research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Annealing Effect on Some Optical Properties of Cr2O3 Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis Technique
تأثير التلدين على بعض الخصائص البصرية لأغشية أوكسيد الكروم المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Saad Farhan Oboudi سعد فرحان العبودي --- Nadir Fadhil Habubi نادر فاضل حبوبي --- Sami Salman Chiad سامي سلمان جياد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 561-565
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cr2O3 thin films have been prepared by spray pyrolysis on a glass substrate.Absorbance and transmittance spectra were recorded in the wavelength range (300-900) nm before and after annealing. The effects of annealing temperature on absorption coefficient, refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant and optical conductivity were expected. It was found that all these parameters increase as the annealing temperature increased to 550°C.

تم تحضير أغشية رقيقة من أوكسيد الكروم Cr2O3 على قواعد من الزجاج باستخدام طريقة التحلل الكيميائي الحراري. سجل طيفي النفاذية والامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (300-900 ) نانومتر قبل وبعد التلدين . درس تأثير التلدين على كل من معامل الامتصاص, معامل الانكسار, معامل الخمود, ثابت العزل بجزأيه الحقيقي والخيالي, والتوصيليه الضوئية. وقد تبين ان جميع هذه الثوابت البصرية للأغشية المحضرة تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين الى 550°C.


Article
Doping Induced Changes in the Electronic Transitions of Pure and Sn-Doped ZnO Thin Films
التغيرات الناجمة عن التشويب في الانتقالات الالكترونية لأغشية أوكسيد الخارصين الرقيقة النقية والمشوبة بالقصدير

Loading...
Loading...
Abstract

The un-doped and tin (Sn) doped ZnO films were deposited by spray pyrolysis technique onto glass substrates. 0.1 M solution of zinc acetate in a mixture of ethanol and deionised water. Dopant source was tin chloride SnCl2.2H2O. The atomic percentage of dopant in solution was 2% and 4%. The effect of tin doping on the electronic transitions of ZnO films was studied. The average transmittance values for the films were (76, 84, 88) % for ZnO, ZnO:Sn 2% and ZnO:Sn 4% respectively. The optical band gaps of the films were calculated. The band gap of un-doped sample was 3.36 eV, this value decreased slightly with increasing doping concentration and became 3.17 eV for ZnO:Sn 2% and 3.1eV for ZnO:Sn 4%.

تم ترسيب أغشية رقيقة من أوكسيد الخارصين وأوكسيد الخارصين المشوب بالقصدير على قواعد زجاجية بأستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري.حضر o.1M من محلول اسيتات الخارصين مع خليط من الماء المقطر والايثانول ، اما مصدر القصدير فقد كان SnCl2.2H2O . تم دراسة تأثير نسب التشويب 2% و 4% من القصدير Sn على الانتقالات الالكترونية وفجوة الطاقه البصريه لأغشية ZnO, أن معدل قيم الامتصاصيه للأغشيه المحضره كانت( 76, 84, 88) % للأغشيه النقيه والمشوبه بالقصدير بنسبة 2% و 4% على التوالي. تم حساب فجوة الطاقه البصرية للأغشية الرقيقه حيث وجدنا أن فجوة الطاقه للأغشيه النقيه Eg= 3.36 eV تقل هذه القيمه لتصبح 3.17 eV و 3.1 eV للأغشية المشوبة بالقصدير بنسبة2% و4% .


Article
Influence of dopant concentration on Dispersion Parameters of ZnO:Sn Thin Films
تأثير التشويب على معلمات التفريق لأغشية ZnO:Sn الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Sn doped ZnO films have been deposited by spray pyrolysis technique. The films were deposited onto glass substrate at a temperature of 450°C. The effect of tin incorporation on optical properties and dispersion parameters of ZnO films has been investigated. Optical absorption measurements were also studied by UV-VIS technique in the wavelength range 300-900 nm. The optical band gap of these films was determined. The absorption edge shifted to the lower energy depending on the dopant materials. The changes in dispersion parameters and Urbach tails were investigated as a function of Sn content. The optical energy gap decreased and the wide band tails increased in width from 442 to 546 meV as the doping concentration increased from 0wt.% to 4wt.%. The single-oscillator parametere were detennined.

تم دراسة اغشية اوكسيد الزنك النقية ZnO والمشوبه بالقصدير ZnO:Sn بواسطة تقنية التحلل الكيميائي الحراري، تم ترسيب الأغشية على قواعد من الزجاح بدرجة حراره 450°C. درست ايضا القياسات البصرية حيث سجل طيف الامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (300-900) نانومتر لحساب الثوابت الضوئية. وقد تم التحقق من التغيرات في معلمات التفريق وطاقة اورباخ بزيادة نسبة التشويب بالقصدير Sn. انخفضت فجوة الطاقة الضوئية بينما ازداد نطاق عرض الذيول من 442 -546 ملي الكترون فولت بزيادة محتوى Sn من 0wt.% الى 4wt.% . كذلك تم حساب طاقة المتذبذب المفردة في معلمات التفريق قبل وبعد التشويب.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2013 (1)

2012 (1)

2011 (1)