research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Study the Band Energy Structure and Absorption Coefficient for PbSe Thin Films
دراسة تركيب حزم الطاقة و معامل الامتصاص لاغشية PbSe الرقيقة

Authors: Abbas.K.Hassen عباس كمال حسن --- Tariq J. Alwan طارق جعفر علوان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2008 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 89-94
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The PbSe alloy was prepared in evacuated quarts tubs by the method of melt quenching from element, the PbSe thin films prepared by thermal evaporation method and deposited at different substrate temperature (Ts) =R.T ,373 and 473K .The thin films that deposited at room temperature (R.T=303)K was annealed at temperature, Ta= R.T, 373 and 473K .By depended on D.C conductivity measurements calculated the density of state (DOS), The density of extended state N(Eext) increases with increasing the Ts and Ta, while the density of localized state N(Eloc) is decreased .We investigated the absorption coefficient () that measurement from reflection and transmission spectrum result, and the effect of Ts and Ta on it , also we calculated the tail width for each prepared films.

تم تحضير سبيكة من PbSe في انبوبة من الكوارتز مفرغة من الهواء بطريقة التبريد المفاجئة . الاغشية الرقيقة لمركب PbSe حضرت بواسطة تقنية التبخير الحراري و على ارضيات ذات درجة حرارة مختلفة Ts=R.T ,373 and 473oK . الاغشية المرسبة في درجة حرارة الغرفة لدنت بدرجات حرارة مختلفة Ta= R.T, 373 and 473oK .بالاعتماد على قياسات التوصيلية المستمرة تم حساب كثافة الحالات .ازدادت كثافة الحالات الممتدة بزيادة كل من درجة حرارة الارضية و درجة حراة التلدين . بينما تقل كثافة الحالات الموضعية. تم ايضا دراسة معامل الامتصاص والذي تم قياسه من نتائج طيف الامتصاص و الانعكاس وتأثير كل من درجة حرارة الارضية و درجة حرارة التلدين عليه ، ايضا تم حساب عرض الذيول لكل الاغشية المحضرة .

Keywords


Article
Density functional theory study of molecular structure, Electronic properties, UV–Vis spectra on coumarin102.
دراسة نظرية دالة الكثافة لتركيب الجزيئي والخصائص الالكترونية و الطيف المرئي والأشعة فوق البنفسجية للكومارين102

Authors: Falah A-H. Mutlak فلاح عبد الحسن مطلك --- Ali T. Mohi علي طاهر محي --- Tariq J. Alwan طارق جعفر علوان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2016 Volume: 13 Issue: 2ملحق ابحاث المؤتمر الوطني الثاني للكيمياء Pages: 143-152
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The various properties of the ground and excited electronic states of coumarins 102 using density functional theory (DFT) and time-dependent density functional theory (TDDFT) was calculated by the B3LYP density functional model with 6-31G(d,p) basis set by Gaussian 09 W program. Spectral characteristics of coumarin102 have been probed into by methods of experimental UV-visible, and quantum chemistry. The UV spectrum was measured in methanol. The optimized structures, total energies, electronic states (HOMO- LUMO), energy gap, ionization potentials, electron affinities, chemical potential, global hardness, softness, global electrophilictity, and dipole moment were measured. We find good agreement between experimental data of UV spectrum and TDDFT excitationenergies.

تم دراسة الخصائص المختلفة للكومارين102 عند المستوي الأرضي والمستوي المتهيج باستعمال نظرية دالة الكثافة (DFT) ونظرية دالة الكثافة المعتمدة على الزمن (TDDFT) وبواسطة النموذج B3LYP مع المستوي 6-31G(d,p) وباستعمال برنامج كاوسين 09. خصائص طيف الكومارين 102 تمت دراسته بطريقتين الأولى العملية والثانية باستعمال الكيمياء الكمية وان طيف فوق الأشعة فوق البنفسجية للكومارين 102 تم قياسه مع الميثانول.التراكيب المثلى, الطاقة الكلية, المستويات الالكترونية, فجوة الطاقة, جهد التأين , الألفة الالكترونية, الجهد الكيمائي, الصلادة, والنعومة (قابلية التفاعل), والألفة الالكترونية مع المحيط, وعزم ثنائي القطب . ووجدنا بان هناك تطابق جيد بين القراءات العملية لطيف الأشعة فوق البنفسجية و (TDDFT) لطاقات التهيج.


Article
The structure and optical properties of CdSe:Cu Thin Films
الخواص التركيبية والبصرية للأغشيةالرقيقة CdSe:Cu

Authors: Ikbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Tariq. J. Alwan طارق جعفر علوان --- Eman M.N.Al-Fawadi ايمان مزهر ناصر الفوادي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2009 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 141-149
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdSe thin films doped with (5wt%) of Cu was fabricated using vacuum evaporation technique in the substrate temperature range(Ts=RT-250)oC on glass substrates of the thickness(0.8μm). The structure of these films are determined by X-ray diffraction (XRD). The X-ray diffraction studies shows that the structure is polycrystalline with hexagonal structure, and there are strong peaks at the direction (200) at (Ts=RT-150) oC, while at higher substrate temperature(Ts=150-250) oC the structure is single crystal. The optical properties as a function of Ts were studied. The absorption, transmission, and reflection has been studied, The optical energy gap (Eg)increases with increase of substrate temperature from (1.65-1.84)eV due to improvement in the structure. The amorphousity of the films decreases with increasing Ts. The films have direct energy gap and the absorption edge was shift slightly towards smaller wavelength for CdSe:Cu thin film with increase of substrate temperature.it was found that the absorption coefficient was decreased with increasing of substrate temperature due to increases the value of(Eg). The CdSe:Cu films showed absorption coefficient in the range (0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC. Also the density of state decreases with increasing of substrate temperatures from (0.20-0.07)eV, it is possibly due to the recrystallization by the heating substrate temperatures.. Also the extinction coefficient, refractive index and dielectric constant have been studied.

حضرت الأغشية الرقيقة CdSe:Cu المتعددة البلورات والمطعمة بالنحاس بنسبة (5wt%) بأستعمال تقنية التيخير الفراغي بمدى درجة حرارة اساس (Ts=RT-250)oC على قواعد زجاجية. حدد تركيب تلك الاغشية بواسطة الفحص بالأشعة السينية (XRD) . بينت دراسات حيود الاشعة السينية بان التركيب يكون من النوع المتعدد البلورات السداسي, وهناك قمة قوية بالاتجاه (200) عند(Ts=RT-250) oC بينما عند درجات حرارة الأساس العالية(Ts=150-250) oC يتحول التركيب الى البلورة المفردة . درست الخصائص البصرية كدالة لدرجة حرارة الأساس(Ts) ودرست النفاذية والأمتصاصية والأنعكاسية. فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة الأساس من(1.65-1.84)eV وتقل العشوائية نتيجة للتحسن بالتركيب البلوري. تمتلك الأغشية فجوة طاقة مباشرة و تزاح حافة الأمتصاص بأتجاه الأطوال الموجية القصيرة لأغشية CdSe:Cu بزيادة درجة حرارة الأساس وجد بأن معامل الأمتصاص يقل بزيادة درجة حرارة الأساس من(0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC, كذلك تقل كثافة الحالات بزيادة درجة حرارة الأساس (0.20-0.07)eV ذلك نتيجة لاعادة التبلور بواسطة التسخين بدرجة حرارة الأساس..كذلك درس معامل الخمود ومعامل الأنكسار وثوابت العزل كدالة لدرجة حرارة الأساس .

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2016 (1)

2009 (1)

2008 (1)