research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
The influence of CdCl2 layer and annealing process on the structural and electrical properties of CdTe films
تأثير طبقة ثنائي كلوريد الكادميوم وعملية التلدين على الخواص التركيبية و الكهربائية لاغشية الكادميوم تيلورايد

Author: Mohammed A. Razooqi محمد عبد الوهاب رزوقي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 22 Pages: 8-13
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdTefilms have been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate at room temperature. The films thickness was about700±50 nm. Some of these films were annealed at 573 K for different duration times (60, 120 and 180 minutes), and other CdTe films followed by a layer of CdCl2 which has been deposited on them, and then the prepared CdTe films with CdCl2 layer have been annealed for the same conditions. The structures of CdTe films without and with CdCl2 layer have been investigated by X-ray diffraction. The as prepared and annealed films without and with CdCl2 layer were polycrystalline structure with preferred orientation at (111) plane. The better structural properties have been observed in presence of CdCl2 layer. The D.C conductivity for CdTe films with CdCl2 layershowed higher values. The electrical activation energy influenced with increasing duration times of annealing. Hall Effect measurement was indicated that all CdTe films are p-type. The carrier concentration, Hall mobility and the carrier life time wereaffected by increasing duration times of annealing.

تم تحضير اغشية الكادميوم تيلورايد الرقيقة المتعددة التبلور بواسطة تقنية التبخير الحراري على ارضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفة. وكان سمك الاغشية بحدود 700±50 نانومتر. وقد تم تلدين بعض هذه الاغشية بازمنة تلدين مختلفة (60 و120و 180 دقيقة), اما باقي اغشية الكادميوم تيلورايد فقد تم ترسيب طبقة من ثنائي كلوريد الكادميوم عليها, و بعد ذلك تم تلدينها بنفس الفترات الزمنية السابقة. وقد تم فحص التركيب البلوري لاغشية الكادميوم تيلورايد الملدنة و غير الملدنة مع و بدون ثنائي كلوريد الكادميوم بواسطة حيود الاشعة السينية. وكانت جميع الاغشية ذات تركيب متعدد التبلور و اتجاهية مفضلة للمستوي 111. كما ان افضل خواص تركيبية كانت مع وجود طبقة ثنلئي كلوريد الكادميوم. وقد اظهرت اغشية الكادميوم تيلورايد المحضرة بوجود طبقة من ثنائي كلوريد الكادميوم أعلى قيم للتوصيلة المستمرة. وكانت قيم طاقة التنشيط متقلبة مع زيادة الفترة الزمنية للتلدين. أما قياسات تاثير هول فقد أظهرت ان جميع الاغشية هي من النوع القابل. كما وان تركيز الحاملات و تحركية هول و زمن عمر الحامل تتاثر جميعها بزيادة الفترة الزمنية للتلدين.


Article
Design Band Energy diagram of SnO2/CdS-CdTe Thin Film Heterojunction Using I-V and C-V Measurements
رسم مخطط الطاقة للمفرق الهجين للغشاء SnO2/CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار – جهد و سعة – جهد

Authors: Rasha A. Abdullah --- Mohammed. A. Razooqi --- Nada M. Saeed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 607-614
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 µm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide. The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes. The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm. There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt. The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated. The carrier transport mechanism for SnO2/CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling – recombination. The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A. Band energy lineup for SnO2/ n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.

تم تحضير المفرق الهجيني SnO2/CdS-CdTe بتقنية التبخير الفراغي الحراري,واستعمل غشاء من SnO2 ذو التركيب الناوي المحضر بسمك0.05 µm كطبقة شفافة ضد الانعكاسية , ثم تم تلدين المفرق المحضر بدرجة 573 مئوية ولمدة 180 دقيقة. تم فحص تركيب غشاء SnO2 باستخدام المجهر الالكتروني (AFM), وقد تبين بان الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 72 نانومتر, ومن تحليل لنتائج فحوصات حيود الاشعة السينية تبين بالشكل عن وجود قمتين واسعة تشير للمادة المحضرة طبقا للمقاييس الامريكية لفحوصات المواد (ASTM) .تم دراسة قياسات سعة – جهد عند تردد 100 هرتز, و قد اشارت هذه القياسات الى ان تلك المفارق هي من النوع الحاد. و قد وجد ان قيمة السعة عند الانحياز الصفري و جهد البناء الداخلي قد تناقصا بعد عملية التلدين. بينما يزداد عرض منطقة النظوب للانحياز الصفري و تركيز الحاملات مع عملية التلدين. و كانت ميكانيكية انتقال الحاملات للمفرق الهجيني عند الظلام هي أنتفاق-اعادة اتحاد. و كانت قيمة عامل المثالية 1.56 و تيار الاشباع هي 9.6×10-10أمبير. و تم ايضا دراسة مخطط حزمة الطاقة عن طريق قياسات تيار – جهد و سعة – جهد.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2014 (1)

2013 (1)