research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Effect of Substrate Temperatures on the Structural and Optical Properties of Na-Doped ZnO Thin Films
تأثير درجات حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية ZnO الرقيقة المطعمة بـ Na

Author: Suha A. Najim سهى عبد الله نجم
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 2E Pages: 82-92
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

ZnO thin films doped with Na have been prepared by chemical vapor deposition technique on the glass substrate at different temperatures (400, 450, 500 ˚C) for 20 min. By increasing the dopant Na from 0 to 20% in ZnO thin films were found to lead to pronounced changes in their structure. From optical properties the band gap energy of the Na-doped ZnO thin films is affected by increasing substrate temperatures and Na doping. X-ray diffraction (XRD) has shown that the maximum intensity peak corresponds to the (002) predominant orientation for ZnO films. Scanning Electron Microscope (SEM) images reveal the formation of Na-doped ZnO films having better crystalline behavior by increasing the substrate temperature at 500˚C. Energy dispersive X-ray analysis (EDXA) shows that the structure of ZnO contains Zn and O elements for undoped and Na for doping state

حضرت أغشية ZnO الرقيقة المطعمة بالصوديوم (Na) بواسطة تقنية ترسيب البخار الكيميائيchemical vapor deposition (CVD) على أرضية من الزجاج عند درجات حرارة مختلفة (400, 450, 500 ˚C) لمدة 20 دقيقة. عند زيادة التطعيم منNa (0-20%) في أغشية ZnO الرقيقة وجد حصول تغييرات واضحة في التركيب البلوري. من الخواص البصرية وجد أن فجوة الطاقة لأغشية ZnO المطعمة بـ Na تتأثر بزيادة درجات حرارة الأرضية وبنسب التطعيم بـ Na. من حيود الأشعة السينية (XRD) تبين أن قمة الشدة العظمى تقابل الاتجاه (002) وهو الاتجاه السائد في أغشية ZnO. تبين صور المجهر الالكتروني الماسح (SEM) أن أغشية ZnO المطعمة بـ Naتكون ذات حالة بلورية أفضل بزيادة درجة حرارة الأرضية عند 500 ˚C. أما تقنية التحليل الطاقي (EDXA) فتوضح أن أغشية ZnO غير المطعمة تحتوي على عناصر الخارصين Zn والأوكسجين Oوبالإضافة إلى ذلك فإنها تحتوي على عناصر Na في حالة التطعيم


Article
The Effect of Al Doping on Structural, Electrical and Optical Properties of CdSe Films
تأثير تطعيم Al على الخواص التركيبية، الكهربائية والبصرية لأغشية CdSe

Authors: Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 164-172
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe thin films were deposited on glass substrates by chemical bath deposition technique. The deposited CdSe thin films were annealed by thermal evaporation for (1h) at 250 ˚C. The samples were then coated with a different thicknesses of thin Al films (50, 100, 150, 200) Å by thermal evaporation method which then annealed at (1h,250˚C). The structural, optical, and electrical properties of deposited and doped samples were studied. The X-ray diffraction analysis showed that the films have polycrystalline structure of hexagonal type. From optical properties, the band gap energy of undoped CdSe thin film was 2 eV and it is decreased by increasing of Al doping. Electrical resistivity of the doped films showed a decrease with the increase of the Al concentration. The doped and undoped samples revealed that the conductivity was n-type

تم ترسيب أغشية CdSe الرقيقة على أرضية من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)). أغشية CdSe الرقيقة المرسبة تم تلدينها بالتبخير الحراري لمدة ساعة عند 250 ˚C. العينات تم تطعيمها بغشاء من الألمنيوم الرقيق وبأسماك مختلفة Å(50, 100, 150, 200) بطريقة التبخير الحراري وبعدها تم تلدينها عند (1h, 250˚C). تم دراسة الخواص التركيبية، البصرية والكهربائية للنماذج المرسبة والمطعمة. من تحليل حيود الأشعة السينية تبين بان الأغشية تمتلك تركيبا متعدد البلورات من النوع السداسي (Hexagonal). ومن الخواص البصرية، وجد أن فجوة الطاقة لأغشية CdSe غير المطعمة 2 eV وإنها تقل مع زيادة التطعيم بالألمنيوم. المقاومية الكهربائية للأغشية المطعمة تبين أنها تقل مع زيادة تركيز Al. النماذج المطعمة وغير المطعمة أظهرت توصيلية من النوع السالب (n-type).


Article
The Effect of γ-Irradiation on the Structural and Physical Properties of CdSe Thin Films
تأثير تشعيع γ على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Abid Al-karem M. Muhammed عبد الكريم مخلف محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2014 Volume: 25 Issue: 3E Pages: 90-98
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of CdSe has been deposited on to the clean glass substrate by using CBD technique at room temperature. The samples are irradiated by γ-ray with various doses (0.25,0.5,1.0,1.5) Gy. These films are characterized by XRD, which indicated that as-deposited CdSe layers and irradiated films at 0.25 and 0.5 Gy of γ- ray grow in cubic phase having preferred orientation along (111) plane in c-direction. Further, the irradiated films at 1.0 and 1.5 Gy of γ- ray show polycrystalline in nature with a mixture of cubic along with hexagonal structures. Optical absorption spectra of these thin films have been recorded using spectrophotometer. The energy band gap has been determined using these spectra. It is found that the energy band gap of CdSe film is 2.09 eV and it is increased with the increase of γ- irradiation dose. The electrical conductivity measurements gave a decrease in conductivity with the increase of γ- irradiation dose.

رُسبت أغشية CdSe الرقيقة على أرضية نظيفة من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)) عند درجة حرارة الغرفة. العينات تم تشعيعها بواسطة أشعة γ عند جرعات مختلفة Gy(1.5,1.0,0.5,0.25). هذه الأغشية تم وصفها بواسطة XRD التي تشير إلى أن طبقات أغشية CdSe الرقيقة المرسبة والمشععة عند 0.25 و0.5 كراي لأشعة γ تنمو في الطور المكعبي وبالاتجاه المفضل عند المستوي (111) وبالاتجاه العمودي c. الأغشية المشععة عند 1.0و1.5 كراي لأشعة γ تبين أنها متعددة البلورات في طبيعتها وخليط من التراكيب المكعبة والسداسية. طيف الامتصاص البصري لهذه الأغشية الرقيقة تم تحليله باستخدام المطياف. فجوة الطاقة تم تحديدها بهذا الطيف. ووجد أن فجوة الطاقة لغشاء CdSe 2.09 الكترون فولت وتزداد بزيادة جرعة تشعيع γ. القياسات الكهربائية للتوصيلية أعطت نقصاناً في التوصيلية مع زيادة جرعة تشعيع γ.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2018 (2)

2014 (1)