research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Synthesis and Fabrication of In2O3: CdO Nanoparticles for NO2 Gas Sensor
NO2 النانوية لغاز In2O3: CdO تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للجسيمات

Loading...
Loading...
Abstract

The physical and morphological characteristics of porous silicon (PS) synthesized via gas sensor was assessed by electrochemical etching for a Si wafer in diluted HF acid in water (1:4) at different etching times and different currents. The morphology for PS wafers by AFM show that the average pore diameter varies from 48.63 to 72.54 nm with increasing etching time from 5 to 15min and from 72.54 to 51.37nm with increasing current from 10 to 30 mA. From the study, it was found that the gas sensitivity of In2O3: CdO semiconductor, against NO2 gas, directly correlated to the nanoparticles size, and its sensitivity increases with increasing operating temperature.

تصنيع متحسس غازي ودراسة الخصائص الفيزيائية والمورفولوجي للسليكون المسامي باستخدام عملية الحفر الكهروكيميائية على السليكون باستخدام حامض الهدرفلوريك المخفف في الماء (1: 4) في أوقات حفر مختلفة وتيارات مختلفة. أظهرت فحوصات مجهر القى الذرية لطوبوغرافية السطح أن متوسط قطر المسام يختلف من 48.63 إلى 72.54 نانومتر مع زيادة وقت الحفر من 5 إلى 15 دقيقة ومن 72.54 إلى 51.37nm مع زيادة التيار من 10 إلى 30 ملي أمبير.. في حين أظهرت نتائج العينات للتيارات المختلفة أن متوسط قطر المسامية وسماكة طبقة السليكون المسامي انخفض مع زيادة التيار، وجد أن حساسية الغاز من In2O3:CdO أشباه الموصلات، لغاز NO2، ترتبط مباشرة بحجم الجسيمات النانوية، وحساسيته يزيد مع زيادة درجة حرارة التشغيل .

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)