research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Resonance Tunneling Through GaN/AlGaN Superlattice System
التنفق الرنيني لنظام الشبيكة الفائقة GaN/AlGaN

Authors: Moafak C. Abdulrida موفق كاظم عبد الرضا --- Auday H. Shaban عدي حاتم شعبان --- Ridha H. Risan رضا حزام رسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 63-68
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The purpose of our work is to report a theoretical study of electrons tunneling through semiconductor superlattice (SSL). The (SSL) that we have considered is (GaN/AlGaN) system within the energy range of ε < Vo, ε = Vo and ε > Vo, where Vo is the potential barrier height. The transmission coefficient (TN) was determined using the transfer matrix method. The resonant energies are obtained from the T (E) relation. From such system, we obtained two allowed quasi-levels energy bands for ε < VO and one band for ε  VO.

الهدف من هذا العمل هو تقديم دراسة نظرية للتنفق الالكتروني في الشبائك الفائقة لاشباه الموصلات . ان الشبيكة الفائقة التي أخذت بنظر الإعتبار هي منظومة (GaN/AlGaN) ضمن المدى الطاقي ε < Vo و ε = Vo و ε > Vo حيث Vo تمثل ارتفاع حاجز الجهد داخل المنظومة. تم حساب معامل الانتقال (TN) باستخدام نظرية مصفوفة الانتقال. و تم الحصول على الطاقات الرنينية من علاقة (TN). ومن هكذا نظام فقد حصلنا على حزم طاقة المستويات المؤقتة المسموحة لحالة ε < VO وحزمة واحدة لـ ε  VO .

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2009 (1)