research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Effect of Sputtering pressure and partial pressure on Structural Properties of TiO2thin Films
تاثير ضغط الترذيذ والضغط الجزيئي على الخصائص التركيبية لأغشية ثنائي اوكسيد التيتانيوم المحضرة باستخدام الترذيذ بالتيار المستمر

Authors: Mahdya A.Yeser مهدية احمد يسر --- Raaed S.Atea رائد ستار عطية
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2013 Volume: 5 Issue: 2 Pages: 15-20
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Effect of sputtering pressure and partial pressure on structural properties of TiO2 films prepared using DC-sputtering to glass substrate was investigated. sputtering pressures are changed (1.8,2.8,3.8,4.3 pa) at constant O2 /Ar Ratio(5%). Measurements reveal that the TiO2 films at the sputtering pressure 1.8 pa is amorphous , while at increasing pressure to 2.8 pa becomes crystalline with Rutile phase (110) and when we increase the pressure to 4.3 pa get crystalline structure with anatas phase ( 101) .Grain size is calculated per crystalline structure of the anatas and rutile (15.7) nm and(14.2) nm respectively. For constant sputtering pressure (2.8pa) and changedO2/Ar Ratio(10% ,15% ,20% ,25% ,30% , 35%),TiO2 thin films are a amorphous, except percentage (25%) is crystalline with anatas phase (101) and with grain size (15.7 nm).

تم في هذا البحث دراسة تاثير كل من ضغط الترذيذ والضغط الجزيئي على الخصائص التركيبة لاغشية ثنائياوكسيد االتيتانيوم المحضرة باستخدام منظومة الترذيذ بالتيار المستمر على ارضيات زجاجية . الخطوة الاولىفي البحث تم تثبيت الضغط بتثبيت الضغط الجزيئي للاوكسجين عند النسبة 5%) ( وتغير ضغط غاز الترذيذ( 1.8,2.8,3.8,4.3pa ( وثانيا تم تثبيت ضغط الترذيذ عند الضغط ) 2.8 pa ( وتغير الضغط الجزيئيللاوكسجين (10%,15%,20%,25%,30%,35% ) . من قياسات حيود الاشعة السينية تبين ان الاشعة عندالضغط ) 1.8 pa ( عشوائية التركيب ولكن عند الضغط ) 2.8 pa ( تصبح بلورية التركيب وبطور الروتيلوبزيادة الضغط اكثر تصبح الاغشية وبالتحديد الضغط ) 4.3 pa ( بلورية التركيب وبطور الاناتاس وبتوجيهية( 101 ) , بينما عند تثبيت النسبة وزيادة الضغط سوف نحصل على تركيب بلوري وبطور الاناتاس وبتوجيهة( 101 ( عند النسبة .25%قمنا بحساب الحجم الحبيبي للاغشية المحضرة كدالة لكل من ضغط الترذيذ مرة والضغط الجزيئي مرة اخرى


Article
The Sputtering Field Calculation For Assumption plasma System By Fluid Dynamic Model
حساب منتوج الترذيذ لمنظومة بلازما افتراضية باستعمال أنموذج ديناميكية المائع

Loading...
Loading...
Abstract

The present study was undertaken to calculate sputtering yield by designing theoretical system which included crystalline silicon as a target material(3 cm radius) and Argon as bomber ion, which be present 4 cm distance from the substrate.For this purpose, many programs were design in Visual basic, where the program was planned to compute the electronic stopping power , the nuclear stopping power and sputtering yield as a function of energy of bombing ion . The results of present theoretical study were revealed compatible with those practical published results as well as the program was run out for other bomber ions like Neon, Helium, Krypton, and Xenon. Each ion pointed out different sputtering yield which ejective increasing depending on the mass of bomber ion.

إن الهدف من الدراسة الحالية هو حساب منتوج الترذيذ وذلك بواسطة تصميم منظومة افتراضية تضمنت السليكونالبلوري كمادة هدف)نصف قطرها 3سم (، والآركون كأيونات قاصفة وضعت المادة الهدف على بعد 4 سم من أرضيةلحساب قدرة الإيقاف الإلكترونية و قدرة الإيقاف النووية و منتوج الترذيذ Visual basic الترسيب .أعدت برامج بلغةكدالة لطاقة الايون القاصف .تشير نتائج الدراسة النظرية الحالية إلى توافق مع العديد من الدراسات العملية المنشورة، وقدنفذت هذه البرامج على أيونات قاصفة أخرى مثل النيون، الهليوم، الكربتون، والزنون إذ أظهرت منحنيات منتوج الترذيذنتائج مختلفة لكل أيون اعتماداً على كتلة الايون القاصف الذي يزداد منتوج الترذيذ بزيادتها

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2013 (1)

2009 (1)