research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Electrical and Structural Characterization of Thin Pb0.5S0.5 Films Deposited with Different Thicknesses

Author: Rasha A. Abdullah
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 1 Pages: 86-90
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Pb0.5S0.5 alloy has been prepared successfully by the method of quenching for elements melt. The Pb0.5S0.5 thin films of 200, 400, 600, 800 and 1000 nm thickness have been prepared from the prepared alloys by thermal evaporation technique onto glass substrate at room temperatures. The X-ray diffraction study shows that the prepared films are cubic polycrystalline structure with strong peaks at (200) and (111) planes, the intensity of the peaks increases with increasing film thickness. The grain size increases with increasing film thickness and their values varied between 35 and 59 nm. The D.C conductivity has been displayed two stages of conductivity through the whole temperature range. D.C conductivity have increased from 0.50×10-2 to 1.86×10-2 (Ω.cm)-1 as film thickness increased. All prepared films have two activation energies, where these values decrease with increasing thickness. The maximum value of activation energy was 0.177eV at 200nm thickness, and then decreased to 0.067 eV in thermal range 413-493K. Hall Effect results have been shown that all prepared thin Pb0.5S0.5films were p-type material. The carrier concentration increases with increasing thickness, and it varies from 0.079×1019 cm-3 to 9.55×1019 cm-3 for thickness from 200 to 1000nm. The Hall mobility has been decreased from 3.99 to 0.098 (cm2/V.sec) as thickness increased from 200 to 1000nm. The drift velocity of these films decreases with increasing this films thickness.

حضرت سبيكة Pb0.5S0.5 بنجاح بطريقة التبريد السريع لصهارة العناصر. حضرت أغشية Pb0.5S0.5 الرقيقة بأسماك 200, 400, 600, 800 و 1000 نانومتر من السبيكة المحضرة بتقنية التبخير الحراري على أرضيات زجاجية عند درجة حرارة الغرفة. بينت دراسة حيود الأشعة السينية أن الأفلام المحضرة هي بتركيب مكعبي متعدد التبلور مع قمم عالية عند السطوح (111) و (200), تزداد شدة القمم بزيادة السمك. يزداد الحجم الحبيبي بزيادة السمك و تتغير قيمته بين 35 الى 59 نانومتر. سجلت التوصيلية المستمرة مرحلتين للتوصيليــــة خــــلال كـــــل المــــدى الحــــــراري. تــــــزداد قيمــــة التوصيلية المستمرة من 0,50×10-2 الى 1,86×10-2 (أوم.سنتميتـر)-1 بزيادة سمك الأفلام. جميع الأفلام المحضرة لها قيمتان لطاقات التنشيط, حيث تتناقص القيم بزيادة السمك. كانت أعلى قيمة لطاقة التنشيط هي 0,177 الكترون فولت عند سمك 200 نانو متر, ثم تتناقص الى 0,067 الكترون فولت عند المدى الحراري 493-413 درجة مطلقة. بينت نتائج تأثير هول أن جميع الأغشية Pb0.5S0.5 المحضرة هي مواد من النوع المانح. يزداد تركيز الحوامل بزيادة السمك, وتتغير قيمته من 0,079×1910 الى 9,55×1910 (سنتمتر)-3 للأسماك من 200-1000 نانو متـــر. تتناقــــــص تحركيــــــه هــــــــول مــــن 3,99-0,098 (سنتمتر2/فولت.ثانية) بزيادة السمك من 200-1000 نانو متر. تتناقص سرعة الانجراف بزيادة سمك هذه الأفلام.

Keywords


Article
The Optical Properties of GaAs Thin films Prepared by Flash Evaporation Technique
الخصائص البصرية لغشاء زرنيخات الكاليوم المحضرة بطريقة التبخير الفراغي الوميضي

Author: Rasha A. Abdullah رشا عبد الله عباس1
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2008 Volume: 13 Issue: 2 Pages: 138-140
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline GaAs thin films have prepared by flash evaporation on glass substrate with Thickness ~ 1 µm and substrate temperature (Ts) of about 423 K under vacuum of about 10-5 mbar. The thin films heat treated at different annealing temperatures 423, 473, 523, 573 K. The optical measurements showed that GaAs has direct energy band gap, and the absorption coefficient decreases with increasing the annealing temperatures. The increasing of annealing temperature shifts the peak of transmittance spectrum toward the shorter wavelengths (higher energies) compared with the as-deposited thin film.

تم تحضير أغشية زرنيخات الكاليوم متعددة البلورات بسمك ~ 1 مايكرومتر على أرضيات زجاجية بواسطة تقنية التبخير ألوميضي في فراغ حوالي 10-5 ملي بار وبدرجة حرارة أرضية 423 مطلقة, حيث تم معاملتها حراريا بدرجات تلدين مختلفة 423, 473, 523 و573 مطلقة.أظهرت دراسة القياسات البصرية بأن اغشية زرنيخات الكاليوم تمتلك فجوة طاقة مباشرة و التي تزداد مع زيادة درجة حرارة التلدين. ان معامل الامتصاص يقل بزيادة درجات حرارة التلدين, و تزحف قمة طيف النفاذية نحو الاطوال الموجية القصيرة (الطاقات العالية) بزيادة درجة حرارة التلدين مقارنة مع النموذج غير الملدن.

Keywords


Article
Design Band Energy diagram of SnO2/CdS-CdTe Thin Film Heterojunction Using I-V and C-V Measurements
رسم مخطط الطاقة للمفرق الهجين للغشاء SnO2/CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار – جهد و سعة – جهد

Authors: Rasha A. Abdullah --- Mohammed. A. Razooqi --- Nada M. Saeed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 607-614
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 µm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide. The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes. The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm. There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt. The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated. The carrier transport mechanism for SnO2/CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling – recombination. The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A. Band energy lineup for SnO2/ n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.

تم تحضير المفرق الهجيني SnO2/CdS-CdTe بتقنية التبخير الفراغي الحراري,واستعمل غشاء من SnO2 ذو التركيب الناوي المحضر بسمك0.05 µm كطبقة شفافة ضد الانعكاسية , ثم تم تلدين المفرق المحضر بدرجة 573 مئوية ولمدة 180 دقيقة. تم فحص تركيب غشاء SnO2 باستخدام المجهر الالكتروني (AFM), وقد تبين بان الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 72 نانومتر, ومن تحليل لنتائج فحوصات حيود الاشعة السينية تبين بالشكل عن وجود قمتين واسعة تشير للمادة المحضرة طبقا للمقاييس الامريكية لفحوصات المواد (ASTM) .تم دراسة قياسات سعة – جهد عند تردد 100 هرتز, و قد اشارت هذه القياسات الى ان تلك المفارق هي من النوع الحاد. و قد وجد ان قيمة السعة عند الانحياز الصفري و جهد البناء الداخلي قد تناقصا بعد عملية التلدين. بينما يزداد عرض منطقة النظوب للانحياز الصفري و تركيز الحاملات مع عملية التلدين. و كانت ميكانيكية انتقال الحاملات للمفرق الهجيني عند الظلام هي أنتفاق-اعادة اتحاد. و كانت قيمة عامل المثالية 1.56 و تيار الاشباع هي 9.6×10-10أمبير. و تم ايضا دراسة مخطط حزمة الطاقة عن طريق قياسات تيار – جهد و سعة – جهد.


Article
Spectral study to investigate the structural properties of thin CdS films with different thicknesses by X-ray diffraction
دراسة طیفیة للكشف عن بعض الخصائص التركیبیة لأغشیة كبریتید الكادمیوم الرقیقة بأسماك مختلفة بواسطة حیود الاشعة السینیة

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdS Films have been evaporated by thermal evaporation techniquewith different thicknesses under vacuum of about 8 × 10-5 mbar and substrate temperature ofabout 373 K on glass substrates, the films annealed at 573K for different duration times (60,120 and180 min.). The structural properties of the films have been studied by X- raydiffraction technique, some structural parameters like miller indices, dstnd, dexp, I/Io stnd and I/Iohave been calculated and compared for the CdS alloy and films.

تم تحضير اغشية كبريتيد الكاديميوم متعددة التبلور بواسطة تقنية التبخير الحراري, باسماك مختلفة و تحت ضغط حوالي 10-5 ملي بار ودرجة حرارة أرضية حوالي 373 كلفن على شرائح من الزجاج. الخصائص التركيبية للأغشية تم دراستها بتقنية حيود الأشعة السينية. بعض الخصائص التركيبية مثل معاملات ميلر و المسافة بين المستويات ( العملية و النظرية) و الشدة النسبية (العملية و النظرية) تم حسابه و مقارنتها لسبيكة و اغشية كبريتيد الكادميوم.


Article
The Effect of CdCl2 and annealing treatments on structural properties of CdS/CdTe heterojunction
دراسة تأثير طبقة ثنائي كلوريد الكادميوم و تغير الفترة الزمنية للتلدين على الخواص التركيبية للمفرق ألهجيني CdS/CdTe

Loading...
Loading...
Abstract

CdS and CdTe thin films were thermally deposited onto glass substrate. The CdCl2 layer was deposited onto CdS surface. These followed by annealing for different duration times to modify the surface and interface of the junction. The diffraction patterns showed that the intensity of the peaks increased with the CdCl2/annealed treatment, and the grain sizes are increased after CdCl2/annealed treatment.

أغشية كبريتيد الكادميوم و الكادميوم تيلورايد الرقيقة رسبت حراريا بواسطة التبخير الحراري على شرائح زجاجية لتكوين المفرق الهجيني CdS/CdTe. و تم ترسيب مادة ثنائي كلوريد الكادميوم على سطح المفرق, ثم تبع العملية عملية تلدين في ازمنة مختلفة لترتيب السطح العلوي و السطح الفاصل للمفرق. نماذج حيود الاشعة السينية توضح بان شدة القمم تزداد مع ترسيب طبقة ثنائي كلوريد الكادميومو مع زيادة زمن التلدين و كذلك الحجم الحبيبي.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2016 (1)

2014 (1)

2012 (1)

2011 (1)

2008 (1)