research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Fabrication of Photodetector and Study of Its Structural and Optical Properties of Cadmium Oxide Thin Films Prepared by Vacuum Thermal Evaporation Method
تصنيع كاشف ضوئي ودراسة خصائصه التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد الكادميوم المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ

Loading...
Loading...
Abstract

The fabricated Photodetector n-CdO /-Si factory thin films Altboukaraharara spatial silicon multi- crystallization of the type (n-Type) the deposition of a thin film of cadmium and at room temperature (300K) and thickness (300 ± 20nm) and the time of deposition (1.25sec) was antioxidant thin films cadmium (Cd) record temperature (673k) for one hour to the presence of air and calculated energy gap optical transitions electronic direct ( allowed ) a function of the absorption coefficient and permeability and reflectivity by recording the spectrum absorbance and permeability of the membrane record within the wavelengths (300 -1100nm). was used severalthe bias ranged between 1-5 Volts. The results showed that this reagent works to the extent spectral 400-1000 nm current revealed these findings also said that factor ideal growing thin films CdO which gives a clear indication of the increased concentration of defects.It Showed the results of measuring volume - an effort that the detector of the type of acute if the value of effort internal construction less CdO of thin films . The studies of the response spectrum showed that these reagents responsiveness characterized Bakmtin : the first at the wavelength of 600 nm and the second at the wavelength 800 nm. The highest value for the responsiveness 0.46 A / W at 800 nm wavelength and using siding

صنع كاشف ضوئي n-CdO/ -Si والمصنع بطريقة التبخير الحراري الفراغي ودراسة خصائصه التركيبيه والبصرية حضرت شرائح من السليكون متعددة التبلور من نوع (n-Type) تم ترسيب غشاء رقيق من مادة الكادميوم وبدرجة حرارة الغرفة (300K) وسمك (300±20nm) وزمن ترسيب (1.25sec) . انجز بأكسدة غشاء Cd فـي فرن كهربائي نوع (Vectoreenعندبدرجة حرارة (673k) مدة ساعة كاملة ، وتمت الأكسدة بوجود الهواء ، وبعد (24) ساعة تخرج العينات من الفرن وحسبت فجوة الطاقة البصرية للانتقالات الالكترونية المباشرة(المسموحة) دالة لمعامل الامتصاص و النفاذية والانعكاسية من خلال تسجيل طيف الامتصاصية والنفاذية للغشاء المحضر ضمن الاطوال الموجية (300-1100nm) استخدام عدة فولتيات انحياز عدة تراوحت بين 1-5 Volts. فقد أوضحت النتائج إن هذا الكاشف يعمل بالمدى الطيفي 400-1000 nm خصائص تيار-جهد إن كل من تيار الظلام وتيار الضوضاء.إن الدراسات الخاصة بالاستجابة الطيفية بينت إن لهذه الكواشف استجابية تتميز بقمتين: الأولى عند الطول الموجي 600 nm والثانية عند الطول الموجي 800 nm. وبلغت أعلى قيمة للاستجابية 0.46 A/W عند الطول الموجي 800 nm وباستخدام جهد انحياز 3 Volts وإن الكفاءة الكمية القصوى بلغت 71% وأعلى قيمة للكشفية


Article
The Structural and Optical Properties of Zinc Telluride Thin Films by Vacuum Thermal Evaporation Technique
لخواص التركيبية والبصرية لاغشية ZnTe والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Samir A. Maki سمير عطا مكي --- Hanan K. Hassun حنان كاظم حسون
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042/25213407 Year: 2016 Volume: 29 Issue: 2 Pages: 70-80
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Different thicknesseses of polycrystalline ZnTe films have been deposited on to glasssubstrates by vacuum evaporation technique under vacuum 2.1x10-5 mbar. The structuralcharacteristics studied by X-ray diffraction (XRD) showed that the films are polycrystallineand have a cubic (zinc blende ) structure. The calculated microstructure parameters revealedthat the crystallite size increases with increasing film thicknesses. The optical measurementson the deposited films were performed in different thicknesseses [ 400 , 450 and 500]nm, todetermine the transmission spectrum and the absorption spectra as a function of incidentwavelength. The optical absorption coefficient (α) of the films was determined fromtransmittance spectra in the range of wavelength (400-1100) nm. The dependence ofabsorption coefficient, on the photon energy showed the occurrence of a direct transition withband gap energy from 2.24eV to 1.92eV (for ZnTe films of different thicknesseses), wherewith high film thicknesses there are several energy levels resulting in several overlappingenergy bands in the band gap of these films. The overlapping energy bands therefore tend toreduce the energy band gap, resulting in lower band gaps for thicker films.

المتعددة التبلور على ارضية من الزجاج وباسماك مختلفة باستعمال تقنية التبخير الحراري بالفراغ ZnTe رسبت اغشية2.1 وبدرجة حرارة الغرفة . تم دراسة الخواص التركيبية من خلال حيود الاشعة السينية قد x10-5 mbar تحت ضغطوهوالتركيب (Zinc-blende structure) اظهرت النتائج بأن الاغشية متعددة التبلور وهي من نوع ركاز الزنكالمكعبي. وكشفت الحسابات التركيبية للحجم الحبيبي بأنه يزداد مع زيادة سمك الاغشية .وحددت القياسات البصرية للاغشية400 ] طيف النفاذية والامتصاصية كدالة للطول الموجي ,ومن طيف , 450 and 500 ]nm المرسبة باسماك مختلفة400-1100 ) تم تحديد معامل الامتصاص البصري . وكان الانتقال المباشر لفجوة ) nm النفاذية لمدى الاطوال الموجيةوللاسماك المختلفة ) التأثير في اعتماد معامل الامتصاص في فجوة ZnTe 1.92 ( لاغشية eV 2.24 الى eV الطاقة منالطاقة والاستدلال على فجوة الطاقة من سمك الغشاء .


Article
The Structural and Surface Morphology Properties of Aluminum Doped CdO Thin Films Prepared by Vacuum Thermal Evaporation Technique.
الخواص التركيبيةومورفولوجية السطح لأغشية(Al) النقيةوالمشوبة ب(CdO)والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Loading...
Loading...
Abstract

Undoped and Al-doped CdO thin films have been prepared by vacuum thermal evaporation on glass substrate at room temperature for various Al doping ratios (0.5, 1 and 2)wt.% . The films are characterized by XRD and AFM surface morphology properties. XRD analysis showed that CdO:Al films are highly polycrystalline and exhibit cubic crystal structure of lattice constant averaged to 0.4696 nm with (111) preferred orientation. However, intensity of all peaks rapidly decreases which indicates that the crystallinity decreases with the increase of Al dopant. The grain size decreases with Al content (from 60.81 to 48.03 nm). SEM and AFM were applied to study the morphology and to estimate the surface roughness of the obtained films. All films were homogeneous and smooth, with a characteristic spherical grain size depending on Al content. The )RMS) roughness of the films increases with the increase of Al dopant.The improvement of the structural and surface morphology properties of Al-doped CdO has potential applications for different optoelectronic device applications

حضرت أغشية أوكسيد الكادميومCdO)) الرقيقة النقية والمشوبة ب(Al) بنسب تشويب (0.5, 1, 2)% وبإعتماد تقنية التبخير الحراري الفراغي على أرضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفة. دُرست الخواص التركيبية بأستخدام تقنية (XRD), وكذلك مواصفات مورفولوجية السطح للأغشية المحضرة بإستخدام تقنية (AFM) و(SEM) . أظهرت نتائج قياسات حيود الأشعة السينية XRD)) إن جميع الأغشية المحضرة النقية والمشوبة كانت ذا تركيب بلوري متعدد التبلور ومن النوع المكعب الذي يمتلك ثابت شبيكة طوله nm 0.4696مع هيمنة النمو بالإتجاه (111) للأغشية النقية والمشوبة كافة مع إزاحة في زاوية الحيود, وحدوث أنخفاض في شدة القمم المقاسة مما يدل على نقصان التبلور وتناقص واضح أيضاً يظهر في معدل الحجم الحبيبي nm (60.81-48.03) عند زيادة التشويب بالألمنيوم (Al). أستخدمت تقنية مجهر القوة الذرية (AFM) والمجهر الإلكتروني الماسح (SEM) لدراسة طوبوغرافية وخشونة سطوح الأغشية الرقيقة المحضرة. أظهرت نتائج فحوصات المجهر أن جميع الأغشية متجانسة وناعمة وأن شكل الحجم الحبيبي المتكون أشبه بالشكل الكروي بالأعتماد على نسبة التشويب, مع زيادة معدل خشونة السطح (RMS) بإزدياد نسبة التشويب. وأظهرت النتائج أن الخواص التركيبية ومورفولوجية السطح تتحسن لأغشيةCdO بعد تشويبها بنسب قليلة جداً من Al مما يجعل هذه الأغشية واسعة التطبيقات في مجال النبائط الالكتروضوئية.


Article
Effect of Doping Cu on the Structural and Optical Properties of (CdTe) Thin Films
تأثير التشويب بالنحاس على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studied the structural and optical properties of (CdTe) thin films which have been prepared by thermal evaporation deposition method on the glass substrate at R.T with thickness (450  25) nm., as a function of doping ratio with copper element in (1,3,5) % rate .The structure measurement by X-ray diffraction (XRD) analyses shows that the single phase of (CdTe) with polycrystalline structure with a preferred orientation [111]. The optical measurement shows that the (CdTe)films have a direct energy gap, and they decrease with the increase of doping ratio reaching to 5% . The optical constants are investigated and calculated, such as absorption coefficient (α), refractive index (n) , extinction coefficient (k) and the dielectric constants (Є) with both parts real and imaginary for the wavelengths in the range (300-1100) nm, before and after doping processes.

تناول هذا البحث دراسة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم(CdTe ) الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري بالفراغ ,وبسمك450±25)nm ) والمرسبة على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة الغرفة (R.T) , دالة لتغير نسب التشويب بعنصر النحاس (Cu ) بالنسب (1,3,5 % ).لقد اظهرت نتائج الفحوصات التركيبية بحيود الأشعة السينية (X-ray ) ان تركيب الأغشية المحضرة هو من النوع المتعدد التبلور وبالاتجاه السائد[111] .ومن خلال القياسات البصرية تبين ان لأغشية تيليرايد الكادميوم فجوة طاقة مباشره تقل قيمتها بزيادة نسب التشويب وصولا للنسبة (5% ).حُسبت الثوابت البصرية مثل معامل الامتصاص (α),ومعامل الانكسار(n),ومعامل الخمود (k),وثابت العزل (ϵ) بجزأيه الحقيقي والخيالي ضمن الطول الموجي 300-1100) nm ) قبل عملية التشويبوبعدها.


Article
The Optical Properties of Aluminum Doped CdO Thin Films Prepared by Vacuum Thermal Evaporation Technique
(Al) النقية و المشوبة ب(CdO)الخواص البصرية لأغشية والمحضرة بتقنية التبخير الحراري في الفراغ

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thin films of undoped and Al-doped CdO with (0.5, 1 and 2) wt.% were prepared by using thermal vacuum evaporation on glass substrate at room temperature. The optical absorption coefficient (α) of the films was determined from transmittance spectra in the range of wavelength (400-1100) nm. The spectral transmission and the optical energy band gap decrease from 75% and 2.24 eV to 20% and 2.1 eV respectively depending upon the Al content in the films, also our studies include the calculation of the optical constants (refractive index, extinction coefficient, real and imaginary part of dielectric constant) as a function of photon energy. It is evaluated that the optical band gap of the CdO film could be controlled by Al-doping. The width of localized states in the optical band gap of the films increases with the increase of Al content. The improvement of the optical constant of Al-doped CdO has potential applications as transparent conducting oxide for different optoelectronic device applications.

حضرت أغشية أوكسيد الكادميومCdO) ) الرقيقة النقية والمشوبة ب(Al) بنسب تشويب (0.5, 1, 2)% وبإعتماد تقنية التبخير الحراري الفراغي على أرضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفة, وحُسِب معامل الإمتصاص البصري(α) للأغشية الرقيقة من خلال طيف النفاذية بصفته دالة للطول الموجي ضمن المدى (400-1100) nm. ومن خلال النتائج وُجِد أن كِلا قيمتي النفاذية وفجوة الطاقة البصرية تتناقصان من 75% و2.24eV إلى 20% و2.1eV على الترتيب, وبالإعتماد على نسبة تشويب الألمنيوم Al)) في الأغشية المحضرة. وكذلك أحتوت الدراسة على حسابات الثوابت البصرية (معامل الإنكسار, معامل الخمود, وثابتي العزل الحقيقي والخيالي) بصفتها دالة لطاقة الفوتون الساقط على الغشاء. وقد وجد ان قيم فجوة الطاقة لغشاء CdO يمكن التحكم بها عن طريق نسبة التشويب بالألمنيوم بسبب زيادة عرض المستويات الموضعية في منطقة فجوة الطاقة البصرية للأغشية. وأظهرت النتائج أن تحسين الثوابت البصرية لأغشيةCdO:Al يجعل هذه الأغشية واسعة التطبيقات بصفتها أكـاسيد موصلـةشفـافة في مجال النبائط الالكتروضوئية

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

Arabic and English (5)


Year
From To Submit

2016 (1)

2014 (4)