research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Structural and Optical Properties of ZnS Thin Films Prepared by SprayPyrolysis Technique

Author: Nada M. Saeed
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 2 Pages: 86-92
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Sulfide (ZnS) is important II-VI semiconductors material for the development of various
modern technologies and photovoltaic applications. ZnS thin film was prepared by using chemical
spray pyrolysis technique. The spray solutions contains ZnCl2 and SC(NH2)2 with molar
concentration 0.1M/L. ZnS thin films was growth onto hot glass substrates at substrates temperature
400оC.
The Structure of the prepared film was studied from X-ray diffraction pattern, the results shows
that the film was polycrystalline with hexagonal structure, the grain size of ZnS film was calculated,
it was 139 Å at the high peak.
The optical properties of the film were studied using measurement from UV–VIS
spectrophotometer; the results appear that a good optical transparency of about 65 % was observed
in the visible region. The optical constants were studied as a function of the photon energy within
the wavelength in the range (300-900) nm. The refractive index was calculated in the visible region,
it was 2.45 at 500 nm. The optical band gaps for the direct and indirect transition were estimate too
and it was 3.2 – 3.1 eV respectively.

الخلاصةيعتبر كبريتيد الزنك من أشباه الموصلات المهمة نوع II-VI وذلك لدخوله في العديد من التقنيات الحديثة وكذلك في تطبيقات الخلايا الفوتوفولتائية. تم تحضير مجموعة من الأغشية الرقيقة لمركب كبريتيد الزنك باستخدام تقنية الرش الكيميائي الحراري، تم تحضير محلول الرش المتكون من خلط نسب معينة من كلوريد الخارصين والثايوريا بمولارية مقدارها 0.1 M/L وقد تكونت أغشية كبريتيد الخارصين الرقيقة على شرائح زجاجية ساخنة بدرجة حرارة أساس400OC .درست الخواص التركيبية للغشاء المحضر من خلال الفحص بواسطة حيود الأشعة السينية، وقد أظهرت النتائج أن الغشاء المحضر نوع متعددة التبلور (Polycrystalline). تم حساب الحجم الحبيبي وكانت قيمته 139 Å عند أعلى قمة.تم دراسة الخواص البصرية لغشاء ZnS باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية المرئية وفوق البنفسجية .VIS-UV أظهرت الدراسة البصرية بان معدل النفاذية تقترب من 65% عند المدى المرئي. تم حساب الثوابت البصرية كدالة لطاقة الفوتون لمدى الاطوال الموجية nm 300-900. وكانت قيمة معامل الأنكسار ضمن المدى المرئي2.45 عند 500 nm. اما قيم فجوة الطاقة للانتقالات الالكترونية المباشرة والغير مباشرة فكانت 3.2 eV و 3.1 eVعلى التوالي.


Article
CALCULATE THE VALUES OF SOME PHYSICAL PROPERTIES OF Se0.3Te0.7 ALLOY PREPARED AT DIFFERENT SUBSTRATE TEMPERATURES

Author: Nada M. Saeed
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 1 Pages: 44-51
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper; Se0.3Te0.7 alloy was prepared by mixing Selenium and tellurium of high purity using vacuum evaporation technique, this alloy was prepared as thin films at different substrate temperature; (25, 50, 100, 150) Co. The annealing was done for some of the prepared films at 200 oC.The powder of the prepared alloy was tested by X-Ray diffraction; the result shows that the structure of the Se0.3Te0.7 alloy was polycrystalline. From Hall effect results; the films was found as p-type, the density of the charge carriers (N) was calculated at different substrate temperature, the concentration of charges carriers of the annealed films was decreased.The optical properties of Se0.3Te0.7 films were studied, the values of the optical energy gaps were calculated and it was 0.48 eV at room temperature, this value was increase at the increasing of the substrate temperature. The value of energy gap of the annealed film was calculated and it was 0.62 eV at room temperature.The refraction index was calculated at room temperature as a function of the wave length at 2100 nm; it found to be 4.2.

في هذا البحث تم تحضير سبيكة Se0.3Te0.7 من خلط أوزان دقيقة وبنسب معينة من مادتي السلينيومSe والتريليوم Te عاليي النقاوة باستخدام تقنية التبخير الفراغي, تم تحضير الأغشية عند درجات حرارة أساس مختلفةoC (25, 50, 100, 150) وتم تلدين بعض من الأغشية المحضرة لدرجة حرارة 200 oC. تم اخذ عينة من مسحوق السبيكة المحضرة وتم فحصها بطريقة حيود الأشعة السينية وتبن من تحليل النتائج إن جميع الأغشية هي نوع متعدد التبلورpolycrystalline , ومن نتائج معامل هولHall Factor تبين بأنها نوع (p-Type) p, تم حساب تركيز حوامل الشحنات وتبين أنها تقل عند الغشاء الملدن.تم دراسة الخواص البصرية لسبيكة Se0.3Te0.7 المحضرة على شكل أغشية رقيقة, و تم حساب قيم فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها تساوي0.48 eV عند درجة حرارة الغرفة, وقد تبين ان هذه القيمة تزداد عند زيادة درجة حرارة الأساس أثناء التحضير, تم أيضا قياس قيمة فجوة الطاقة البصرية للغشاء الملدن عند درجة 200 Co وكانت تساوي 0.62 eV. تم أيضا حساب معامل الانكسار أغشية السبيكة المحضرة بدرجة حرارة الغرفة كدالة للطول ألموجي 2100 nm وكانت قيمته تساوي 4.2.

Keywords


Article
The Effect of the Annealing on the Optical Properties of Zinc Oxide Thin Films Prepared by Chemical Spray Pyrolysis Technique

Author: Nada M. Saeed
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2009 Volume: 20 Issue: 5 Pages: 124-136
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Oxide (ZnO) is one of an important semiconductor material for its application in a wide range of optoelectronic devices. In this paper, ZnO was prepared as thin films by using chemical spray pyrolysis technique; the films were deposited onto glass substrate at 400 °C by using aqueous zinc chloride as a spray solution of molar concentration 0.1 M/L, then annealed at 550°C.The crystallographic structure of the prepared film was analyzed with X-ray diffraction; the results shows that the film was polycrystalline in nature with preferred (002) orientation with grain size equal to 279 Å. The optical properties of the film were studied using VIS-UV spectrophotometer at wavelength within the range (300-1100) nm. The optical characterization shows that the films have an average transmittance 55% in the VIS regions and become 85% after annealing. The optical constants such as the refractive index (n), extinction coefficient (k), real and imaginary dielectric constants (εr, εi) were studied before and after annealing as a function of the photon energy at the mention wavelength, it was noted that the annealing affected on optical properties of the films. The optical energy gap was calculated to be 3.3 eV and 3.1 eV for the direct and indirect allowed transition respectively; these values are reduced after annealing.

يعتبر اوكسيد الخارصين(ZnO) احد أشباه الموصلات المهمة لدخوله في العديد من تطبيقات الأجهزة الكهروبصرية. في هذا البحث, تم تحضير اوكسيد الخارصين على شكل اغشية رقيقة على أرضية زجاجية بدرجة حرارة أساس 400 °C وذلك باستعمال تقنية الرش الكيمائي الحراري, تم تحضير محلول الرش من كلوريد الخارصين بمولارية مقداره 0.1 M/L. .تم دراسة ومناقشة خواص وتركيب الأغشية المحضرة حيث تم فحص الأغشية المحضرة بواسطة حيود الأشعة السينية ومن تحليل النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور. (Polycrystalline), تم حساب الحجم الحبيبي لها عند الأتجاه (002) وكانت قيمته 279 Å. تم دراسة الخواص البصرية لأغشيةZnO باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية المرئية وفوق البنفسجية .VIS-UV اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للأغشية المحضرة لمدى الأطوال الموحية nm 300-1100 قبل وبعد التلدين, أظهرت الدراسة البصرية بان معدل النفاذية يقترب من 55%عند المدى المرئي ويزداد ليكون الغشاء اكثر شفافية بعد التلدين حيث يقترب من 85%. تم دراسة الثوابت البصرية والتي شملت حساب معامل الانكسار n, معامل الخمود k, وثابت العزل الحقيقي εr والخيالي εi قبل وبعد التلدين كدالة لطاقة الفوتون عند الأطوال الموحية المذكورة وقد تبين أن للتلدين أثر واضح على الخصائص البصرية للغشاء. تم حساب قيم فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها,3.3 eV 3.1 eV لكل من الانتقال الإلكتروني المباشر المسموح والانتقال الإلكتروني الغير مباشر المسموح على التوالي وقد تبين أن قيم فجوة الطاقة البصرية تقل عند التلدين.

Keywords


Article
The effect of annealing and the influence of Gamma-ray on the optical properties of nanostructure Zinc Oxide Thin Films
تأثير التلدين والتشعيع بأشعة كاما على الخواص البصرية لأغشية اوكسيد الخارصين الرقيقة ذات التركيب النانوي

Author: Nada M. Saeed ندى محمد سعيد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2010 Volume: 8 Issue: 13 Pages: 82-88
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The semiconductor ZnO is one of II – VI compound group, it is prepare as thin films by using chemical spray pyrolysis technique; the films are deposited onto glass substrate at 450 °C by using aqueous zinc chloride as a spray solution of molar concentration 0.1 M/L. Sample of the prepared film is irradiating by Gamma ray using CS 137, other sample is annealed at 550°C.The structure of the irradiated and annealed films are analyzed with X-ray diffraction, the results show that the films are polycrystalline in nature with preferred (002) orientation. The general morphology of ZnO films are imaged by using the Atomic Force Microscope (AFM), it constructed from nanostructure with dimensions in order of 77 nm. The optical properties of the prepared films are studied by using measurement from UV-VIS-NIR spectrophotometer at wavelength within the range (300-900) nm. The optical results show that the absorption of the prepared films are decreases after annealing and increases after irradiation. The optical constants such as the refractive index and the photoconductivity are calculated before and after annealing as a function of the photon energy. Also the values of the optical energy gap are calculated, it is 3.3 eV and 3.1 eV for the direct and indirect allowed transition respectively; these values are reduced after annealing.

يعتبر اوكسيد الخارصين ( ZnO) احد أشباه الموصلات ضمن المجموعةII – VI , تم تحضير هذا المركب بشكل أغشية رقيقة على أرضية زجاجية بدرجة حرارة أساس 450 °C وذلك باستعمال تقنية الرش الكيماوي الحراري, تم تحضير محلول الرش من كلوريد الخارصين بمولارية مقداره 0.1 M/L, تم تعريض نموذج من الأغشية المحضرة لأشعة كاما ( (γ-ray باستعمال المصدر المشع CS 137 وتم أيضا تلدين بعض النماذج المحضرة من أغشية ZnO عند درجة حرارة 550 مئوي. تم فحص الأغشية الملدنة والمشععة بواسطة حيود الأشعة السينية ومن تحليل النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور. (Polycrystalline). تم دراسة تركيب الغشاء بإجراء فحوصات بواسطة المجهر Atomic Force Microscope (AFM) وتبين أن الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 77 nm .درست الخواص البصرية للأغشية المحضرة باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية الفوق البنفسجية- المرئية- والقريبة من تحت الحمراء NIR) (UV- VIS- لمدى الأطوال الموحية nm 300-900, أظهرت الدراسة البصرية بان الأمتصاصية تقل بعد التلدين و تزداد عند التشعيع. تم حساب بعض الثوابت البصرية والتي شملت حساب معامل الانكسار ,التوصيلية الضوئية قبل وبعد التلدين كدالة لطاقة الفوتون عند للأطوال الموحية المذكورة وقد تبين أن للتلدين أثر واضح على قيم الثوابت البصرية . تم ايضا حساب قيم فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها,3.3 eV 3.1 eV لكل من الانتقال الإلكتروني المباشر المسموح والانتقال الإلكتروني الغير مباشر المسموح على التوالي وقد تبين أن قيم فجوة الطاقة البصرية تقل عند التلدين.


Article
Design Band Energy diagram of SnO2/CdS-CdTe Thin Film Heterojunction Using I-V and C-V Measurements
رسم مخطط الطاقة للمفرق الهجين للغشاء SnO2/CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار – جهد و سعة – جهد

Authors: Rasha A. Abdullah --- Mohammed. A. Razooqi --- Nada M. Saeed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 607-614
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 µm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide. The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes. The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm. There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt. The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated. The carrier transport mechanism for SnO2/CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling – recombination. The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A. Band energy lineup for SnO2/ n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.

تم تحضير المفرق الهجيني SnO2/CdS-CdTe بتقنية التبخير الفراغي الحراري,واستعمل غشاء من SnO2 ذو التركيب الناوي المحضر بسمك0.05 µm كطبقة شفافة ضد الانعكاسية , ثم تم تلدين المفرق المحضر بدرجة 573 مئوية ولمدة 180 دقيقة. تم فحص تركيب غشاء SnO2 باستخدام المجهر الالكتروني (AFM), وقد تبين بان الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 72 نانومتر, ومن تحليل لنتائج فحوصات حيود الاشعة السينية تبين بالشكل عن وجود قمتين واسعة تشير للمادة المحضرة طبقا للمقاييس الامريكية لفحوصات المواد (ASTM) .تم دراسة قياسات سعة – جهد عند تردد 100 هرتز, و قد اشارت هذه القياسات الى ان تلك المفارق هي من النوع الحاد. و قد وجد ان قيمة السعة عند الانحياز الصفري و جهد البناء الداخلي قد تناقصا بعد عملية التلدين. بينما يزداد عرض منطقة النظوب للانحياز الصفري و تركيز الحاملات مع عملية التلدين. و كانت ميكانيكية انتقال الحاملات للمفرق الهجيني عند الظلام هي أنتفاق-اعادة اتحاد. و كانت قيمة عامل المثالية 1.56 و تيار الاشباع هي 9.6×10-10أمبير. و تم ايضا دراسة مخطط حزمة الطاقة عن طريق قياسات تيار – جهد و سعة – جهد.


Article
Preparation and properties of Nanostructure Zinc Oxide Thin Films
تحضير ودراسة خواص التركيب النانوي لأغشية أوكسيد الخارصين الرقيقة

Authors: A. M. Suhail عبدالله محسن سهيل --- Nada M. Saeed, ندى محمد سعيد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 75-81
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Oxide (ZnO) is probably the most typical II-VI semiconductor, which exhibits a wide range of nanostructures. In this paper, polycrystalline ZnO thin films were prepared by chemical spray pyrolysis technique, the films were deposited onto glass substrate at 400 °C by using aqueous zinc chloride as a spray solution of molar concentration of 0.1 M/L.
The crystallographic structure of the prepared film was analyzed using X-ray diffraction; the result shows that the film was polycrystalline, the grain size which was calculated at (002) was 27.9 nm. The Hall measurement of the film studied from the electrical measurements show that the film was n-type. The optical properties of the film were studied using measurements from VIS-UV spectrophotometer at wavelength range (300-1100) nm; the optical characterization shows that the films have an average transmittance 55% in the VIS regions. The refractive index was calculated as a function of the photon energy, also the calculated optical energy gap was 3.3 eV and 3.1 eV for direct and indirect allowed transition respectively.

يعتبر أوكسيد الخارصين(ZnO) نموذج من إحدى أشباه الموصلات ضمن المجموعة II-VI والتي لها مدى واسع في التركيب النانومتري Nanostructures)). في هذا البحث, تم تحضير أغشية رقيقة من أوكسيد الخارصين المتعدد التبلور على أرضية زجاجية بدرجة حرارة أساس 400 °C وذلك باستعمال تقنية الرش الكيماوي الحراري, تم تحضير محلول الرش من كلوريد الخارصين بمولارية مقداره 0.1 M/L.تم دراسة ومناقشة خواص وتركيب الأغشية المحضرة حيث تم فحص الأغشية المحضرة بواسطة حيود الأشعة السينية ومن تحليل النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور. (Polycrystalline), تم حساب الحجم الحبيبي لها عند الأتجاه (002) وكانت قيمته 27.9 nm. ومن دراسة الخواص الكهربائية (والتي شملت قياسات تأثير هول والتوصيلية الكهربائية) تبين بأن الغشاء نوع n - type تم دراسة الخواص البصرية لأغشيةZnO باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية المرئية وفوق البنفسجية .VIS-UV إشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للأغشية المحضرة لمدى الأطوال الموحية nm 300-1100, أظهرت الدراسة البصرية بأن معدل النفاذية يقترب من 55% عند المدى المرئي. تم حساب معامل الإنكسار كدالة لطاقة الفوتون عند للأطوال الموحية المذكورة. تم أيضا حساب قيم فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها للانتقال الإلكتروني المباشر المسموح3.3 eV وللإنتقال الإلكتروني الغير مباشر المسموح 3.1 eV.


Article
ENHANCEMENT THE OPTICAL PROPERTIES OF ZINC SULFIDE THIN FILMS FOR SOLAR CELL APPLICATIONS
تحسين الخواص البصرية لأغشية كبريتيد الزنك الرقيقة لتطبيقات الخلايا الشمسية

Authors: A. M. Suhail عبد الله محسن سهيل --- Nada M. Saeed ندى محمد سعيد
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2012 Volume: 53 Issue: 1 Pages: 88-95
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, semi-conducting ZnS compound was prepared as thin films onto glass substrates at two different substrates temperature (673, 723) K using chemical spray pyrolysis technique. X-ray diffraction was studied for the prepared films, the results shows that the films was polycrystalline with a wurtzite (hexagonal) structure. The optical properties of the films were studied by using VIS-UV spectrophotometer, the absorbance and transmittance spectrum have been recorded at wavelength within the range (300-900) nm. The optical characteristics were studied as a function of the photon energy at the mentioned wavelength. The results appear that the transparency of the films at visible region is rise from 70% to 90% at high substrates temperature. The refractive index was estimated within the visible wavelength at 500 nm, it was 2.45 at substrate temperature 673 K and its value will decrease at the highest substrate temperature. The direct optical band gap of the allow transitions for the deposits films prepared at both substrate temperatures (673, 723) K were varied from 3.2-3.4 eV respectively.

في هذا البحث, تم تحضير مجموعة من الأغشية الرقيقة لمركب كبريتيد الزنك باستخدام تقنية الرش الكيميائي الحراري على شرائح زجاجية بدرجتي حرارة أساس مختلفة (673-723)K. تم فحص الأغشية المحضرة بواسطة حيود الأشعة السينية, ومن دراسة النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور (Polycrystalline).تم دراسة الخواص البصرية لأغشيةZnS باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموجية المرئية وفوق البنفسجية .VIS-UV اشتملت دراسة الخواص البصرية على تسجيل طيفي الامتصاصية والنفاذية للأغشية المحضرة لمدى الأطوال الموجية nm 300-900, تم دراسة الخواص البصرية كدالة لطاقة الفوتون عند مدى الأطوال الموجية المذكورة أظهرت النتائج بان معدل النفاذية يرتفع من 70% الى 90% في المدى المرئي عند ارتفاع درجة حرارة الأساس. تم حساب معامل الانكسار ضمن المدى 500 nm من الطول ألموجي وكانت قيمته 2.45.عند درجة 673 K وتكون قيمته أقل عند زيادة درجة حرارة الأساس. هذا وتتغير قيم فجوة الطاقة للانتقالات الالكترونية المباشرة عند درجتي حرارة القاعدة الزجاجية 673) K و ( 723من 3.2 eV إلى 3.4 eV على التوالي.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (6)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2014 (1)

2012 (1)

2011 (1)

2010 (1)

2009 (3)