract

Gallium arsenide undoped and doped thin films with 5% Indium and thick of 500 nm by flash evaporative technology on glass substrate and silicon wafers at room temperature at 10-2 mbar pressure with deposition rate of 9.25Å/s. These films were annealed at (373 and 473) K for one hour. The images of the atomic force microscopy of the films deposited on glass substrates showed that the rate of surface roughness increased at the temperature of (373)K while it was reduced at (473)K. It was also observed that the average grain size increased with the increasing in the annealing temperature. The electrical properties showed that the prepared films had an electrical conductivity of 2.05×10-3(Ω.cm)-1and that the annealing led to a decrease in the values of the electrical conductivity while there was an increase in the values of the mobility by increasing the temperature of annealing. A study of Hall's effect showed that all the prepared films have a positive type (p-type) and that the concentration of charge carriers (nH) decreased by increasing the annealing temperature and Hall's mobility (µH) increased by increasing the annealing temperature. The voltage of the open circuit (Voc) increases with the increase in the temperature of the alternation due to the increase of the short circuit current Isc. The value of the FF and the efficiency of the solar cell (η) increases with the increase of the temperature of the intercellular hybrid.

تم تحضير أغشيــــة الكاليوم أرسنايد النقية والمشوبة بالانديوم بنسبة %5 من عنصر الانديـــــومبسمك 500 (nm) بتقنية التبخير الوميضي على أرضيات من الزجاج ورقائق السليكون بدرجة حرارة الغرفـة وضغط فراغي 10-2mbar بمعدل ترسيب 9.25Å/s ثم لدنت الأغشية بدرجات حرارة 373)K،473) لمدة ساعة واحدة.أظهر تصور مجهر القوى الذرية للأغشية المرّسبة على ارضيات من الزجاج أن معدل خشونة السطح ازداد عند التلدين بدرجة حرارة ((373K بينم اقل عند التلدين بدرجة حرارة(473 K) كما لوحظ أن متوسط حجم الحبيبي يزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين. أظهرت الخواص الكهربائية ان الأغشية المحضرة تمتلك توصيلية كهربائية بمقدار .05×10-3(.cm)-1 2 وان التلدين أدى الى انخفاض في قيم التوصيلية الكهربائية بينما كانت هناك زيادة في قيم التحركية بزيادة درجة حرارة التلدين. تبين من دراسة تأثير هول أن جميع الاغشية المحضرة هي من النوع الموجب (p-type) وان تركيز حاملات الشحنة (nH) يقل بزيادة درجة حرارة التلدين وتحركية هول (µH) تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين. ان فولتية الدائرة المفتوحة (Voc) تزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين ويرجع ذلك إلى زيادة تيار الدائرة القصيرة Isc كما إن قيمة عامل المليء (FF) وكفاءة الخلية الشمسية (η) تزداد بشكل عام مع زيادة درجة حرارة التلدين للمفرق الهجين.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (2)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2018 (2)

2017 (1)