research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Electrical Investigation of PSi/Si (n-type) structure
الاستقصاء الكهربائي لم ركب PSi/Si (نوع n)

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous Silicon structures are formed with photochemical etching process of n-type Silicon(111) wafers of resistivity (0.02.cm) in hydrofluoric acid (HF) of concentration (39%wt) under light source of tungeston halogen lamp of (100 Watt) power. Samples were anodized in a solution of 39%HF and ethanol at 1:1 for 15 minutes. The samples were realized on n-type Si substrates Porous Silicon layers of 100m thickness and 30% of porousity. Frequency dependence of conductivity for Al/PSi/Si/Al sandwich form was studied. A frequency range of 102-106Hz was used allowing an accurate determination of the impedance components. Their electronic transport parameters were determined using complex impedance measurements. These measurements provide a powerful tool for interpretation of basic properties such as the dielectric constant, polarizibility and frequency dependence in the crystallites and trapping mechanisms. The electrical conductivity is mainly controlled by hoping transport on localized states in the chaotic porous structure.

في هذا البحث تم تحضير السيليكون المسامي بطريقة الضؤي-الكيميائي لشرائح السيليكون (n- type (orientation (111)) ومقاومية (0.02 .cm) في حامض الهيدروفلوريك (HF) وبتركيز (39%) وباستخدام مصباح الهالوجين وبقدرة (100 watt) تم وضع العينات في سائل مكون من حامض الهيدروفلوريك والايثانول وبنسبة 1:1 ولمدة 15 دقيقة. العينات التي حضرت بهذه الطريقة كانت بسمك 100 مايكرون ومسامية 30%. تم دراسة اعتمادية التوصيلية على التردد وعلاقتها مع الممانعة وللعينات المحضرة بشكل سندويج Al/PSi/Si/Al وضمن مدى الترددات) 102-106 Hz ) . تم دراسة الانتقالات الالكترونية والتي تم من خلالها حساب ثابت العزل والاستقطابية واعتماديتهما على التردد على ميكانيكية القنص في المواد البلورية. اما التوصيلية الكهربائية تم تفسيرها اعتمادا على ميكاتيكية القفز في المستويات الموضعية في التركيب العشوائي للسيليكون المسامي.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Influence of substrate temperature on structural and optical properties of SnO2 films
تأثير درجة حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية SnO2الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Tin Oxide (SnO2) films have been deposited by spray pyrolysis technique at different substrate temperatures. The effects of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of SnO2 films have been investigated. The XRD result shows a polycrystalline structure for SnO2 films at substrate temperature of 673K. The thickness of the deposited film was of the order of 200 nm measured by Toulansky method. The energy gap increases from 2.58eV to 3.59 eV when substrate temperature increases from 473K to 673K .Electrical conductivity is 4.8*10-7(.cm)-1 for sample deposited at 473K while it increases to 8.7*10-3 when the film is deposited at 673K

تم ترسيب اغشية (SnO2) بطريقة الرش الكيميائي عند درجات حرارة ارضية مختلفة وقد تمت دراسة تاثير تغيير تلك الدرجات الحرارية على تركيب الاغشية وخصائصها البصرية والكهربائية. أظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحضرة عند درجة حرارة ارضية (673K) كانت ذات تركيب متعدد البلورات. كان سمك الاغشية المحضرة بحدود (200nm) وقد تم قياسها بطريقة تولانسكي(Toulansky). ازدادت فجوة الطاقة البصرية من 2.58 الى 3.59 الكترون-فولت .كما ان التوصيلية الكهربائية ازدادت من 4.8*10-7(ohm.cm)-1 الى 8.7*10-3 (ohm.cm)-1 عند زيادة درجة حرارة الارضية من 473K الى 673K.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2012 (1)

2009 (1)