research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
The structure and optical properties of organic semiconductor bulk hetrojunction blend (NiPcTs/Alq3) thin films
الخصائص التركيبيه والبصرية لاغشية الخليط المتباين الهجيني NiPcTs)/ِِAlq3) الرقيقة

Authors: Nada K. Abbas ندى خضير عباس --- Ameer F. Abdulameer امير فيصل عبد الامير --- Atyaf H. Kadhum أطياف حسين كاظم
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 33 Pages: 40-48
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of heat treatment on the optical properties of the bulk heterojunction blend nickel (II) phthalocyaninetetrasulfonic acid tetrasodium salt and Tris (8-hydroxyquinolinato) Aluminum (NiPcTs/Alq3) thin films which prepared by spin coating was described in this study. The films coated on a glass substrate with speed of 1500 rpm for 1.5 min and treated with different annealing temperature (373, 423 and 473) K. The samples characterized using UV-Vis, X ray diffraction and Fourier transform Infrared (FTIR) spectra, XRD patterns indicated the presence of amorphous and polycrystalline blend (NiPcTs/Alq3). The results of UV visible shows that the band gap increase with increasing the annealing temperature up to 373 K and decreases with increase the annealing temperature to (423, 473)K respectively.

في هذه الدراسة تم بيان تاثير المعاملة الحرارية على الخصائص التركيبية البصرية لاغشية المتغايير الهجيني(NiPcTs/Alq3),والمحضرة بطريقة الطلاء البرميعلى قواعد زجاجيه بسرعة دوران (1500)دورة خلال 1.5 دقيقة,اجريت المعاملة الحرارية باختلاف درجات الحرارة K(373, 423, 473). درست خصائص العينات باستخدام قياسات الاشعة السينية وUV-Vis وطيف فوربية للاشعة تحت الحمراء FTIR. طيف الاشعه السينية يشير الى خليط من العشوائية والمتعدد التبلور لاغشية المتغايير الهيجيني. نتائج UV-Vis توضح ان فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة الحرارة الى 373K ثم تتناقص مع زيادة درجة الحرارة الى (423,473)Kعلى التوالي.


Article
The effect of current density on the structures andphotoluminescence of n-type porous silicon
تاثير كثافة التيارعلى الخصاﺋص التركيبية وطيف اللمعان الضوﺋﻲ للسيليكون المسامي من النوع n

Authors: Nada K. Abbas ندى خضير عباس --- Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Manal A. Saleh منال علي صالح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 34 Pages: 15-28
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers were formed on n-type silicon (Si) wafers using Photo- electrochemical Etching technique (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). The effects of current density were investigated at: (10, 20, 30,40, and50) mA/cm2with etching time: 10min. X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon. The maximumcrystal size of Porous Silicon is(33.9nm) and minimum is (2.6nm) The Atomic force microscopy (AFM) analysis andField Emission Scanning Electron Microscope (FESEM) were used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased and FESEM showed that a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform porous silicon. The chemical bonding and structure were investigated by using Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). The band gap of the samples obtained from photoluminescence (PL). These results showed that the band gap of porous silicon increase with increasing porosity.

ﺗﻢ ﺗﺸﻜﯿﻞ طﺒﻘﺎت اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ ﻋﻠﻰ ﺷﺮاﺋﺢ اﻟﺴﯿﻠﻜﻮن ﻧﻮعn وذو اتجاهية (111) ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام طﺮﯾﻘﺔ اﻟﻘﺸﻂ اﻟﻜﮭﺮوﻛﯿﻤﯿﺎئي ودراسة ﺗﺄﺛﯿﺮ أﺧﺘﻼف كثافة التيار (mA 10,20,30,40 and 50)ﻋﻠﻰ اﻟﺨﺼﺎﺋﺺ اﻟﺘﺮﻛﯿﺒﯿﺔ واﻟﺒﺼﺮﯾﮫ ﻟﻠﺴﯿﻠﻜﻮن اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ وثبوت زمن القشط (10 ثواني). لقد اوضحت نتاﺋج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري حيث كان اعلى حجم بلوري nm 33.9 واقل حجم بلوري 2.6 nm تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية AFM ودراسة طﺒﻮﻏﺮاﻓﯿﺔ السطح ﺑﺄﺳﺘﺨﺪام اﻟﻤﺠﮭﺮ اﻟﻤﺎﺳﺢ اﻷﻟﻜﺘﺮوﻧﻲFESEMحيث اوضحت نتائج AFMانمقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونة السطح والحجم الحبيبي لسطح السيليكون المسامي قد يقل مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتآصر الكيميائي للسيليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية .FTIR اظهرت دراﺳﺔ طﯿﻒاﻟﻠﻤﻌﺎن اﻟﻀﻮﺋﻲ للسيليكون اﻟﻤﺴﺎﻣﻲ بان فجوة الطاقة للسيلكون المسامي تزداد بزيادة المسامية.


Article
Prepared (PbS) Thin Film Doped with (Cu) and Study Structure Properties
تحضير أغشية (PbS) المطعم بالنحاس (Cu) ودراسةالخواص التركيبية

Authors: Kadhum J. Kadhum كاظم جواد كاظم --- Ramiz A. Al-Anssari رامزاحمد الانصاري --- Nada K. Abbas ندى خضير عباس --- Dawod M. Khudheir داود مجيد خضير
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2008 Volume: 5 Issue: 4 Pages: 522-533
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research PbS and PbS:Cu films were prepered with thicknesses (0.85±0.05)μm and (0.55±0.5)μm deposit on glass and silicon substrate respectively using chemical spray pyrolysis technique with a substrate temperature 573K, from lead nitrate salt, thiourea and copper chloride.Using XRD we study the structure properties for the undoped and doped films with copper .The analysis reveals that the structure of films were cubic polycrystalline FCC with a preferred orientation along (200) plane for the undoped films and 1% doping with copper but the orientation of (111) plane is preferred with 5% doping with the rest new peaks of films and appeared because of doping.Surface topography using optical microscope were be checked, it was found that the doping cause an increase in grain size and enhance the crystalline structure in comparison with the undoped samples. These results were fitted to the X-ray analysis.

تم في هذا البحث تحضير أغشية PbS وأغشية PbS:Cu عند سمك (0.850±0.05)µm و(0.550±0.50)µm المرسبة على قواعد زجاجية وسلكونية على التوالي بطريقة الرش الكيميائي الحراري عند درجة 573K للقاعدة المرسب عليها وحسب الترتيب أعلاه. من أملاح نترات الرصاص، الثايوريا، كلوريد النحاس. باستخدام تقنية حيود الاشعة السينية تم دراسة الخصائص التركيبية للاغشية غير المشوبة والمشوبة بالنحاس. لقد وجد ان تركيب الاغشية كان متعدد البلورات وامتلاكها تركيباً مكعباً متمركز الوجه (F.C.C) مع هيمنة الاتجاه (200) للاغشية غير المشوبة والمشوبة بنسبة 1% من النحاس. اما الاغشية الاخرى فقد هيمن عليها الاتجاه (111) وخاصة عند التشويب بنسبة 5% مع ظهور قمم جديدة بسبب التشويب. درست طوبوغرافية السطح باستخدام المجهر الضوئي لقد وجد ان التشويب قد أدى الى زيادة حجم الحبيبات البلورية وعمل على تحسين التركيب البلوري مقارنة بالعينات غير المشوبة. وكانت النتائج مطابقة مع فحوصات X-Ray.

Keywords


Article
Optical Investigations of CdSe1-x Tex Thin Films
الاستقصاء البصري لاغشيةCdSe1-xTex الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

The alloys of CdSe1-xTex compound have been prepared from their elements successfully with high purity (99.9999%) which mixed stoichiometry ratio (x=0.0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1.0) of (Cd, Se and Te) elements. Films of CdSe1-xTex alloys for different values of composition with thickness(0.5m) have been prepared by thermal evaporation method at cleaned glass substrates which heated at (473K) under very low pressure (4×10-5mbar) at rate of deposition (3A˚/s), after that thin films have been heat treated under low pressure (10-2mbar) at (523K) for two hours.The optical studies revealed that the absorption coefficient (α) is fairly high. It is found that the electronic transitions in the fundamental absorption edge tend to be allowed direct transition. It was also found that the optical energy gap vary non-linearly with composition (x) and have a minimum value at x=0.5 and increases after heat treatment.It is found that the optical constants vary non-linearly with composition, and the behavior inverse at x=0.5, and affected by heat treatment. The behavior of 1 is similar to the behavior of n, while the behavior of 2 is similar to the behavior of k.

تم تحضير سبائك المركب CdSe1-xTex بنجاح من عناصرها الأولية بنقاوة عالية (%99.9999) بخلط نسب العناصر (x = 0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0) من (Cd, Se, Te)، واستخدم تحليل مطياف الامتصاص الذري لمعرفة تركيز العناصر في السبيكة. وكذلك أجريت فحوصات حيود الأشعة السينية ولوحظ أن السبائك تملك تركيباً متعدد البلورات. حضرت أغشية رقيقة من سبائك CdSe1-xTex لقيم مختلفة من التراكيز بسمك (0.5μm) بطريقة التبخير الحراري على قواعد نظيفة من الزجاج المسخن بدرجة حرارة 473K تحت ضغط واطئ جدا (4×10-5mbar) بمعدل تبخير (ِs 3 A) وبعد ذلك تمت معاملة الأغشية حراريا تحت ضغط واطئ (10-2mbar) بدرجة حرارة 523K لمدة ساعتين.من الدراسة البصرية تبين أن قيم معامل الامتصاص (α) عالية بعض الشيء، ووجد ان الانتقالات الإلكترونية عند حافة الامتصاص الأساسية كانت من نوع الانتقال المباشر المسموح، وان فجوة الطاقة البصرية تتغير بشكل غير خطي مع التركيز (x) وتملك أوطأ قيمة لها عند x=0.5، وكذلك وجد أن فجوة الطاقة البصرية تزداد قليلا بعد المعاملة الحرارية.استخدم طيف النفاذية في إيجاد الثوابت البصرية (n, k, ε1, ε2)التي تم حسابها بوساطة طريقة سوانبل (Swanepoel) باستخدام النفاذية العظمى TM والنفاذية الصغرى Tm في تقنية الغلاف.وتبين ان الثوابت البصرية جميعها تتغير بشكل غير خطي مع التركيز وان انقلاب السلوك يكون دائما عند x=0.5، وجد انها تبدي تأثرا بعد معاملة الأغشية حراريا. وكان تصرف الجزء الحقيقي لثابت العزل مشابها لتصرف معامل الانكسار، بينما الجزء الخيالي لثابت العزل كان مماثلا لتصرف معامل الخمود.


Article
Synthesis and Fabrication of In2O3: CdO Nanoparticles for NO2 Gas Sensor
NO2 النانوية لغاز In2O3: CdO تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للجسيمات

Loading...
Loading...
Abstract

The physical and morphological characteristics of porous silicon (PS) synthesized via gas sensor was assessed by electrochemical etching for a Si wafer in diluted HF acid in water (1:4) at different etching times and different currents. The morphology for PS wafers by AFM show that the average pore diameter varies from 48.63 to 72.54 nm with increasing etching time from 5 to 15min and from 72.54 to 51.37nm with increasing current from 10 to 30 mA. From the study, it was found that the gas sensitivity of In2O3: CdO semiconductor, against NO2 gas, directly correlated to the nanoparticles size, and its sensitivity increases with increasing operating temperature.

تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للسليكون المسامي باستخدام عملية الحفر الكهروكيميائية على السليكون باستخدام حامض الهدرفلوريك المخفف في الماء (1: 4) في أوقات حفر مختلفة وتيارات مختلفة. أظهرت فحوصات مجهر القى الذرية لطوبوغرافية السطح أن متوسط قطر المسام يختلف من 48.63 إلى 72.54 نانومتر مع زيادة وقت الحفر من 5 إلى 15 دقيقة ومن 72.54 إلى 51.37nm مع زيادة التيار من 10 إلى 30 ملي أمبير.. في حين أظهرت نتائج العينات للتيارات المختلفة أن متوسط قطر المسامية وسماكة طبقة السليكون المسامي انخفض مع زيادة التيار، وجد أن حساسية الغاز من In2O3:CdO أشباه الموصلات، لغاز NO2، ترتبط مباشرة بحجم الجسيمات النانوية، وحساسيته يزيد مع زيادة درجة حرارة التشغيل .

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (2)

2011 (1)

2008 (1)