research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Studying the effect of impurities Bi2O3 to SiO2 used in LCD screens
دراسة تأثير اضافة Bi2O3 على SiO2 المستعملة في شاشات LCD

Author: Wlla M. Mohammed ولاء محفوظ محمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2018 Volume: 23 Issue: 10 Pages: 88-91
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, a liquid crystal display LCD cell was prepared. with the windows made from a thin film of SnO2 add to it Bi2O3 by weight (0,1,3,5,7)% .The effect of adding optical and electrical properties of the cell was studied. The thin film was prepared by vacuum evaporation technique. It was added to use powder mixing technique. The results showed a decrease in the value of the current passing through the cell and an increase in resistance value from 9.7MΩ to 12.5MΩ. The results also showed an increase in the cell's ability to control the light and darkness it with lower voltages by increasing the add rate. This leads to a decrease power used of a single cell. The value of the capacitance is not affected by the addition of Bi2O3 and was stable at ( 3nf ±1% ).

في هذا البحث جرى تحضير خلية شاشة بلورات سائلة LCD. حيث صنعت من غشاء رقيق مكون منSnO2 وتمت اضافةBi2O3 بالطريقة الوزنية بنسب % (0,1,3,5,7). درست الخواص الضوئية والكهربائية للخلية وتأثير الاضافة عليها. ولتصنيع غشاء استعملت تقنية الترسيب الحراري بالفراغ. اما الاضافة فتمت بتقنية خلط المساحيق. بينت النتائج انخفاض بقيمة التيار المار بالخلية مما يؤدي الى ارتفاع في قيمة المقاومة من 9.7MΩ الى 12.5MΩ. النتائج بيت زيادة في قدرة الخلية على التحكم في حالتي الضوء والتعتيم عند فولتية اقل مما هي علية قبل التطعيم، مما يعني انخفاض في قيمة القدرة المستعملة لعمل الخلية الواحدة. بينت النتائج ايضا ان قيمة السعة لم تتأثر بشكل محسوس بإضافة Bi2O3 وكانت مستقرة عند القيمة (3nf ±1%).


Article
Improvement the efficiency of SnO2/n-Si detector by engraving method using a CNC machine
تحسين كفاءة كاشف SnO2/n-Si بأسلوب الحفر باستعمال ماكينة CNC

Author: Wlla M. Mohammed ولاء محفوظ محمد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2019 Volume: 17 Issue: 41 Pages: 51-57
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin oxide was deposited by using vacuum thermal method on silicon wafer engraved by Computer Numerical Controlled (CNC) Machine. The inscription was engraved by diamond-made brine. Deep 0.05 mm in the form of concentric squares. Electrical results in the dark were shown high value of forward current and the high value of the detection factor from 6.42 before engraving to 10.41 after engraving. (I-V) characters in illumination with powers (50, 100, 150, 200, 250) mW/cm2 show Improved properties of the detector, Especially at power (150, 200, 250) mW/cm2. Response improved in rise time from 2.4 µs to 0.72 µs and time of inactivity improved 515.2 µs to 44.2 µs. Sensitivity angle increased at zone from 40o to 65o.

تم في هذا البحث ترسيب أوكسيد القصدير على قواعد من السليكون المحفور بواسطة ماكينة مسيطر عليها رقمياً بالحاسبة الالكترونية CNC. تمت عملية الحفر بعمق 0.05 mm على شكل مربعات بواسطة برينة من الألماس. الخواص الكهربائية في الظلام بينت زيادة في قيمة التيار الامامي بالنسبة للتيار العكسي مع ارتفاع في قيمة عامل الكشفية من 6.42 قبل الحفر الى 10.4. اما الخواص الكهربائية عند الاضائة بقدرات (50, 100, 150, 200, 250) mW/cm2 فبينت زيادة في قيمة الكشفية وخصوصاً عند القدرات(150, 200, 250) mW/cm2. زمن الاستجابة لنهوض الإشارة تحسن من 2.4 µs الى 0.72 µs وتحسن زمن الخمود من 515.2 µs الى 44.2 µs. اما بالنسبة الى زاوية التحسس للكاشف فبينت النتائج الى زيادة ملحوظة في المنطقة المحصورة بين 40o الى65o .


Article
Study of the electrical properties of the thin film (SnO2 )1-X(Bi2O3)X Preparation by Vacuum evaporation system
المحضر بتقنية التبخير الحراري بالفراغ (SnO2 )1-X(Bi2O3)X دراسة الخواص الكهربائية لغشاء

Author: Wlla M. Mohammed ولاء محفوظ محمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 2 Pages: 84-87
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, bismuth element was added to the weight ratio of (0,1,3,5)% to tin element using powdered technology method. The thin film of (SnO2)1-X(Bi2O3)X have been prepared with a vacuum evaporation system and oxidized him in oven with temperature at 350° C for 30 min. Results (I-V) Characters with temperature showed that the thin film had a negative thermal resistance factor, while the results showed that the resistance value of the thin film increased from 1KΩ at (0%) to 7.5 KΩ at (5%). The thin film 's sensitivity to heat has also improved significantly. The energy activation decreased from 0,08eV at the addition (0%) to 0,03 eV at the addition of (3%)while increased to 0.087 eV at the addition of (5%) .

تم في هذا البحث اضافة عنصر البزموث بنسب وزنية % (5,3,1,0) الى عنصر القصدير باستعمال تكنلوجيا المساحيق. ولترسيب غشاء (SnO2 ) 1-X(Bi2O3)Xعلى الزجاج تم استعمال تقنية التبخير الحراري بالفراغ ومن ثم اكسدته بفرن بحرارة oC 350 لمدة min 30. بينت نتائج (التيار– الفولتية) مع درجة الحرارة ان الغشاء يملك معامل مقاومة سالب وان قيمة المقاومة للغشاء ارتفعت 1KΩ عند نسبة الاضافة (0%) الى 7.5 KΩ عند الاضافة بنسبة (5%). وان حساسية الغشاء للحرارة تزداد كلما ازدات نسبة الاضافة. اما طاقة التنشيط فقد انخفضت من 0,08eV بنسبة اضافة(0%) الى0,03eV عند اضافة (3%) بينما زادت الى 0.087 eV عند الاضافة بنسبة (5%).

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (1)