research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
study structural and optical properties of Nanostructure ZnO Thin Film Prepared by Chemical Bath Deposited method
دراسة الخواص التركيبية والبصرية لغشاء اوكسيد الزنك الرقيق نانوي التركيب بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, Prepared ZnO Nanostructure thin flims were synthesized via chemical bath deposition method in the reaction temperature of 70°C without any posterior treatments. Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2.6H2O) were adopted as synthesis precursors and the production of ZnO nanostructures occurred in few hours. The ZnO nanostructures obtained were characterized by X-ray diffraction (XRD,AFM,UV), hexagonal structure ZnO films with grain sizes between 22nm. The transmission film 90%, morphology and optical properties of the film were also studied.

تم في هذا البحث تحضير غشاء نانوي من اوكسيد الزنك ZnOبطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي حيث رسبت الأغشية على شرائح زجاجية من محلول نترات الزنك المائية Zn(NO3)2.6H2O وبنسبة (0.2) مول/لتر وبدرجة حرارة70C وقد تم إجراء فحوصات AFM,UV) XRD,) على العينات ولوحظ بان التركيب هو من النوع السداسي متعدد التبلور والحجم الحبيبي هو( 22nm ) وان الأغشية تمتلك نفاذية عالية تصل الى 90%. كذلك تم دراسة طبوغرافية السطح وفجوة الطاقة ومعامل الامتصاص للغشاء.


Article
Fabrication of Hetrojunction Detector ZnO0.95Mg0.05/Si Using Chemical Spray Pyrolysis Method and Studying Electrical Characteristics
تصنيع كاشف مفرق هجين من أوكسيد الخارصين المشوب بالمغنسيوم /Si ZnO0.95Mg0.05 بطريقة الرش الكيميائي الحراري ودراسة خصائصه الكهربائية

Authors: Rafea A. Monef رافع عبدالله منيف --- Riad A. Asmiel رائد عبد الوهاب إسماعيل --- Sabre G. Mohmmed صبري جاسم محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 1A Pages: 135-144
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

In this work ZnO0.95Mg0.05/Si hetrojunction detector was fabricated using chemical spray pyrolysis (CSP) method. The thin films were deposited on n-type silicon using Zn(NO3)2.6H2O, for molarity (0.2 M) and substrate temperature 673 K. The carrier gas is Nitrogen.The electrical properties, voltage and short circuit current are calculated. Ideal factor was 1.8, quantum efficiency was about 65.55% at wavelength 859 nm with a value of specific defectively of (0.911012cm.HZ1/2.W-1). The maximum spectra responsively was 0.4 A/w. The calculated rise time of the detector was found to be around 50 ns.

صُنع كاشف مفرق هجين(Hetro- junction) من أوكسيد الخارصين المشوب بالمغنسيوم ZnO0.95Mg0.05/Si بطريقة الرش الكيميائي الحراري. رُسبت الأغشية على شرائح من السليكون نوع n من محلول نترات الخارصين المائية Zn(NO3)26H2O بمولآرية 0.2 و بدرجة حرارة ارضية 673K والغاز الناقل هو النتروجين. وقد تمت دراسة الخصائص الكهربائية وقياس عامل المثالية للكاشف المصنع الذي وجد ان قيمته تساوي1.8 . وكذلك تم قياس الفولتائية للكاشف المصنع وتيار دائرة القصر وفولتية الدائرة المفتوحة وأيضا قياس قيمة الاستجابة الطيفية وكانت 0.4 A/w والكفاءة الكمية إذ بلغت 65.55% عند الطول الموجي (850nm). كذلك وجد أن قيمة الكشفية النوعية هي (0.911012cm.HZ1/2.W-1) عند الطول الموجي (850nm) وان زمن النهوض للكاشف المصنع هو بحدود.(50ns)

Keywords

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

Arabic (2)


Year
From To Submit

2018 (1)

2013 (1)