research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
Production of Silver Nanowires From Silver Nanoparticles by Thermal Treatment

Author: Suaad .S.Shaker
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 341-348
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Silver nanowires (Ag NWs) have been attracted much attention in recent years .view of the extensive its use in various fields. Ag NWs were successfully prepared by two steps firstly electrochemical method and heating secondly silver nanoparticles colloidal solution at different temperature. The optical results show that the position of the plasmon absorption peak depends on the particle size and shape and the adsorption of surfactant to the particle surface. It was noticed that the plasmon absorption peak shifts toward shorter wavelengths (blue shift) as increased temperature.SEM result appeared that silver nanoparticles transformed to Silver nanowires by heating. XRD results explained that the intensity of peak at 64.46° was increased as heating increase much higher at 38.18° which indicted wire growth . The results zeta potential showed that all samples preparation shown across all the zeta potential tests were negative .


Article
Preparation and Study the Characteristics of Tungsten Trioxide Thin Films for Gas Sensing Application

Author: Suaad.S.Shaker
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 462-469
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, Tungsten Trioxide thin films were successfully synthesized at different substrate temperatures by pulse laser deposition. Structural, morphological and electrical properties of WO3 thin films, were investigated by X-ray diffraction (XRD), Atomic Force Microscope AFM), Scanning Electron Microscope (SEM), Hall Effect and sensing measurements. The results was indicated that WO3 thin films prepared at 450ᵒC was optimum condition where sensitivity toward H2S gas has been measured, sensitivity was higher than other films preparation at (250ᵒC,350ᵒC) temperature.


Article
Oxygen Effect on Nanostructure Sno2 Films and Morphology by Pulsed Laser Deposition
تاثيرضغط الاوكسجين على التراكيب النانويه والمورفوليجيه لاغشيه ثنائي اوكسيد القصدير بطريقه الترسيب بلليزرالنبضي

Authors: Suaad .S.Shaker --- Adawiya J. Haider
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 232-238
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This work includes the deposition of SnO2 as a thin film on Si (111) by using the pulsed laser deposition method. The influences of oxygen pressure on the structural properties of Tin dioxide films were investigated. The X-ray diffraction results show that the structure of the films change from high polycrystalline to worse polycrystalline at an oxygen pressure of 10mbar. The surface morphology of the deposits materials was also studied by using a scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM). The results show that, the grain sizes of the nano particles observed at the surface depends on the oxygen pressure. As the pressure of the O2 gas increases the densities of the particles increases too. An oxygen pressure of 5×10-1 mbar was found the best pressure for the growth process. While the RMS roughness was seen to increase with increasing oxygen pressure. It was equal to (11.3 nm) for thin films deposited at (300)ºC.

يتضمن هذا البحث ترسيب ثاني اوكسيد القصدير كأغشيه رقيقه على السليكون باستخدام طريقه الترسيب بلليزر النبضي. وقد تم منا قشة تاثيرضغط الاوكسجين على الخصائص التركيبيه لاغشيه ثنائي اوكسيد القصدير . و بينت نتائج حيود الاشعه السينيه ان تركيب الاغشية قد تغير من تبلور عالي الى تبلور قليل عند ضغط الاوكسيجين 10ملي بار . اما مورفولوجا السطح للماده المترسبه فقد تم دراسته ايضا باستخدام المجهر الماسح الالكتروني ومجهر القوى الذريه. وقد بينت النتائج ان الحجم الحبيبي للجسيمات النانويه عند السطح يعتمد على ضغط الاوكسجين. عند زياده ضغط الاوكسجين فان كثافه الجسيمات تزداد ايضا. حيث وجد ان ضغط اوكسجين ( 5× 1-10) ملي بار كان افضل ضغط خلال عمليه النمو. بينما لوحظ بان الخشونه انها تزداد مع زياده ضغط الاوكسجين. و كانت تساوي ( 11.3)نانو للاغشيه المرسبه عند درجه حراره 300 سيليزي.


Article
Influence of Deposition Temperature on Structure and Morphology of Nanostructured Sno2 Films Synthesized By Pulsed Laser Deposition (PLD)
ثاثير درجه حرارة الترسيب على بنية ومورفولوجي التراكيب النانويه لأغشيه ثنائي اوكسيد القصدير المحضرة بطريقه الترسيب بلليزر النبضي

Authors: Suaad .S.Shaker --- Adawiya J. Haider
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 453-460
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Nanostructured Tin oxide thin films were deposited on the Si (111) substrate using pulsed laser deposition technique at different substrate temperatures (200, 300,400 and 500 °C) in an oxygen pressure (5*10-1 mbar). The structure and morphology of the as-deposited films indicate that the film crystallinity and surface topography are influenced by the deposition temperature by changing from an almost amorphous to crystalline nanostructure and rougher topography at a higher substrate temperature. Hall Effect has been studied to estimate the type of carriers, from the result we deduced that the SnO2 thin films are n-type.

التراكيب النانويه لثنائي اوكسيد القصدير المرسبة على قواعد من السليكون(111) باستعمال تقنيه الترسيب بالليزر النبضي وبمختلف درجه حرارة الترسيب (200°C,300°C,400°C,500°C) في ضغط أوكسجين 5*10-1 mbar) ). بينت التراكيب ومورفو لجيه الاغشيه المرسبة ان تبلور الغشاءو الطوبوغرافيا الأسطح قد تتاثر بدرجه حرارة الترسيب بواسطة التغير من عديم التبلور الى تراكيب نانويه متبلورة ومع أسطح خشنه عند درجه الحرارة العالية .وتم دراسة تاثير هول وبينت النتائج ان اغشيه ثنائي اوكسيد القصدير هي من النوع السالب .


Article
Antimicrobials Nano-Fiber PVA Pure and PVA: TiO2 for Filtration Applications
البولي فينيل الكحول النقي والمشوب بثاني اوكسيد التيتانيوم ضد المايكروبات لتطبيقات الفلاتر

Authors: Aus A.Najim --- Suaad S. Shaker
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 753-760
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, polyvinyl alcohol composite polymer membrane was successfully synthesized pure and at different TiO2 concentrations (1%, 3%). The diameter of the PVA–TiO2fibers ranged from 100 to 200 nm. X-ray diffraction analysis indicated that the main crystal structure was amorphous and there are no any sign of Anatase or Rutile or Brookite when increased TiO2 concentrations to3% .absorption properties of polymeric membranes doped absorb of increases compare with of the undoped membrane. PVA pure nano-fibers membrane less zone of inhibition than PVA : 0.1 TiO2nano-fibers membrane and PVA : 0.3 TiO2nano-fibers membrane against gram-negative(Pseudomonas and Salmonella) and gram-positive (Staphylococcus aureus (S. aureus)).

في هذه الدراسه ،تم تصنيع غشاء و بنجاح لبوليمر البولي فينيل الكحول النقيه والمشوبه بتراكيز مختلفه (1٪، 3٪) لاوكسيد التيتانيوم .قطر الفايبر لبولي فينول المشوب باوكسيد التيتانيوم يتراوح من 100 الى 200 نانو متر.اكدت نتائج حيود الاشعه السينيه ان معظم التراكيب البلوري كان عشوائي ولاتوجد اي اشاره على وجود اي طور من اطوار اوكسيد التيتانيوم Anatase) و Rutile وBrookite) عندما ازداد تركيز الشوائب الى 3)٪) . الخصائص البصريه للاغشيه البولمريه المشوبه اعلى امتصاص مقارنه مع الغير مشوبه .النانوفايبر النقي اقل منطقه تثبيط مقارنه المشوب (1٪، 3٪) باوكسيد التيتانيوم ضد نوعين من البكتريا السالبه Pseudomonas and Salmonella)) والموجبه Staphylococcus aureus (S. aureus)))


Article
Effect of Laser Pulses on Characterization of Zincoxide Thin Film Prepared by PLD

Authors: Majid S. Khalaf --- Asma H. Mohammed --- Suaad S. Shaker
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2018 Volume: 36 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 93-97
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, ZnO thin films have been deposition using pulsed laserdeposition (PLD) method on glass and Si (111) substrates at different laserpulsed. Some properties of ZnO thin films were studied, the results of XRDexplain Zinc oxidethin films with hexagonal wurtzite structure with thicknessabout 155and 200 nm. FTIR spectrum shows the existence of Zn – O bond thatappear the texture of ZnOnanostructures. The root mean square of thin filmswere explained with the range 8.31–15.2 nm with particle size about 41.6 -45.41and was only slightly dependent on number of laser pulses. Zinc oxide thinfilms showed transmittance of over 80% .The photovoltaic characteristicsindicated an increase the short circuit current-open circuit voltage withillumination power as increased number of laser pulses resulted increasing offilm thickness.


Article
Behavior of A.C conductivity and Complex dielectric constant of ZnS Thin Films
سلوك التوصيلية الكهربائية AC وثابت العزل الكهربائي للاغشية لكبريتيد الخارصين الرقيقة ZnS

Authors: Zainab Taha A --- Khitam S. Shaker --- Suaad S. Shaker --- Raghdaa Hameed Hani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 745-752
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of temperature on dielectric properties of the prepared ZnS thin films by chemical bath deposition at film thickness (200) nm deposited at substrate temperature 333 K, was measured at frequency range (0.04-10 MHz) in the temperature range (298- 473) K .The temperature – dependent of electrical conductivity, the real and imaginary parts of the complex dielectric constant are calculated at the selected frequencies. The frequency exponent n, and the activation energy, Ea, are determined. The a.c. conduction mechanism of ZnS films has been explained on the basis of hopping of charge carriers.

تأثير درجة الحرارة على خصائص العازلة للكهربائيةللأغشية الرقيقة ZnSالمرسبة بطريقة الترسيب الحمام الكيميائيلغشاء ذات سماكة (200) نانومتر ومرسب على ركيزة في درجة حرارة 333 K، تم القياس في مدى التردد (0،04 حتي 10 ميغاهيرتز) في نطاق درجات الحرارة (298- 473 ) K. تم حساب درجة الحرارة -المعتمدةعلى التوصيلية الكهربائية، والأجزاء حقيقية والخيالية لثابت العزل الكهربائي المعقد في ترددات محددة. كما وتم تحديد مركبة التردد، وطاقة التنشيط،. تم توضيح ميكانكية التوصيل الكهربائي المتناوب للاغشية الرقيقة على أساس التنقل من حاملات الشحنة.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2018 (1)

2016 (2)

2015 (2)

2014 (1)

2013 (1)