research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Morphological Aspects of Oxidized Porous Silicon Prepared by Photo Electrochemical Etching
جوانب طوبغرافية للسليكون المسامي المؤكسد المحضر بطريقة (التنميش الفوتو-كهروكيميائي)

Authors: Ali A. A. --- Zahr'aa S. Ahmed --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 314-321
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This paper reports morphological properties of porous silicon and oxidizedporous silicon, prepared by photo electrochemical etching from n-type silicon wafers asa function of experimental parameters. Scanning electron microscopic (SEM)Observations of porous silicon layers were obtained before and after rapid thermaloxidation process under different preparation and oxidation conditions .The surfacemorphology, Pore diameter, wall thickness, pore shape and porosity values were,studied based on microstructure analyses of (SEM) images.

في هذا البحث تم دراسة الخصائص الطوبغرافية لنماذج من السليكون المسامي والسليكونالمسامي المؤكسد المحضرة من السليكون المانح بطريفة الفوتو- كهروكيميائي كدالة للعوامل التجريبيةبالاعتماد على صور المجهر الالكتروني الماسح لطبقات عينات السليكون المسامي قبل وبعد عمليةالاكسدة الحرارية السريعة تحت ظروف أكسدة مختلفة . ولقد تم دراسة المتغيرات التالية(طوبغرافيةالسطح ، قطر المسامه، شكل المسامه، سمك الجدار بين مسامتين، وقيم المساميه بالاعتماد على تحليلصور المجهر الالكتروني الماسح.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2010 (1)