research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Laser Co2 Radiation Detection Using QWIP

Author: Wail Y. Nassir وائل ياس نصر
Journal: DIYALA JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES مجلة ديالى للعلوم الهندسية ISSN: 19998716/26166909 Year: 2018 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 1-5
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Quantum well infrared photodetector (QWIP) become one of the important devices recently for their efficient, stability, uniformity, and high intrinsic speed. The photodetector was designed, and the validity, absorption coefficient, and band transitions are studied extensively. The quantum wells included in this research operate in mid infrared wavelength region (9-11 µm). Results showed that peak absorption coefficient at (10.6 μm) is (9000 cm-1) for Bound – bound transition and is more narrow and intense from bound- continuum transition (1800 cm-1) and the quantum well based devices can be used to detect such wavelength providing that the external electric field stays below a reasonable value. This makes such device a promising solution for MIR applications.


Article
Design and Simulation of Optical Element Use in Solid State Blue Laser Source
تصميم ومحاكاة استخدام مجزء الحزمة الثنائي في مصدر الليزر الأزرق ذي الحالة الصلبة

Authors: Aseel A. Shakaty أسيل عبد الأمير --- Wail Y. Nassir
Journal: Iraqi Journal of Laser المجلة العراقية لليزر ISSN: 18121195 Year: 2012 Volume: 11 Issue: A Pages: 22-28
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: Solid state blue laser source is a solid state laser include generation of IR laser light 1064 nm and companied with other wavelength 810 nm that invented from other active medium (Tm:ZBLAN) and non-linear crystal (CLBO) are used to generate fourth harmonic of the resultant wavelength 1874 nm that is blue laser light of 460nm. Several optical component have been designed by multilayer dielectric structure and anti reflection coating analysis. By using MATLAB soft ware, the simulation done and used the following non linear material (ZrO2, HfO2, MgO, SiO, Ta2O5 CaF2) and other linear material (ZnO, MgF2, GaAs, AlAs, BaF2, LiF, TiO2) as coating material. The result showed that as more quarter wave layers are added to the structure, the reflectance spectrum acquires more oscillatory features, and a narrow, flat-topped high-reflectance region grows around the design wavelength, GaAs and MgF2 represent good choice for the coating material of the front and exit mirror of the system especially produces very narrow wavelength band width and excellent value for R=100 % , LiF2 and BaF2 are good choice used to coat non linear crystal. For the polarized dichroic beam splitter, 450 represent good choice for the incident angle and BK7 as substrate material and HfO2 as high refractive index material and ZnO as low index material for coating.

الخلاصة: مصدر الليزر الازرق ذو الحالة الصلبة يتضمن توليد ضوء ليزر بطول موجي 1064 نانومتر من الوسط الفعال Nd:YVO4 ودمجه مع طول موجي آخر (810 نانومتر) متكون من وسط فعال (Tm:ZBLAN) ضمن نفس المنظومة مضخ بواسطة الأشعة تحت الحمراء، تستخدم البلورة اللاخطية لتوليد الموجة التوافقية الرابعة من الطول الموجي المدمج (1874 نانومتر) وهو الليزر الازرق (460 نانومتر)، يستخدم مجزء الحزمة المزدوج لتمثيل عملية الدمج. وقد استخدمت هيكل متعدد الطبقات العازلة وتحليلات الطلاء المضاد للانعكاس لتصميم مجزء الحزمة المزدوج باستخدام المحاكاة ببرنامج MATLAB، تم استخدام المواد التالية غير الخطية (ZrO2،HfO2 ، MgO، SiO، Ta2O5، CaF2) كمادة طلاء، وأستخدم الزجاج BK7 كمادة أساس. تظهر النتائج انه كلما أضيفت طبقات ذات سمك ربع طول موجي للتركيب، اكتسب طيف الانعكاسية صفات تذبذبية أكثر وفجوة حزمة اضيق وقمة مستوية وذات قيمة عاليةمتزايدة حمل الطول الموجي المعتمد في التصميم وقد لوحظ ان المواد الثنائية (SiO) الذي يمثل الطبقة ذات الانعكاسية العالية و(ZrO2) الذي يمثل الطبقة ذات الانعكاسية الواطئة تمثل اختيار جيد للطلاء الخاص لمجزء الحزمة الثنائية والذي يمتلك انعكاسية بحزمة ضيقة للطول الموجي المطلوب والذي يقترب من التصميم المطلوب وكلما زادت عدد طبقات الطلاء اقترب التصميم من قيمته المثالية.

Keywords


Article
Design High Efficient Reflectivity of Distributed Bragg Reflectors
تصميم مرايا DBR عالية الكفاءة

Authors: Wail Y. Nassir --- Ali H. Abdulhadi --- Hayder T. Assafli
Journal: Iraqi Journal of Laser المجلة العراقية لليزر ISSN: 18121195 Year: 2016 Volume: 15 Issue: A Pages: 13-18
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: Bragg Reflectors consist of periodic dielectric layers having an optical path length of quarter wavelength for each layer giving them important properties and makes them suitable for optoelectronics applications. The reflectivity can be increased by increasing the number of layers of the mirror to get the required value. For example for an 8 layers Bragg mirror (two layers for each dielectric pair), the contrast of the refractive index has to be equal to 0.275 for reaching reflectivity > 99%. Doubling the number of layers results in a reflectivity of 99.99%. The high reflectivity is purely caused by multiple-interference effects. It can be analyzed by using different matrix methods such as the transfer matrix method (TMM) which is the simplest method to study the characteristic of devices with different alternating layers.

الخلاصة: تتكون مرايا براغ من عدة طبقات عازلة مع سمك يعادل ربع الطول الموجي ولها أهمية في تطبيقات أجهزة الالكترونيات البصرية، يمكن زيادة الانعكاسية عن طريق زيادة عدد الطبقات من المرآة حتى الحصول على القيم المطلوبة، على سبيل المثال عندما نستخدم مرايا مكونة من أربعة طبقات براغ مزدوجة مع ضرورة ان يكون التباين في معامل الانكسار بمقدار 0.275 للحصول على انعكاسية اعلى من 99٪، وعند استخدام ثمانية طبقات مزدوجة مع نفس التباين في معامل الانكسار نحصل على انعكاسية عالية بمقدار 99.99٪. تم حساب أفضل سمك للزوج من طبقات المادة المزدوجة InAs/InSb بمقدار 2.7749 × 10-7 متر. تم تحليل الانعكاسية لمواد مختلفة باستخدام طريقة (TMM) للمصفوفات وتعتبر اسهل طريقة لدراسة الخصائص لعدة طبقات متناوبة مختلفة.

Keywords


Article
Effects of Enhancement P+ Layer on IGBT Operation

Authors: Inmar N. Ghazi --- Hayder T. Assafli --- Wail Y. Nassir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2018 Volume: 36 Issue: 5 Part (A) Engineering Pages: 582-585
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

IGBT (Insulated-gate bipolar transistor), is used widely in high voltage applications, it is very important to realize the doping profile in order to understand the design and the electrical performances of such devices. The performance depends on the layer, doping, and a carrier distribution among each layer. A specific selected layer can be added with precise properties for enhancing the device and increase the low current operate requirement. In this paper, an IGBT device is an enhanced and better performance achieved by the addition of a heavily positive doped intermediate layer. The collector current is decreased from 0.05 mA to 0.03 mA at 600 V. Decreasing the current results in higher efficient device by decreasing the amount of heat produced by the device.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2018 (2)

2016 (1)

2012 (1)