research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN/Al0.3Ga0.7N nanostructured system
إعتماد عامل النفوذ للتنفق الرنيني على عرض البئر وعدد الحواجز في نظام التركيبة النانوية من GaN/Al0.3Ga0.7N

Authors: Moafak Cadim Abdulrida موفق كاظم عبد الرضا الزيدي --- Ridha H. Risan رضا حزام رسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 21 Pages: 108-115
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A numerical computation for determination transmission coefficient and resonant tunneling energies of multibarriers heterostructure has been investigated. Also, we have considered GaN/Al0.3Ga0.7N superlattice system to estimate the probability of resonance at specific energy values, which are less than the potential barrier height. The transmission coefficient is determined by using the transfer matrix method and accordingly the resonant energies are obtained from the T(E) relation. The effects of both well width and number of barriers (N) are observed and discussed. The numbers of resonant tunneling peaks are generally increasing and they become sharper with the increasing of N. The resonant tunneling levels are shifted inside the well by increasing the well width and vice versa. These features and the transmission coefficient as a function of incident energetic particles play an important role in fabrication of high speed devices and a good factor for determination the peak-to-valley ratio of resonant tunneling devices respectively.

تم البحث بإستخدام الحساب العددي في تعيين عامل النفوذية وطاقات التنفق الرنيني للتركيبة غير المتجانسة متعددت الحواجز. وكذلك أخذنا بنظر الأعتبار نظام الشبيكة الفائقة نوع GaN/Al0.3Ga0.7N لتخمين أحتمالية التنفق عند قيم الطاقة المعينة، والتي هي أقل من أرتفاع حاجز الجهد. وقد تم تعيين عامل النفاذية من خلال إستخدام طريقة مصفوفة الإنتقال وبناءاً عليه الطاقات الرنينية المستخرجة من علاقة عامل النفوذية. إن تأثيرات كل من عرض البئر وعدد الحواجز قد لوحظت ونوقشت. إن عدد قمم التنفق الرنيني تزداد بصورة عامه و تصبح أكثر حدةً مع زيادة عدد الحواجز. وأن المستويات الطاقية في التنفق الرنيني تزاح إلى داخل عمق البئر والعكس صحيح. هذه الصور بالإضافة إلى معامل النفوذ بوصفه دالة للجسيمات الطاقية الساقطة على الحاجز تلعب بالنسبة للحالة الأولى قاعدة مهمة في تصنيع نبائط عالية السرعة والحالة الثانية بمثابة عامل جيد في تعيين نسبة القمة إلى الوادي في نبائط التنفق الرنيني على التوالي.


Article
Resonance Tunneling Through GaN/AlGaN Superlattice System
التنفق الرنيني لنظام الشبيكة الفائقة GaN/AlGaN

Authors: Moafak C. Abdulrida موفق كاظم عبد الرضا --- Auday H. Shaban عدي حاتم شعبان --- Ridha H. Risan رضا حزام رسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 63-68
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The purpose of our work is to report a theoretical study of electrons tunneling through semiconductor superlattice (SSL). The (SSL) that we have considered is (GaN/AlGaN) system within the energy range of ε < Vo, ε = Vo and ε > Vo, where Vo is the potential barrier height. The transmission coefficient (TN) was determined using the transfer matrix method. The resonant energies are obtained from the T (E) relation. From such system, we obtained two allowed quasi-levels energy bands for ε < VO and one band for ε  VO.

الهدف من هذا العمل هو تقديم دراسة نظرية للتنفق الالكتروني في الشبائك الفائقة لاشباه الموصلات . ان الشبيكة الفائقة التي أخذت بنظر الإعتبار هي منظومة (GaN/AlGaN) ضمن المدى الطاقي ε < Vo و ε = Vo و ε > Vo حيث Vo تمثل ارتفاع حاجز الجهد داخل المنظومة. تم حساب معامل الانتقال (TN) باستخدام نظرية مصفوفة الانتقال. و تم الحصول على الطاقات الرنينية من علاقة (TN). ومن هكذا نظام فقد حصلنا على حزم طاقة المستويات المؤقتة المسموحة لحالة ε < VO وحزمة واحدة لـ ε  VO .

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2013 (1)

2009 (1)