research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Effect of γ- Irradiation on the n- Porous Silicon Structures Prepared by Electrochemical Etching
تأثير تشعيع γ على تراكيب السليكون المسامي (n) المحضر بالقشط الكهروكيميائي

Author: Abdulkahlig A. Sulaiman عبد الخالق ايوب سليمان
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 173-180
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon has been prepared by using electrochemical cell at room temperature with etching time (20 min), current (30 mA) and fixed electrolyte solution HF:C2H5OH(1:4). The samples are irradiated by γ-ray with various doses (50,100) Gy. Several techniques such as scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Ramman Spectrum were used to study the influence of the γ- irradiation of porous silicon (PSi). SEM images show the random distribution of pores that cover all the surface which have different sizes and spherical shapes. XRD analysis, which indicated that n- type porous silicon and the samples irradiated at 50 and 100 Gy of γ- ray grow in hexagonal structure having preferred orientation along (002) plane in c-direction. An extremely symmetric band shape were recognized from Raman spectra of PSi

حضر السليكون المسامي باستخدام الخلية الكهروكيميائية عند درجة حرارة الغرفة بزمن قشط (20 min.)، تيار (30 A) ومحلول الكتروليتي ثابت HF:C2H5OH(1:4). العينات تم تشعيعها بأشعة γ بجرعات مختلفة (50,100 Gy). استخدمت عدة تقنيات مثل المجهر الالكتروني الماسح (SEM)، حيود الأشعة السينية (XRD) وطيف رامان لدراسة تأثير تشعيع γ على السليكون المسامي. تبين صور SEM التوزيع العشوائي للمسامات التي تغطي جميع السطح بأحجام وأشكال دائرية مختلفة. تحليلات XRD تشير إلى أن السليكون المسامي من النوع n والعينات المشععة بأشعة γ عند (50,100 Gy) تنمو بالتركيب السداسي والاتجاه المفضل له على طول المستوي (002) بالاتجاه c. تم التعرف على شكل حزمة التناظر للسليكون المسامي إلى حد كبير من طيف رامان


Article
The Effect of γ-Irradiation on the Structural and Physical Properties of CdSe Thin Films
تأثير تشعيع γ على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Abid Al-karem M. Muhammed عبد الكريم مخلف محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2014 Volume: 25 Issue: 3E Pages: 90-98
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of CdSe has been deposited on to the clean glass substrate by using CBD technique at room temperature. The samples are irradiated by γ-ray with various doses (0.25,0.5,1.0,1.5) Gy. These films are characterized by XRD, which indicated that as-deposited CdSe layers and irradiated films at 0.25 and 0.5 Gy of γ- ray grow in cubic phase having preferred orientation along (111) plane in c-direction. Further, the irradiated films at 1.0 and 1.5 Gy of γ- ray show polycrystalline in nature with a mixture of cubic along with hexagonal structures. Optical absorption spectra of these thin films have been recorded using spectrophotometer. The energy band gap has been determined using these spectra. It is found that the energy band gap of CdSe film is 2.09 eV and it is increased with the increase of γ- irradiation dose. The electrical conductivity measurements gave a decrease in conductivity with the increase of γ- irradiation dose.

رُسبت أغشية CdSe الرقيقة على أرضية نظيفة من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)) عند درجة حرارة الغرفة. العينات تم تشعيعها بواسطة أشعة γ عند جرعات مختلفة Gy(1.5,1.0,0.5,0.25). هذه الأغشية تم وصفها بواسطة XRD التي تشير إلى أن طبقات أغشية CdSe الرقيقة المرسبة والمشععة عند 0.25 و0.5 كراي لأشعة γ تنمو في الطور المكعبي وبالاتجاه المفضل عند المستوي (111) وبالاتجاه العمودي c. الأغشية المشععة عند 1.0و1.5 كراي لأشعة γ تبين أنها متعددة البلورات في طبيعتها وخليط من التراكيب المكعبة والسداسية. طيف الامتصاص البصري لهذه الأغشية الرقيقة تم تحليله باستخدام المطياف. فجوة الطاقة تم تحديدها بهذا الطيف. ووجد أن فجوة الطاقة لغشاء CdSe 2.09 الكترون فولت وتزداد بزيادة جرعة تشعيع γ. القياسات الكهربائية للتوصيلية أعطت نقصاناً في التوصيلية مع زيادة جرعة تشعيع γ.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (1)

2014 (1)