research centers


Search results: Found 8

Listing 1 - 8 of 8
Sort by

Article
Effect of Alumina-Doping on Structural and Optical Properties of Zno Thin Films by Pulsed Laser Deposition
تاثير الالمنيوم المشوب على الخصائص التركيبية والبصرية للغشاء الرقيق ZnO بواسطة الترسيب بالليزر (PLD)

Authors: Ali A. Yousif --- Nadir F. Habubi --- Adawiya J.Haidar
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 14 Pages: 4677-4686
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Alumina-doped Zinc Oxide (AZO) thin films on quarts glass substrateshave been deposited by pulsed laser deposition technique using a pulsed Nd-YAG laser with the wavelength of (ë= 532 nm) and duration (7ns).The structural and optical properties of these films were characterized as a function of Al2O3 content (0-5w.t%)in the target at substrate temperatures (400°C) and energy fluence (0.4 J/cm2). The X-ray diffraction patterns of the films showed that the undoped and Al2O3 -doped ZnO films exhibit wurtzite crystal structure and high crystalline quality. The optical properties were characterized bytransmittance, absorption spectroscopy measurements. For all films the average transmission in the wavelength range (330-900) nm was over 90% and the absorption edge shifted toward a shorter wavelength as Al2O3 concentration increased. The optical energy gap of Al2O3 doped ZnO thin films, measured from transmittance spectra could be controlled between (3.32eV and 3.59eV) by adjusting alumina concentration. AFM results show that the samples with increasing concentration of Al2O3, the surface roughness increases

جرى ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المطعمة بالالومينا على قواعد الكوارتز بتقنية الترسيب 532 ) و امد نبضة nm) بالليزر باستخدام ليزر النيدميوم-ياك النبضي العامل بالطول الموجي .(7ns) 0-5% )و wt) تم دراسة الخصائص البصرية و التركبية للاغشية المحضرة كدالة لنسبة تطعيم 0.4 ).اظهرت انماط حيود اشعة اكس J/cm) بدرجة حرارة 400 درجة مئوية وكثافة طاقة التركيب السداسي لاوكسيد في حبيباته للاهداف المطعمة و الغير مطعمة و تبلور عالي . اما بالنسبة للخصائص البصرية و التي تبينت من خلال اخذ طيف النفاذية,فكانت معدل330-900 ) اعلى من % 90 و زحزحة حافة nm) النفاذية للاغشية كلها ضمن ا لمدى الطيفي الامتصاص باتجاه الاطوال الموجية القصيرة بزيادة تركيز الالومينا. وحسب فجوة الطاقة من 3.32-3.59 ) من خلال تغير تركيز الالومينا.وقد eV) خلال طيف النفاذية وكانت تتراوح بين اظهرت نتائج مجهر القوى الذري زيادة الخشونة بزيادة تركيزنسبة الالومينا الى اوكسيد الخارصين .

Keywords


Article
Doping Effect on the Structural Properties of Zno: Al2O3 Thin Films by Pulsed Laser Deposition

Authors: Adawiya J.Haidar --- Nadir F. Habubi --- Ali A. Yousif
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 4 Pages: 73-80
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Polycrystalline Alumina-doped Zinc Oxide (AZO) thin films on glass substrates have been deposited by pulsed laser deposition technique using pulsed Nd-YAG laser with wavelength (λ= 532 nm) and duration (7ns). The structural properties of these films were characterized as a function of Al2O3 content (1 w.t%, 3 w.t% and 5 w.t %) in the target at substrate temperatures (200°C and 400°C) and energy fluence (0.4 J/cm2). The X-ray diffraction patterns and scanning electron microscopy (SEM) for the films showed that the undoped and Al2O3-doped ZnO films exhibit hexagonal wurtzite crystal structure and high polycrystalline quality with a preferred orientation along (100) plane. The grain size increases as the Al2O3 concentration increases to 85.6 nm. The surface morphology of the films obtained by scanning electron microscopy reveals that presence of Al2O3 content in the structure did affect the surface morphology of the films significantly.

في هذا البحث، تم ترسيب أغشية اوكسيد الزنك المشوب بالالومينا ((AZO ذو تركيب متعدد البلورات، تم ترسيبها على قواعد من الزجاج باستخدام تقنية ترسيب بالليزر النبضي، حيث استخدام ليزر النيديميوم- ياك عند الطول الموجي (532 نانومتر) وآمد نبضة ( 7 نانو ثانية). تم دراسة الخصائص التركيبية كدالة لتركيز الالومينا بنسب (% 1 ,% 3 و % 5) في الهدف عند درجة حرارة القاعدة (200°C and 400°C) وكثافة طاقة الليزر الساقطة (0.4 J/cm2). اظهرت نتأئج حيود الاشعة السينية وفحص المجهر الالكتروني (SEM) بالنسبة للاغشية الغير المشوبه والمشوبه بأنها ذات تركيب سداسي متعدد التبلور وباتجاه مفضل غلى طول المستوي (100). ان حجم الحبيبات يزداد بزيادة تركيز الالومينا الى (85.6 نانومتر). ان التركيب السطحي الذي حصلنا عليه من فحص المجهر الالكتروني بالنسبة للاغشية المشوب الالومينا كان له تأثير على تركيب الاغشية بشكل واضح.


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.


Article
Structural and electrical properties of CdO/porous Si heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني CdO/porous Si/c-Si المصنع بطريقة التنميش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.


Article
Structure Properties of (ZnO:Bi )Thin Films Deposited by Chemical Spray Pyrolysis Technique
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية (ZnO:Bi) المحضرة بطريقة التحلل الكيميائي الحراري

Authors: Asraa Akram Abaas اسراء اكرم عباس --- Nadir F. Habubi نادر فاضل حبوبي
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2015 Issue: 1 Pages: 9-34
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research , the study of the structure properties and some properties optical properties of zinc oxide (ZnO) thin films prepared by the chemical spray pyrolysis technique. These thin films were deposited on the glass substrates heated at (400 OC) and the overage hickness was about ( 300 nm). The effect of Bismuth doing with different ratios (1,2,3,4,%) on the structural and optical properties of the Zno films has been studied.The (XRD) results showed that all the prepared films have polycrystalline single phase and the structure was hexagonal wurtzite with a preferred orientation along (002) plane.The average grain size decreased from (45nm) to (12 nm) by in increasing the doping percentage also, the (AFM) image show different surface morphology for the prepared films.The absorbance and transmittance spectra have been recorded in the wavelength range (380-900 nm) in order to study the optical properties. It was found that the maximum transmittance inereased to (83%) at (ZnO) pure, and the optical energy gap for allowed direct transition electronic (3.3eV) for ZnO, while the increase in doping percentadage led to decrease in the value of the energy gap and for maximum doping (4%) it reach (3.0 eV), on contrary with urbach energy which increase as the doping percentage increase where equal (135 meV) for (ZnO) and when (4%) it reaches (333 meV).

تم في هذا البحث دراسة الخواص التركيبية وبعض الخواص البصرية لأغشية اوكسيد الخارصين (ZnO) الرقيقة المحضرة بتقنية التحلل الكيميائي الحراري, اذ تم ترسيبها على قواعد ساخنة من الزجاج بدرجة حرارة (400oC) وبسمك بحدود (300 nm) ودراسة تأثيــــــــــــــــــــــــــر التطعيم بالبزمـــــــــــوث وبنســـــــــــــــــــــــــــــــب مختلفة (1,2,3, 4,) % على الخصائص التركيبية والبصرية للمركب المذكور. بينت نتائج حيود الاشعة السينية ان كافة الاغشية المحضرة متعدد التبلور وذات طور تبلور واحد وتمتلك تركيباً من النوع السداسي المحكم والاتجاه السائد للتبلور هو (002), ان معدل الحجم الحبيبي يتناقص من (45nm) الى (12nm) مع زيادة نسبة التطعيم, كذلك بينت صور مجهر القوة الذرية (AFM) ان هنالك اختلافا في طبيعة سطوح الأغشية المحضرة.وتمت دراسة الخصائص البصرية للأغشية من خلال تسجيل طيفي النفاذية والامتصاصية ولمدى الاطوال الموجبة (380-900nm) وقد وجد ان اعظم قيمة للنفاذية هي (83%) عند الأغشية غير المشوبة, وكما وجد ان فجوة الطاقة البصرية للانتقال الالكتروني المباشر المسموح للأغشية غير المطعمة (3.3eV) وتقل قيمتها الى (3.0 eV) عند نسبة التطعيم (4%) على العكس من طاقة اورباخ التي تزداد مع زيادة نسبة التطعيم فكانت للأغشية غير المطعمة (135 meV) وعند نسبة تشويب (4%) وصلـت الى (333 meV) .


Article
Structural and morphological study of nanostructured n-type silicon
دراسة الخصائص التركيبية النانوية للسيليكون المسامي من النوع المانح

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, investigations of structural properties of n-type porous silicon prepared by laser assisted-electrochemical etching were demonstrated. The Photo- electrochemical Etching technique, (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon surfaces. Atomic force microscopy (AFM) analysis was used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased. The chemical bonding and structure were investigated by using fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). Porosity of the porous silicon layer and thickness were determined gravimetrically. Increasing the etching current density led to increase the surface porosity and thickness. Porosity between77% and 82% were observed for current densities between 24 mA/cm2 and 116 mA/cm2.

لقد تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية لطبقة السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع المانح المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي بمساعدة اشعة الليزر .لقد اوضحت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري. تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية(AFM) لدراسة طبوغرافية السليكون المسامي . لقد اوضحت النتائج العملية ان مقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونه سطح السليكون قد ازداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتأصر الكميائي للسليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية FTIR . ان النسبة المئوية للمسامية وسمك الطبقة المسامية تم تحديدها بالطريقة الوزنية . لقد وجد ان كل من سمك الطبقة المسامية والنسبة المئوية للمسامية قد ازدادت مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان قيم المسامية للطبقة المقاسة بالطريقة الوزنية تزداد من 77% الى 82% عندما يكون كثافة تيار التنميش مابين 24mA/cm2 و 116mA/cm2 .


Article
Formation and Characterization of Co2O3 and Co2O3(1-x):Cux Thin Films
تحضير وتوصيف أغشية Co2O3 و Co2O3:Cuالرقيقه

Loading...
Loading...
Abstract

Co2O3 and Co2O3(1-x):Cux films have been deposited by using spray pyrolysis technique on a glass substrates. The optical properties of the cobalt oxide have been studied as a function of doping concentration with Cu. Changes in direct optical band gap energy of cobalt oxide films were confirmed after doping, Eg increased from 1.48 and 1.95 eV for the undoped Co2O3 to 1.55 and 2.05 eV with increasing the doping concentration to 5%. The effect of doping on the optical parameters of Co2O3 thin films such as transmittance, reflectance, absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, and real and imaginary parts of dielectric constant has been reported.

تم ترسيب أغشية رقيقة من أوكسيد الكوبلت Co2O3 وأوكسيد الكوبلت المشوب بالنحاس Co2O3:Cu على قواعد زجاجية بأستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري. تم دراسة الخواص البصرية لأغشية Co2O3 كداله لنسب التشويب بCu. تم تأكيد التغييرات الحاصله في فجوة الطاقة البصريه بعد التشويب.حيث أزدادت Eg من 1.48 وeV1.95 لغشاء أوكسيد الكوبلت غير المشوب الى 1.55 وeV2.05 لغشاء أوكسيد الكوبلت المشوب بنسبة 5% من النحاس. تم دراسة تأثير التشويب على المعلمات البصريه لأغشيةCo2O3 الرقيقة مثل: النفاذية، الانعكاسية، معامل الامتصاص, معامل الأنكسار، معامل الخمود، ثابت العزل الحقيقي وثابت العزل الخيالي.


Article
The Effect of Annealing on The Structural and Optical Properties of SnS Thin Films
تأثير التلدين في الخواص التركيبية والبصرية لآغشية SnS الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of pure tin mono-sulfide SnS with thicknesses of (0.85) μm were prepared by chemical spray pyrolysis technique and annealed for two hours with 673K.The effect of annealing on structural and optical properties for films prepared was studied. X-Ray diffraction analysis showed the polycrystalline with orthorhombic structure. It was found that annealing process increased the intensity of diffraction peaks. Optical properties of all samples were studied by recording the absorption and transmission spectrum in the range of wave lengths (300-900) nm. The optical energy gap for direct forbidden transition and indirect allowed transition were evaluated .

حضرت اغشية رقيقة من احادي كبريتيد القصدير SnS النقية وبسمك0.85µm بتقنية الرش الكيميائي الحراري، وبعد ذلك عولجت الأغشية حراريا لمدة سـاعتين بدرجة حرارة 673K.و درس تأثير التلدين في الخصائصالتركيبية والبصرية للأغشية المحضرة . اظهرت نـتائج حيود الأشعة السينية ان الأغشية المحضرة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع المعيني القائم (Orthorhombic). وان عملية التلدين ادت الى زيادة في شدة المستويات عن قيمتها قبل التلدين مما ادى الى زيادة في معدل الحجم الحبيبي ، كما تم في هذا البحث دراسة الخواص البصرية للأغشية كافـــة من خلال تسجيل طيف الأمتصاصية والنفاذية لمدى الأطـــوال الموجية (300-900) nm ،اذ حسبت فجوة الطاقة البصرية للأنتقال المباشر الممنوع والأنتقال غير المباشر المسموح ولوحظ نقصان قيم فجوة الطاقة للأنتقالين المباشر الممنوع، وغير المباشر المسموح بعد التلدين . كما حسبت الثوابت البصرية ( معامل الأمتصاص ، ومعامل الخمود ، ومعامل الأنكسار ،و ثابت العزل الكهربائي بجزئيه الحقيقي والخيالي) بوصفها دالة لطاقة الفوتون للأغشية المحضرةودراسة تاثير التلدين فيها.

Listing 1 - 8 of 8
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (8)


Language

English (6)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2015 (2)

2013 (1)

2012 (3)

2011 (1)

2010 (1)