research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Etching Rate Enhancement of Porous Silicon Produced by Lasers
تحسین معدل القشط للسلیكون المسامي المنتج باللیزر

Author: Mohammed A. Ibrahem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 4 Pages: 628-633
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Two laser systems work with different operational modes have been used toproduce silicon nanostructure surfaces. Pulsed Nd:YAG laser has been employed toproduce silicon textured surface which containing nano/microstructures. Effects oflaser energies (80 – 200) mj were examined to produce surface of different structures.While Diode laser (532 nm) of fixed power (50 mW) was used in the second stage tomodify the porous structure over the textured surface. The effect of different surfacemorphology on the laser induced etching process was studied using atomic forcemicroscope (AFM) and an image processing program to sketch the surface plot to thesamples depending on the optical microscope photos. The photoluminescence spectrahave been utilized to study the nanocrystallite size distribution in porous silicon, itshows high peak position lies in (2 - 2.1) eV.

تم في بحثنا هذا استخدام ليزرات تعمل بانماط تشغيل مختلفة في تحضير تراكيب نانويةومايكروية على سطح مادة السليكون. عملية تحضير العينات تمت بمرحلتين، الاولى باستخدام ليزرالنيديميوم-ياك النبضي لتكوين اسطح ذات تراكيب مختلفة الاحجام بالاعتماد على اختلاف طاقات200 ) ملي جول. المرحلة الثانية تم فيها استخدام ليزر الدايود بطول موجي 532 - الليزر ( 80نانومتر وقدرة ( 50 ملي واط) ذات نمط التشغيل المستمر لحث التفاعل الكيمياوي واحداث عمليةالتنميش على اسطح مادة السليكون المشععة بالمرحلة الاولى. تمت دراسة تاثير طبوغرافية السطحكذلك تمت دراسة .AFM على كفائة عملية التنميش بالاعتماد على صور المجهر الضوئي وصورخاصية الاستضائة لعينات السليكون المسامي والتي دلت على وجود علاقة لعملية التنميش بطبيعة(2.1- السطح. حيث وجد بان معدل قيمة فجوة الطاقة لتراكيب السليكون النانوية تراوحت بين ( 2الكترون-فولت.


Article
On the non-existence of Complete (k,n)-arcs in PG(2,q)

Author: Mohammed A. Ibrahem
Journal: basrah journal of science البصرة للعلوم ISSN: 18140343 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 1A english Pages: 23-28
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper we discuss the non-existence of complete (k,n)-arcs in the projective plane of orderq, and we find the largest value of k produces according to theorem (3.1), for which a (k,n)-arc dosenot complete in the projective plane of order q "PG(2,q)" for k ≥ n , n ≠ q + 1 , which is denotedby t* (n) q .

Keywords

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2012 (1)

2009 (1)