research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Effect of Annealing Temperature on The Some Electrical Properties of InSb:Bi Thin Films
تأثيردرجة حرارة التلدين في بعض الخصائص الكهربائية لأغشيةInSb:Bi

Author: Zeinab Jassim Shanan زينب جاسم شنان
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2010 Volume: 7 Issue: 4 Pages: 1416-1420
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

InSb alloy was prepared then InSb:Bi films have been prepared successfully by thermal evaporation technique on glass substrate at Ts=423K. The variation of activation energies(Ea1,Ea2)of d.c conductivity with annealing temperature (303, 373, 423, 473, 523 and 573)K were measured, it is found that its values increases with increasing annealing temperature. To show the type of the films, the Hall and thermoelectric power were measured. The activation energy of the thermoelectric power is much smaller than for d.c conductivity and increases with increasing annealing temperature .The mobility and carrier concentration has been measured also.

تم في هذا البحث تحضير سبيكة InSb ثم حضرت أغشيةInSb:Bi بنجاح باستعمال طريقةالتبخير الحراري على ارضية من الزجاج وبدرجة حرارة 423K Ts=وتم حساب طاقات التنشيط للتوصيلية المستمرة (Ea1,Ea2) للاغشية المحضرة عند درجات حرارة تلدينK ,473,423,373,303)523 (573, بينت النتائج ازدياد طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. أجريت قياسات هول والقدرة الكهروحرارية لمعرفة نوع الاغشية وكذلك تم حساب طاقة التنشيط للقدرة الكهروحرارية ووجد أنها اقل بكثير مما للتوصيلية المستمرة (d.c) كما أنها تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين وكما تم حساب تحركية وتركيز حاملات الشحنة.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2010 (1)