research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Influence of doping concentration on the main parameters of CdSe:Cu photoconductor detector
تأثير نسب التشويب على معلمات الكاشف الكهروضوئي CdSe:Cu

Loading...
Loading...
Abstract

The photonconductor detectors CdSe:Cu was fabricated as a thin film of (1 μm) in thickness using vacuum evaporation technique. doping with copper was made using vacuum annealing at 350oC under argon atmosphere . The spectral responsivity and spectral detectivity of the detector were determined as a function of incident wavelength on the sample. A remarkable improvement in performance was absorbed for the specimen, which doping with (1-5 wt%) Cu.The spectral response increases with increasing of wavelength for incident radiation to maximum value, after that , it reduced sharply . There is a shifting for peak responsivity indirect of higher wavelength. The detectivity was increased with doping but its decreased as the concentration increases. The value of detectivity, which obtained on it , is higher than early published value.

تم تحضير الكاشف الكهروضوئي CdSe:Cu كغشاء رقيق بسمك (1μm) باستخدام تقنية التبخير الفراغي وتم تشويبه بالنحاس باستخدام التلدين بدرجة 350 درجة سليزية تحت ضغط الاركون . تم تحديد الاستجابة الكشفية والطيفية للكاشف كدالة للطول الموجي الساقط على النموذج .اعلى كفاءة للامتصاص عندما طعم النموذج بنسبـــــــــــــة (1-5 wt%) من النحاس .الاستجابة الطيفية ازدادت مع زيادة الطول الموجي لاقصى قيمة وبعد ذلك قلت بصورة حادة وكان هناك انحراف في قمة الاستجابة المباشرة عند اعلى طول موجي . الاستجابة الكشفية ازدادت مع زيادة التشويب ولكن قلت مع زيادة التركيز . القيمة التي تم الحصول عليها للكشف كانت اعلى من القيمة المنشورة .

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2011 (1)