research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Control the deposition uniformity using ring cathode by DC dischargetechnique
التحكم بانتظام الترسيب باستخدام كاثود حلقيفي تقنية التفريغ الكهربائي للتيار المستمر

Authors: Kadhim A. Aadim كاظم عبدالواحد عادم --- Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 32 Pages: 57-67
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Simulation ofdirect current (DC) discharge plasma using COMSOL Multiphysicssoftware were used to study the uniformity of deposition on anode from DC discharge sputteringusing ring and disc cathodes, then applied it experimentally to make comparison between film thickness distribution with simulation results. Both simulation and experimental results shows that the deposition using copper ring cathode is more uniformity than disc cathode.

تم استخدام برنامج COMSOL Multiphysics لعمل محاكاة لبلازما التفريغ الكهربائي للتيار المستمر لدراسة انتظام الترسيب على الأنود الناتج من عملية الترذيذ بواسطة التفريغ الكهربائي عن طريق استخدام كاثود حلقي واخر دائري, ثم تطبيق ذلك عمليا لعمل مقارنة بين توزيع سمك الغشاء مع نتائج المحاكاة. بينت نتائج المحاكاة والنتائج العملية أن الترسيب باستخدام كاثود حلقي من النحاس أكثر انتظاما من الكاثود الدائري.


Article
Electrical behavior and Optical Properties of Copper oxide thin Films
السلوك الكهربائي والخواص البصرية لأغشية اوكسيد النحاس الرقيقة

Authors: Ahmed S.Ahmed أحمد صالح أحمد --- Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان --- Issam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 638-645
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work the structural, electrical and optical Properties of CuO semiconductor films had been studied, which prepared at three thickness (100, 200 and 500 nm) by spray pyrolysis method at 573K substrate temperatures on glass substrates from 0.2M CuCl2•2H2O dissolved in alcohol. Structural Properties shows that the films have only a polycrystalline CuO phase with preferential orientation in the (111) direction, the dc conductivity shows that all films have two activation energies, Ea1 (0.45-0.66 eV) and Ea2 (0.055-.0185 eV), CuO films have CBH (Correlated Barrier Hopping) mechanism for ac-conductivity. The energy gap between (1.5-1.85 eV).

في هذا البحث تم دراسة الخصائص التركيبية والكهربائية والبصرية لأغشية CuO المحضرة بثلاث اسماك(t=100,200 and 500 nm) بطريقة الرش الكيميائي عند درجة حرارة ارضية 573K على ارضيات من الزجاج من محلول 0.2 مولاري من CuCl2.2H2O مذاب في 50 مليلتر من الكحول.أظهرت الفحوصات التركيبية ان الأغشية المحضرة لها تركيب متعدد التبلور وبدورانية باتجاه (111).اما قياسات التوصيلية المستمرة فتظهر بان الأغشية لها منطقتين لطاقة (Ea1=0.45-(0.66eV ,(Ea2=0.05-0.85eV) . أما نتائج التوصيلية المتناوبة فأظهرت ان الأغشية المحضرة تخضع لنموذج تنطط الحاجز المتلازم (CBH) , أما فجوة الطاقة فكانت تتراوح بين (Eg=1.5-1.85 eV)


Article
Electrochemical deposition of CuInS2 thin films
الترسيب الكهروكيميائي لأغشية CuInS2 الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان --- Salma M.Shaban سلمى مهدي شعبان --- Mahdi H.Suhail مهدي حسن سهيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 24-30
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Chalcopyrite thin films were one-step potentiostatically deposited onto stainless steel plates from aqueous solution containing CuSO4, In2(SO4)3 and Na2S2O3.The ratio of (In3+:Cu2+) which involved in the solution and The effect of cathodic potentials on the structural had been studied. X-ray diffraction (XRD) patterns for deposited films showed that the suitable ratio of (In3+:Cu2+) =6:1, and suitable voltage is -0.90 V versus (Ag/AgCl) reference electrode.

تم في هذا البحث تحضير غشاء رقيق من CuInS2 بواسطة الترسيب الكهربائي على صفائح من الستيلس ستيل من محلول مائي يحتوي على المواد التالية CuSO4, In2(SO4)3 , Na2S2O3. تم دراسة نسبة الايونين(In3+/Cu2+) المناسبة الموضوعة في المحلول وكذلك الجهود المسلطة وتاثيرها على تركيب الغشاء المترسب. حيود الاشعة السينية للاغشية المترسبة اظهرت ان النسبة(In3+:Cu2+) المناسبة =6:1 وان الفولتية المناسبة هي 0.9– V عن قطب (Ag/AgCl) القياسي.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2017 (1)

2011 (2)