research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Laser Densification of Prepared SiO2 Sol-Gel Thin Films
التكثيف بالليزر لأغشية ثنائي اوكسيد السيليكون الرقيقة المحضرة بطريقة (Sol-Gel)

Authors: Noor M. Abdulmalek نور محمد عبدالملك --- Mohamed K. Dhahir محمد كريم ظاهر
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2018 Volume: 15 Issue: 2 Pages: 234-237
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

SiO2 nanostructure is synthesized by the Sol-Gel method and thin films are prepared using dip coating technique. The effect of laser densification is studied. X-ray Diffraction (XRD), Fourier Transformation Infrared Spectrometer (FTIR), and Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) are used to analyze the samples. The results show that the silica nanoparticles are successfully synthesized by the sol-gel method after laser densification. XRD patterns show that cristobalite structure is observed from diode laser (410 nm) rather than diode laser (532 nm). FESEM images showed that the shape of nano silica is spherical and the particles size is in nano range (≤ 100 nm). It is concluded that the spherical nanocrystal structure of silica thin films is successfully densified by Doide laser (410 nm).

تم تحضير مركب ثنائي اوكسيد السيليكون النانوي بطريقة (sol-gel) وتم تحضير اغشية رقيقة منه بتقانة الطلاء الإنغماسي. دُرس تأثير التكثيف بالليزر. تم فحص العينات المُحضّرة وتحليلها بالطرق الاتية:- الحيود بأشعة X , مطياف تحويلات فورير بالمنطقة تحت الحمراء, والميكروسكوب الالكتروني الماسح. اظهرت النتائج بإن مركبات السيليكا النانوية كانت مُحضّرة بنجاح بطريقة (sol-gel) بعد عملية التكثيف بالليزر. بينت فحوصات XRD بإن تركيب الكرستوبالايت ظهر عند استخدام ليزر الدايود (410 nm) فضلاَ عن ليزر الدايود ( 532 nm). الصور المأخوذة بالمايكروسكوب الالكتروني الماسح اظهرت بإن شكل المركب النانوي كان كرويا وحجومه (≤ 100 نانومتر). تم الاستنتاج بإن التركيب البلوري النانوي الكروي لاغشية السيليكا الرقيقة كُثفت بنجاح بواسطة ليزر الدايود (410nm).


Article
Investigation of Densified SiO2 Sol-Gel Thin Films Using Conventional and DPSS Laser Techniques
التحقق من تصليب غشاء رقيق لمادة SiO2 sol-gel باستخدام التقنيات الاعتيادية وتقنية ليزر الحالة الصلبة المضخ بليزر الثنائي DPSS Laser

Authors: Noor M. Abdulmalek نور محمد عبدالملك --- Mohamed K. Dhahir محمد كريم ظاهر
Journal: Iraqi Journal of Laser المجلة العراقية لليزر ISSN: 18121195 Year: 2018 Volume: 17 Issue: A Pages: 41-45
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: The prepared nanostructure SiO2 thin films were densified by two techniques (conventional and Diode Pumped Solid State Laser (DPSS) (532 nm). X-ray diffraction (XRD), Field Emission Scanning electron microscopy (FESEM), and Atomic Force Microscope (AFM) technique were used to analyze the samples. XRD results showed that the structure of SiO2 thin films was amorphous for both Oven and Laser densification. FESEM and AFM images revealed that the shape of nano silica is spherical and the particle size is in nano range. The small particle size of SiO2 thin film densified by DPSS Laser was (26 nm) , while the smallest particle size of SiO2 thin film densified by Oven was (111 nm).

الخلاصة : الاغشية الرقيقه المحضَّرة من ثنائي اوكسيد السيليكون ذو البنية النانوية كُثِّفت بتقنية التكثيف الاعتيادي والتكثيف بليزر الدايود (532 nm). . فحصت العينات المُحضّرة بالطرق الاتية:- الحيود بأشعة X , ومجهر القوة الذرية , والميكروسكوب الالكتروني الماسح. اظهرت نتائج الحيود بأشعة X بان تركيب ثنائي اوكسيد السيليكون كان غير متبلور. الصور المأخوذة بمجهر القوة الذرية و بالمايكروسكوب الالكتروني الماسح اظهرت بإن شكل المركب النانوي كان كرويا وحجومه (≤ 100 نانومتر). اصغر جسيمة لثنائي اوكسيد السيليكون المكثف بواسطة الليزر هو (26 nm) بينما اصغر جسيمة لثنائي اوكسيد السيليكون المكثف بواسطة الفرن هو (111 nm).

Keywords

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (2)