research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Responsivity, Rise Time for Bi2O3 /Si Photo Detector
الاستجابية وزمن النهوض لكاشف ضوئي Bi2O3/Si

Authors: Evan Tariq Al Waisy --- Marwa S. Al Wazny
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 33-38
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, three different active layer thicknesses of Bi2O3 filmswas employ for fabricated n-Bi2O3/p-Si heterojunction detector, using reactive pulse laser deposition technique as preparation method, detector parameter was carried out,responsivity, detectivity quantum efficiency and rise time in order to investigated the performance of the fabricated devise

في هذا البحث, تم تحضير ثلاث اغشية باسماك مختلفة من اوكسيد البزموث والتي استخدمت لاحقا في تصنيع كاشف من نوع مفرق هجين ذو تركيب n-Bi2O3/p-Si, باستخدام تقنية الاقتلاع بالليزر النبضي الفعالة كوسيلة ترسيب تم دراسة معلمات الكاشف كلاستجابية, الكشفية, الكفاءة الكمية وزمن الاستجابة لكي يتم التحقق من اداء الكاشف المصنع.


Article
Synthesis of Bi and Bi2O3 Polymorphous Structure Using RPLD Method
تحضير البزموث واوكسيد البزموث عشوائي التركيب بطريقة الاقتلاع باليزر النبضي الفعالة

Authors: Evan tariq Al Waisy --- Marwa S. Al Wazny
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 666-673
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, Bismuth and Bismuth trioxide thin films were prepared using reactive pulse laser deposition technique. Different laser fluence was employed ranged from (1.8 J/cm2- 9.8 J/cm2) to investigatedthe physical properties. X –Ray diffraction result show a structure for the prepared films with monoclinic, tetragonal, and nonstoichiometric phases beside bismuth, while the atomic force microscopic result show grain size ranged from (33.48nm -131.6 nm) with different laser fluence. Optical properties result gave an energy gap value in the range of bismuth oxide (1.2-2.9 eV).

في العمل الحالي, تم تحضير اغشية رقيقة لمادة البزموث والبزموث وأوكسيد البزموث باستخدام تقنية الاقتلاع باستخدام الليزر النبضي الفعالة. شدة طاقات ليزر مختلفة بمدى (1.8 J/cm2 - 9.8 J/cm2)ليتم تقصي الخصائص الفيزيائية. نتائج فحص حيود الاشعة السينية اظهرت تركيب متعدد التبلور للاغشية المحضرة بوجود اطوار β, α مع الاطوار الانتقالية مع وجود اثر لمعدن البزموث, بينما اظهرت نتائج فحص مجهر القوة الذرية حجم حبيبي يتراوح بين (33.48nm -131.6 nm) عند شدة طاقات ليزر مختلفة . اما نتائج الخصائص البصرية فأعطت فجوة طاقة بمدى (1. 2 -2.9 eV).

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2014 (2)