research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Effect of wafer resistivity and light intensity on the topography of porous silicon surfaces produced by photo chemical method
تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية

Loading...
Loading...
Abstract

This study includes the effect of wafer resistivity and intensity of light on topography of porous silicon surfaces which produced by photo chemical etching method, the results showed that changing of the resistivity led to change the porosity, where it found the porous silicon layer be less of high value resistivity. Once all the wafers have same resistivity's value that’s found the light intensity effect on porosity, the less value of porosity produced by the less value of intensity light focused.The production of Nano crystalline silicon structures and control of their production conditions is the first step to control the properties of the devices (detectors, diodes, solar cells, sensors) and their appropriate applications. Ultimately, this is important in promoting research and development of renewable energy.

شملت هذه الدراسة تأثير مقاومية الشريحة وشدة الاضاءة على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي المنتجة بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي، وقد اظهرت النتائج ان تغيير المقاومية ادى الى تغيير في المسامية ، حيث وجد ان اقل سمك للطبقة المسامية كان عند اعلى قيمة للمقاومية.عندما تكون قيمة المقاومية نفسها لجميع الشرائح وجد ان شدة الاضاءة تؤثر على المسامية ، فاقل قيمة للمسامية تنتج عند اقل قيمة للشدة الضوئية المسلطة.ان انتاج تراكيب السليكون النانوي والتحكم في ظروف انتاجها تعتبر الخطوة الاولى للتحكم في خواص النبائط (كواشف، مفارق (Diods)، خلايا شمسية ، متحسسات) وتطبيقاتها المناسبة وفي النهاية كل هذا مهم في تعزيز عمليات البحث والتطوير للطاقة المتجددة.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)