The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.

Porous Si CdO AFM XRD.

In this study, investigations of structural properties of n-type porous silicon prepared by laser assisted-electrochemical etching were demonstrated. The Photo- electrochemical Etching technique, (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon surfaces. Atomic force microscopy (AFM) analysis was used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased. The chemical bonding and structure were investigated by using fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). Porosity of the porous silicon layer and thickness were determined gravimetrically. Increasing the etching current density led to increase the surface porosity and thickness. Porosity between77% and 82% were observed for current densities between 24 mA/cm2 and 116 mA/cm2.

لقد تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية لطبقة السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع المانح المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي بمساعدة اشعة الليزر .لقد اوضحت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري. تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية(AFM) لدراسة طبوغرافية السليكون المسامي . لقد اوضحت النتائج العملية ان مقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونه سطح السليكون قد ازداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتأصر الكميائي للسليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية FTIR . ان النسبة المئوية للمسامية وسمك الطبقة المسامية تم تحديدها بالطريقة الوزنية . لقد وجد ان كل من سمك الطبقة المسامية والنسبة المئوية للمسامية قد ازدادت مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان قيم المسامية للطبقة المقاسة بالطريقة الوزنية تزداد من 77% الى 82% عندما يكون كثافة تيار التنميش مابين 24mA/cm2 و 116mA/cm2 .

Nano-crystal --- porous silicon --- Photo-chemical etching --- PCE.