research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH IN P-N JUNCTIONSILICON SOLAR CELL

Authors: Oday N. Slman --- Jehan E. Simon --- Rana O. Mahdi
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 59-63
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, p-n junction silicon solar cells were fabricated using Plasma-assisted deposition technique, The minority-carriers diffusion length in the base region of a silicon solar cell has been determined by measuring the short-circuit current as a function of the wavelength of incident light. The incident light intensity required to produce a given short-circuit current is a linear function of the reciprocal absorption coefficient for each wavelength. and the extrapolation of this relation to zero intensity yields the diffusion length. The accuracy of this method appears to be greatly accepted.

في هذا البحث ، جرى تصنيع خلية شمسية سيليكونية بنمط الوصلة الثنائية باستخدام منظومة الترسيب المعزز بالبلازما جرى تحديد طول الانتشار للحاملات الاقلية في منطقة القاعدة للخلية الشمسية المصنعة من خلال قياس تيار دائرة القصر كدالة للطول الموجي للضوء الساقط . كانت شدة الضوء الساقط اللازمة للحصول على قيمة معينة لتيار الدائرة القصيرة دالة خطية لمقلوب معامل الامتصاص لكل طول موجي ومن قيمة هذه الدالة عند الصفر يمكن الحصول على قيمة طول الانتشار . لوحظ ان هذه الطريقة في حساب طول الانتشار ذات دقة عالية .

Keywords

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2008 (1)