In this study, investigations of structural properties of n-type porous silicon prepared by laser assisted-electrochemical etching were demonstrated. The Photo- electrochemical Etching technique, (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon surfaces. Atomic force microscopy (AFM) analysis was used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased. The chemical bonding and structure were investigated by using fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). Porosity of the porous silicon layer and thickness were determined gravimetrically. Increasing the etching current density led to increase the surface porosity and thickness. Porosity between77% and 82% were observed for current densities between 24 mA/cm2 and 116 mA/cm2.

لقد تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية لطبقة السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع المانح المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي بمساعدة اشعة الليزر .لقد اوضحت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري. تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية(AFM) لدراسة طبوغرافية السليكون المسامي . لقد اوضحت النتائج العملية ان مقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونه سطح السليكون قد ازداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتأصر الكميائي للسليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية FTIR . ان النسبة المئوية للمسامية وسمك الطبقة المسامية تم تحديدها بالطريقة الوزنية . لقد وجد ان كل من سمك الطبقة المسامية والنسبة المئوية للمسامية قد ازدادت مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان قيم المسامية للطبقة المقاسة بالطريقة الوزنية تزداد من 77% الى 82% عندما يكون كثافة تيار التنميش مابين 24mA/cm2 و 116mA/cm2 .

Nano-crystal --- porous silicon --- Photo-chemical etching --- PCE.

Thin films of pure tin mono-sulfide SnS with thicknesses of (0.85) μm were prepared by chemical spray pyrolysis technique and annealed for two hours with 673K.The effect of annealing on structural and optical properties for films prepared was studied. X-Ray diffraction analysis showed the polycrystalline with orthorhombic structure. It was found that annealing process increased the intensity of diffraction peaks. Optical properties of all samples were studied by recording the absorption and transmission spectrum in the range of wave lengths (300-900) nm. The optical energy gap for direct forbidden transition and indirect allowed transition were evaluated .

حضرت اغشية رقيقة من احادي كبريتيد القصدير SnS النقية وبسمك0.85µm بتقنية الرش الكيميائي الحراري، وبعد ذلك عولجت الأغشية حراريا لمدة سـاعتين بدرجة حرارة 673K.و درس تأثير التلدين في الخصائصالتركيبية والبصرية للأغشية المحضرة . اظهرت نـتائج حيود الأشعة السينية ان الأغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع المعيني القائم (Orthorhombic). وان عملية التلدين ادت الى زيادة في شدة المستويات عن قيمتها قبل التلدين مما ادى الى زيادة في معدل الحجم الحبيبي ، كما تم في هذا البحث دراسة الخواص البصرية للأغشية كافـــة من خلال تسجيل طيف الأمتصاصية والنفاذية لمدى الأطـــوال الموجية (300-900) nm ،اذ حسبت فجوة الطاقة البصرية للأنتقال المباشر الممنوع والأنتقال غير المباشر المسموح ولوحظ نقصان قيم فجوة الطاقة للأنتقالين المباشر الممنوع، وغير المباشر المسموح بعد التلدين . كما حسبت الثوابت البصرية ( معامل الأمتصاص ، ومعامل الخمود ، ومعامل الأنكسار ،و ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي) بوصفها دالة لطاقة الفوتون للأغشية المحضرةودراسة تاثير التلدين فيها.

Thin films --- SnS film --- chemical spray pyrolysis technique --- Annealing. --- الأغشية الرقيقة ، اغشيةSnS ، الرش الكيميائي الحراري ، التلدين