research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
"Deposition of Colloidal Titanium Oxide Nanoparticles using Pulsed Nd: YAG Laser Ablation in Liquid to Increase the Efficiency of the Si Solar Cell"

Authors: Amenah Ali Salman --- Hiba S. Tarik --- Khaled Z. Yahea
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2014 Volume: 17 Issue: 1 Pages: 103-108
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

This work reports the attempts to carry out pulsed laser ablation in liquid (PLAL) for synthesizing colloidal Titanium dioxide nanoparticles (NPs). TiO2 NPs was synthesized by 7ns Nd:YAG laser ablation of high purity titanium target (99.99 %) immersed in water ,and deposited the film on silicon solar cell to increase the efficiency of the Si solar cell . The surface morphology of the deposits materials have been studied by using atomic force microscopes (AFM). Atomic Force Microscopy(AFM) analysis showed that the average grain size of TiO2NPsinwater were 150 nm and rms roughness values are (2.27 nm) for TiO2 thin film. The photovoltaic characteristics before and after deposited Titanium dioxide nanoparticles (NPs) included short circuit current (Jsc),open circuit voltage (Voc), where the maximum (Jsc), (Voc)and fill factor (FF) obtained at AM1after deposited were 40.2 (mA cm-2) , 630(mV) and(0.7) respectively. After deposited Titanium dioxide nanoparticles (NPs)increase the efficiency of the Si solar cell13.8 % instead of 10.3% conversion efficiency before the deposited.

يهدف ھذا البحث الى تحضيرمحلول للجسيمات النانوية لاوكسيد التيتانيوم باستخدام طريقة الاستئصال بالليزر النبضي تم تحضير الجسيمات النانوية لاوكسيد التيتانيوم بزمن 7 نانوثانية بواسطة الليزر نوع نيديميوم ياك لهدف من التيتانيوم عالي النقاوة (99.99 %) مغطس بالماء, ثم ترسيب غشاء اوكسيد التيتانيوم النانوي على سطح خلية شمسية سليكونية وذلك لزيادة كفاءتها. تم دراسة طبيعة السطح لجسيمات الاوكسيد النانوية باستخدام مجهر القوى الذرية حيث بينت تحاليل مجهر القوى الذريةAFM )) ان معدل الحجم الحبيبي لجسيمات الاوكسيد المستئصلة بالماء هي 150 نانو متر وبلغت قيمة خشونة السطح لغشاء اوكسيد التيتانيوم 2.27 نانو متر. درست الخواص الفولطائية للخلية قبل وبعد ترسيب جسيمات اوكسيدالتيتانيوم النانوية المتمثلة بتيار دائرة القصر (Jsc), وفولتية الدائرة المفتوحة (Voc), بالاضافة لعامل الملئ(FF) لحالة AM1 حيث بلغت قيمتهم بعد الترسيب 40.2 (mA cm-2), 630(mV),و 0.7 على التوالي. لقد ازدادت قيمة كفاءة الخلية الشمسية الى 13.8 % بدلا" من 10.3 % بعد ترسيب غشاء اوكسيد التيتانيوم النانوي.


Article
Preparation and characterization of PLD deposited Indium Selenide thin film
تحضير ودراسة خواص غشاء من انديوم سيلنيد بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Khaled Z. Yahea --- Amar H. Jareeze --- Heba Salam Tariq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 264-270
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Indium Selenide films were deposited by pulsed laser deposition (PLD) with a Nd-YAG laser under vacuum condition. During the deposition, the substrates were kept at room temperature. The typical thicknesses of films were 200nm, 800 nm. The films were analyzed by X-ray diffraction for the crystallographic, the surface morphology of the film were investigated by AFM. It has been observed that grain growth depend on film thickness. The optical properties were characterized in the ultraviolet–visible region employing optical transmission, absorption, band gap. The direct optical band gap value for the films was found to be of the order of (2.2, 2.1) eV for thickness (200,800) nm respectively at room temperature.

تم تحضير اغشية من انديوم سيلنيد بطريقة الترسيب بالليزر النبضي بليزر نيديموم-ياك تحت الضغط الجوي تم الحفاظ على حرارة القاعدة المرسبة عليها في درجة حرارة الغرفة. كان سمك الغشية المحضرة 200نانومتر و 800 نانومتر تم دراسة خاصية التبلور باستخدام حيود الاشعة السينية . تم دراسة تضاريس السطح بواسطة مجهر القوى الذرية وتم ملاحظة الحجم الحبيبي يعتمد على سمك الغشاء المحضر اما الخواص البصرية النفاذية والامتصاصية وفجوة الطاقة تم دراستها بالمنطقة المرئية والفوق البنفسجية ووجد ان فجوة الطاقة تساوي 2.2,2.1 لسمك الاغشية 200 نانومتر و800 نانومتر على التوالي بدرجة حرارة الغرفة .


Article
Fabrication and study detector work in the visible region prepared by thermal evaporation
تصنیع كاشف یعمل في المنطقة المرئیة من الطیف مصنع بطریقة التبخیر الحراري بالفراغ

Authors: Khaled Z. Yahea خالد زكریا یحیى --- Amna ali Slman أمنة علي سلمان --- Hiba S. Tarik ھبة سلام طارق
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2012 Volume: 8 Issue: 3 - part 1 Pages: 226-272
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

In the present paper silicon p-n junction detector of 600 ± 25 nm peak response has been characterized. This peak was obtained by depositing high purity Pt metal thin film onto sensitive side of the p-n junction (donor-side), this film reduce the responsivety in the near-IR region (800-1100) nm and lead to peak response at 600 nm. The white light photovoltaic characteristics, spectral responsivity, and quantum efficiency are greatly depended on photon transmittion of Pt film .Experimental results showed that the detector responsivity in the nearIR region was reduced to about 18.5% from its initial value after depositing 50 nm Pt film.

في ھذا البحث، تم تصنیع ودراسة خصائص كاشف سیلیكوني نوع ثنائي الوصلة یمتلك قمة استجابة عند المنطقة المرشیة800-1100 ) من خلال ترسیب )nm 600 ) وجرى تقلیل استجابة الكاشف عند المنطقة تحت الحمراء القریبة ± 25 nm) غشاء رقیق من معدن البلاتین عالي النقاوة على المنطقة الحساسة (المنطقة المانحة) للضوء للكاشف السلیكوني. إن نتائج كل من الفولتیة للضوء الأبیض، الاستجابة الطیفیة ، والكفاءة الكمیة تعتمد بشكل كبیر على ظاھرة النفاذیة لغشاء البلاتین.لقد أوضحت النتائج العلمیة إن استجابة الكاشف للمنطقة تحت الحمراء القریبة قد انخفضت إلى % 18.5 من قیمتھا الأصلیة.50 nm بعد إجراء ترسیب غشاء البلاتین و بسمك

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2014 (2)

2012 (1)