research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
The effect of current density on the structures andphotoluminescence of n-type porous silicon
تاثير كثافة التيارعلى الخصاﺋص التركيبية وطيف اللمعان الضوﺋﻲ للسيليكون المسامي من النوع n

Authors: Nada K. Abbas ندى خضير عباس --- Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Manal A. Saleh منال علي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 34 Pages: 15-28
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers were formed on n-type silicon (Si) wafers using Photo- electrochemical Etching technique (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). The effects of current density were investigated at: (10, 20, 30,40, and50) mA/cm2with etching time: 10min. X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon. The maximumcrystal size of Porous Silicon is(33.9nm) and minimum is (2.6nm) The Atomic force microscopy (AFM) analysis andField Emission Scanning Electron Microscope (FESEM) were used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased and FESEM showed that a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform porous silicon. The chemical bonding and structure were investigated by using Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). The band gap of the samples obtained from photoluminescence (PL). These results showed that the band gap of porous silicon increase with increasing porosity.

ﺗﻢ ﺗﺸﻜﯿﻞ طﺒﻘﺎت اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ ﻋﻠﻰ ﺷﺮاﺋﺢ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن ﻧﻮعn وذو اتجاهية (111) ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام طﺮﯾﻘﺔ اﻟﻘﺸﻂ اﻟﻜﮭﺮوﻛﯿﻤﯿﺎئي ودراسة ﺗﺄﺛﯿﺮ أﺧﺘﻼف كثافة التيار (mA 10,20,30,40 and 50)ﻋﻠﻰ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺘﺮﻛﯿﺒﯿﺔ واﻟﺒﺼﺮﯾﮫ ﻟﻠﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ وثبوت زمن القشط (10 ثواني). لقد اوضحت نتاﺋج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري حيث كان اعلى حجم بلوري nm 33.9 واقل حجم بلوري 2.6 nm تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية AFM ودراسة طﺒﻮﻏﺮاﻓﯿﺔ السطح ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام اﻟﻤﺠﮭﺮ اﻟﻤﺎﺳﺢ اﻷﻟﻜﺘﺮوﻧﻲFESEMحيث اوضحت نتائج AFMانمقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونة السطح والحجم الحبيبي لسطح السيليكون المسامي قد يقل مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتآصر الكيميائي للسيليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية .FTIR اظهرت دراﺳﺔ طﯿﻒاﻟﻠﻤﻌﺎن اﻟﻀﻮﺋﻲ للسيليكون اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ بان فجوة الطاقة للسيلكون المسامي تزداد بزيادة المسامية.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2017 (1)