research centers


Search results: Found 15

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by

Article
INVESTIGATION OF STRUCTURAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sb2S3 THIN FILMS

Author: Salma M. Shaban
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2010 Volume: 13 Issue: 1 Pages: 69-72
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Sb2S3 thin films were obtained by evaporating the powder of Sb2S3 compound onto glass substrates maintained at room temperature and at substrate temperature 423 K under vacuum pressure of (2 10-5) torr. The composition of Sb2S3 powder was determined by atomic absorption spectroscopy .The deposited films at room temperature were amorphous but the deposited films at 423K were polycrystalline structure. Optical parameters like absorption coefficient, energy gap, and refractive index were measured by the analysis of the experimental transmission spectrum over the wavelength range (200-1100) nm.

Keywords


Article
Investigation of the Dielectric Behavior and A.C. Conductivity of Cd2SnO4 Compound

Author: Salma M. Shaban
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2011 Volume: 22 Issue: 1 Pages: 145-154
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

One of the ternary oxides , like Cd2SnO4 powder was prepared by powder technology and press it as pellet of diameter 1.3 cm in order to study its structure and the behavior of complex dielectric constant and a.c. conductivity . Cd2SnO4 powder as bulk has polycrystalline structure as indicated by X-ray diffraction analysis (XRD) .Its structure has four strongest diffraction peaks as well as another peaks have different small intensities and plane of Miller indices (130) is the preferred orientation . The behavior of complex dielectric constant and overall response of conductivity for Cd2SnO4 as pellets were measured within frequency range 100 Hz to 10 MHz and temperatures range (298 – 453) K . It was found that the dielectric constant increases at lower frequency to a maximum value in a certain frequency then decreases with the increase of frequency . This peak shifts to higher value of frequency with the increase of temperature. Values of frequency exponent s for a.c. conductivity increases with the increase of temperature . Also values of activation energy increase with the increase of frequency.

حضر واحد من الاوكسيدات الثلاثية مثل Cd2SnO4 بطريقة الباودر وكبس بشكل قرص بقطر 1.3 cm لدراسة تركيبه وسلوك ثابت العزل المركب والتوصيلية المتناوبة .يملك باودر Cd2SnO4 تركيب متعدد البلورات كما بين بتحليل حيود الاشعة السينيةXRD) ) . يملك تركيبه ثلاث قمم حيود قوية وان المستوي لمعاملات ميلر130) ) هو الاتجاه المفضل . قيس سلوك ثابت العزل المركب والاستجابية الكلية للتوصيلية لاقراص Cd2SnO4 ضمن مدى التردد 100 Hzالى 10 MHz ومدى درجة الحرارة (298 – 453) K . وجد ان ثابت العزل يزداد عند الترددات الواطئة الى قيمة معينة في تردد معين ثم يقل بزيادة التردد . تزاح هذه القمة الى قيمة اعلى للتردد بزيادة درجة الحرارة . تزداد قيم التردد الاسي s بزيادة درجة الحرارة . كذلك تزداد قيم طاقة التنشيط بزيادة التردد .

Keywords


Article
Behavior of Optical Parameters of CuZnSnO4Thin Films
سلوك العوامل البصرية لاغشيةCuZnSnO4 الرقيقة

Author: Salma M. Shaban
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2015 Issue: المؤتمر العلمي الثالث لكلية العلوم Pages: 59-67
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

A compound (CuZnSnO4) as thin films is deposited by thermal evaporation method at room temperature onto glass substrates at film thicknesses (100 & 300) nm. The structure of CuZnSnO4films is amorphous as indicated by X-ray diffraction pattern. Optical parameters like, transmittance, energy gap, constants of direct transition, Urbach energy, refractive index, extinction coefficient, and complex dielectric constant are studied. A good property for this compound, it can be used as window layer or absorbance layer with the variation of film thickness.

رسب مركب (CuZnSnO4) كاغشية رقيقة بطريقة التبخير الحراري في درجة حرارة الغرفة على قواعد زجاجية ولاسماك غشاء (100 &300) nm . التركيب عشوائي لاغشية (CuZnSnO4) كما بين نموذج حيود الاشعة السينية . درست العوامل البصرية مثل النفاذية, فجوة الطاقة, ثابت الانتقال المباشر, طاقة اورباخ, معامل الانكسار, معامل الخمود وثابت العزل المركب. خاصية جيدة لهذا المركب حيث يمكن استخدامه كطبقة نافذة او ماصة بتغير السمك.


Article
Optical Properties for SeTe Thin Films
الخصائص البصرية لآغشية SeTe الرقيقة

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2008 Volume: 5 Issue: 4 Pages: 577-580
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Chalcogenide glasses SeTe have been prepared from the high purity constituent elements .Thin films of SeTe compound have been deposited by thermal evaporation onto glass substrates for different values of film thickness . The effect of varying thickness on the value of the optical gap is reported . The resultant films were in amorphous nature . The transmittance spectra was measured for that films in the wavelength range (400-1100) nm . The energy gap for such films was determined .

حضرت الجالكوجينات الزجاجية SeTe من العناصرSe,Te ذات نقاوة عالية . تم ترسيب الاغشية الرقيقة من مركب SeTe على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري وباسماك مختلفة .درس تاثير تغير السمك على فجوة الطاقه . كانت الاغشية المرسبة ذات تركيب عشوائي . قيس طيف النفاذية للاغشية ضمن المدى (400-1100) nm . وحسبت فجوة الطاقة لهذه الاغشية .

Keywords


Article
Effect of Pb dopant On A.C mechanism of ZnS thin films
تأثير المطعم Pb على الميكانيكية المتناوبة A.C لأغشية ZnS الرقيقة

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 25 Pages: 80-88
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Vacuum evaporation technique was used to prepare pure and doped ZnS:Pb thin films at10% atomic weight of Pb element onto glass substrates at room temperature for 200 nm thickness. Effect of doping on a.c electrical properties such as, a.c conductivity, real, and imaginary parts of dielectric constant within frequency range (10 KHz - 10 MHz) are measured. The frequency dependence of a.c conductivity is matched with correlated barrier hoping especially at higher frequency. Effect of doping on behavior of a.c mechanism within temperature range 298-473 K was studied.

استخدمت طريقة التبخير الفراغي لتحضير اغشية رقيقة نقية ومطعمة من ZnS:Pb ل 10% من الوزن الذري لعنصر Pb على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة ولسمك 200 nm. درس تاثير التطعيم على الخواص الكهربائية المتناوبة مثل التوصيلية المتناوبة, ثابت العزل الحقيقي والخيالي ضمن مدى تردد (10 KHz – 10 MHz). طبق نموذج Correlated Barrier hoping لاعتماد التوصيلية المتناوبة على التردد خصوصا بالتردد العالي. درس تاثير التطعيم على سلوك ميكانيكية a.c ضمن مدى درجات حرارة 473 – 298 K.


Article
Temperature Dependence of AC Conductivity and Complex Dielectric Constant of Cd2Si1-xGexO4 Compound
اعتماد التوصيلية المتناوبة وثابت العزل المركب على درجة الحرارة لمركب Cd2Si1-xGexO4

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2015 Volume: 56 Issue: 2B Pages: 1409-1415
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, samples of Cd2Si1-xGexO4 prepared by powder technology for (x = 0, 0.3, 0.6) were studied. The effect of (Ge) additives at different ratio of Ge (x=0, 0.3, 0.6) on the behavior of dielectric constant, dielectric loss and a,c conductivity were measured as a function of temperature at a selected frequencies (0.01 – 10) MHz in the temperature range 298 K to 473 K. The dielectric constant and dielectric loss obtained different behavior with the additives of (Ge). The activation energy for the electrical conduction process was studied.

في هذا العمل , درست نماذج Cd2Si1-xGexO4 المحضرة بتكنولوجيا المساحيق للنسب (x = 0, 0.3, 0.6) . درس تاثير اضافة Ge لنسب مختلفة من Ge (x = 0, 0.3, 0.6). على ثابت العزل , فقد العازل والتوصيلية المتناوبة كدالة لدرجة الحرارة ولترددات مختارة (0.01 – 10) MHz في مدى درحات الحرارة 298 كلفن الى 473 كلفن. اكتسب ثابت العزل وفقد العازل سلوك مختلف باضافة Ge . تم دراسة طاقة التنشيط لعملية التوصيل الكهربائي.


Article
Effect of Tin Additive in Cadmium Sulfide Thin Films on ac Mechanism and Cole-Cole Diagram
تاثير اضافة القصدير باغشية كبريتيد الكدادميوم الرقيقة على الميكانيكية المتناوبة ومخطط Cole-Cole

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2015 Volume: 7 Issue: 2 English and Arabic Pages: 47-53
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Thin Films of pure and Sn doped CdS have been prepared via thermal evaporation method onto glass substrates at room temperature at 600 ± 10 nm film thickness. Real and imaginary ( ) part of dielectric constant, ac conductivity (σac) and cole - cole diagram of thin films for Sn ratios (0%, 10%, 25& , and 30%) have been studied at room temperature as a function of frequency range (20 kHz - 4 MHz). The results indicated that the dielectric constant increases with the increase of Sn concentration but it decreases with the increase of frequency. The mechanism of ac conductivity matches with correlated barrier hoping model. From cole-cole diagram, the polarization and the relaxation time increase with the increase of concentration.

حضرت اغشية CdS النقي والمطعم بال Sn الرقيقة بطريقة التبخير الحراري على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة ولسمك غشاء 600 ± 10 nm . درس الجزأ الحقيقي والخيالي (( لثابت العزل, التوصيلية المتناوبة (σac) ومخطط cole – cole لاغشية CdS:Sn لنسبة Sn (0%, 10%, 25& , and 30%) عند درجة حرارة الغرفة ولمدى تردد (20 kHz - 4 MHz) . بينت النتائج زيادة ثابت العزل مع زيادة تركيز Sn ولكن يتناقص مع زيادة التردد. تطابقت ميكانيكية التوصيلية المتناوبة مع نموذج القفز فوق الحاجز. من مخطط cole – cole , زيادة زمن الاسترخاء مع زيادة التركيز.


Article
Effect of (CuPb) Substitution on Optical Parameters of Bi2-x(CuPb)xSr2Ca2Cu3O10+δ Thin Films

Authors: Salma M. Shaban --- Bushra Salman Mahdi
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2019 Volume: 00 Issue: 2 Pages: 38-42
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of Bi2-x(CuPb)xSr2Ca2Cu3O10+ compound (x  0, 0.1, 0.2, and 0.4) were prepared by Pulse laser deposition (frequency 6 Hz, energy 500mJ, pulses 500, vacuum 101 Tor and 1 Cm distance between the substrate and the target) at room temperature of 300 nm thickness onto cleaned glass substrates. Optical measurements for all values of x indicate the same value of transmittance (97.76) but at different positions of wavelengths with shifting towards short wavelength within the extreme wavelength range (200-1100) nm. High optical energy gap for films is at x  0. The reflectance approaches to zero at for all values of x. Atomic force microscopy and photoluminescence for the films are studied.


Article
Optical Properties of GaN Thin Flim
الخصائص البصرية لأغشية GaN الرقيقة

Authors: Salah Ed-Din Mansure صلاح الدين منصور --- Salma M Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 59-62
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

GaN thin films were deposited by thermal evaporation onto glass substrates at substrate temperature of 403 K and a thickness of 385 nm . GaN films have amorphous structure as shown in X-ray diffraction pattern . From absorbance data within the range ( 200-900 ) nm direct optical energy gap was calculated . Also the others optical parameters like transmittance T, reflectance R , refractive index n , extinction coefficient k , real dielectric constant , and imaginary dielectric constant were determined . GaN films have good absorbance and minimum transmittance in the region of the visible light .

رسبت أغشية GaN الرقيقة على قواعد زجاجية بدرجة حرارة قاعدة 403 Kوسمك 385 nm . أظهر نموذج حيود الاشعة السينية التركيب العشوائي لمركب GaN . حسبت فجوة الطاقة البصرية المباشرة من قيم الامتصاصية ضمن المدى (200-900) nm . كذلك حسبت العوامل البصرية الاخرى مثل معامل الانكسار R , النفاذية T , مغامل الخمود k , ثابت العزل الحقيقي , ثابت العزل الخيالي . وجد ان أغشيته تمتلك امتصاصية عالية واقل نفاذية في منطقة الضوء المرئي .

Keywords

GaN Thin Flim


Article
Effect of Pb percentage on optical parameters of PbxCd1-xSe thin films
تأثير نسبة اضافة الرصاص على الخصائص البصرية للغشاء الرقيق PbxCd1-xSe

Authors: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان --- Farah Q. Kamil فرح قحطان كامل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 29 Pages: 1-7
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

PbxCd1-xSe compound with different Pb percentage (i.e. X=0, 0.025, 0.050, 0.075, and 0.1) were prepared successfully. Thin films were deposited by thermal evaporation on glass substrates at film thickness (126) nm. The optical measurements indicated that PbxCd1-xSe films have direct optical energy gap. The value of the energy gap decreases with the increase of Pb content from 1.78 eV to 1.49 eV.

تم تحضير سبائك PbxCd1-xSe بنسب مختلفة من الرصاص (i.e. x=0, 0.025, 0.050, 0.075, 0.1) رسبت اغشية رقيقة من هذه المركبات باستعمال تقنية التبخير الحراري وسمك 126 nm.اظهرت القياسات البصرية ان الاغشية المحضرة تمتلك فجوة طاقة مباشرة وان فجوة الطاقة البصرية تناقصت بزيادة تركيز الرصاص من 1.78 eV الى1.49 eV .

Keywords

PbxCd1-x Se --- percentage --- optical --- parameters.

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (15)


Language

English (15)


Year
From To Submit

2019 (2)

2016 (2)

2015 (4)

2014 (1)

2012 (1)

More...