In the present work we prepared heterojunction not homogenous CdS/:In/Cu2S) by spray and displacement methods on glass substrate , CdS:In films prepared by different impurities constration. Cu2S prepared by chemical displacement method to improve the junction properties , structural and optical properties of the deposited films was achieved . The study shows that the film polycrystalline by XRD result for all film and the energy gap was direct to 2.38 eV with no effect on this value by impurities at this constration .

تم في هذا البحث تصنيع المفرق الهجين غير المتماثل (CdS:In/ Cu2S) بطريقتي الرش على قواعد زجاجية اذ تم تحضير أغشية (CdS: In) باستخدام تراكيز مختلفة وتم ترسيب غشاء (Cu2S) بطريقة الإزاحة الكيميائية وبهدف تحسين خصائص الاتصال تمت دراسة تأثير التلدين الحراري السريع في خصائصه التركيبية والبصرية . تبين ان تركيب الاغشية متعدد التبلور من خلال نتائج حيــود الأشعة السينية (XRD) لجميع الأغشية الملدنة وغير الملدنة , جرت دراسة النفاذية البصرية بوصفها دالة للطول الموجي لأغشية (CdS)و(CdS:In), من خلال حساب فجوة الطاقة المباشرة لأغشية (CdS) النقية و كانت (2.38)eV والأغشية المشابة بالأنديوم عند التراكيز المذكورة نفسها وقد وجد تاثير للتشويب بالانديوم في هذه القيمة .

التلدين الحراري ، النفاذية البصرية ، فجوة الطاقة ، التشويب

In this research the study of optical properties for thin films of (CuAlS2) Compound , has beenCarried out in sintered temperature (360)C0 . using heat spray method. The effect of substituted Sodiumelement and annealing at temperatures (250 , 300 , 350 , 400) C0 for two hours has bean studied, the effect ofheat neutrons irradiation at doses (3.024*10 9, 4.752*109 , 6.48*109)n.cm-2 has also been shown.Opticalconstant have also been measured by the absorption and permeability spectrum in wavelength rang (300-1000)nm .such a procedure will eables finding many parameters, such as Coefficient of optical absorption ,which found to be grater then (105) for all films , allowed of electrons transation , Limit of absorbiption will beshift to highest long wave depending on substituted ,annealing or irradiation limt of optical absorpition found tofull is the range between (540-590)nm . The value of energy gap for (CuAlS2) thin films found to be (3.2)eV .This value has been increased with annealing and irradiation by neutrons and become (3.25.2.3,3.4,3.5) eV,respectively according to the above values of energy gaps (3.28,3.4,3.48) eV substituted Sodium element in(CuAlS2) at (1-5)wt%. This causes reduction in energy gap, and that reduction was (3.2) eV for unsubstitutedcompound and (2.85) eV for substituted with (5)wt% ratio

تم في هذا البحث دراسة الخواص البصرية لأغشية المركب الثلاثي (CuAlS2) المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري بدرجة حرارة (360)C0 والمرسبة على قواعد زجاجية وبسمك (0.18 ± 0.05) µm .ودراسة تأثير التطعيم بالصوديوم والتلدين بدرجات حرارة مختلفة (250 , 300, 350 , 400) C0 ولمدة ساعتين ودراسة تأثير التشعيع بالنيترونات الحرارية بجرعات إشعاعية n.cm-2 3.024*109 , 4.752*109 , 6.48*109)) .من خلال قياس طيفي الامتصاصية والنفاذية لهذه الأغشية بمدى الأطوال الموجبـــــة (300-1000) nm تم حساب الثوابت البصرية . وقد وجد أن معامل الامتصاص البصري (α) اكبر منcm-1 (104 ) لجميع الأغشية , وهذا يعني أن الانتقالات الالكترونية من النوع المباشر المسموح، وان حافة الامتصاص تزاح نحو الأطوال الموجية الأكبر معتمدة على نوع معاملة الغشاء سواء كان بالتطعيم او التلدين او التشعيع . وقد كانت حافة الامتصاص محصورة بين (540-590)nm .أن قيمة فجوة الطاقة للغشاء (CuAlS2) (3

الرقيقة CuAlS كلمات مفتاحية: التلدين ، الخصائص البصرية ، أغشية 2

The effect of annealing process on microstructure and mechanical properties of brass C38500 according to UNS was studied. The test samples were heated to (450, 500, 550 and 600) °C for 1 hour and in a furnace. The samples were cooled gradually to the room temperature. The microstructural change during annealing was studied by using optical microscope and mechanical properties such as tensile strength, yield strength, hardness and torsionl test were also studied. From the obtained results it was observed that annealing has a little effect on the microstructure and it reduces the mechanical properties (tensile strength, yield strength, hardness) as a result of elimination of the brittle phase or internal stress in microstructure, but it improves the torsional strength and increases the number of twisting angle it is also found that the annealing at (600)οC gives the best torsion test.

يهدف البحث الى دراسة تأثير عملية التلدين على البنية المجهرية والخواص الميكانيكية لسبيكة البراصC38500. تم تسخين عينات الاختبار في فرن كهربائي إلى درجات حرارة مختلفة 600,550,500,450)) مᵒ لمدة ساعة ثم التبريد البطيء داخل الفرن الى درجة حرارة الغرفة. تم فحص البنية المجهرية بعد التلدين باستخدام مجهر ضوئي وكذلك الخواص الميكانيكية من (مقاومة الشد و نقطة خضوع والصلادة) إضافة إلى إجراء اختبار الالتواء وقد وجد إن لعملية التلدين تأثير قليل على البنية المجهرية بينما ساهمت في تقليل الخواص الميكانيكية (مقاومة الشد و نقطة خضوع والصلادة) بسبب تقليل ترسيب الأطوار الهشة ولكنه حسّن من مقاومة الالتواء بسبب زيادة القوة اللازمة لمقاومة اللي من خلال زيادة عدد الدورات اللازمة للكسر وقد وجد إن درجة حرارة التخمير (600) م° أعطت أفضل انفعال قص.

Heat treatment --- Brass alloy 38500 --- mechanical properties. --- التلدين

In this paper, the investigation of structural and optical properties of Zn2SnO4 thin films were studied. The films are performed on glass substrates by pulsed laser technique (PLD) using laser Nd: YAG at wavelength of 1064 nm with 800 mj laser energy using repetition rate of 6 Hz. and average 400 laser pulses at room temperature and annealing by tubular quartz furnace at temperature (573,773) K for 2 hours with air. XRD measurements showed that the structure for all samples is polycrystalline with a cubic nanostructure. Surface morphology was studied using scanning electron microscopy SEM and atomic force microscopy AFM. After annealing, the roughness of the surface and the mean grain size were increased. Optical properties as a function to wavelength in the range (300-1100 nm) have been studied. Absorption spectra of Zn2SnO4 thin films showed that absorption decreases with increasing annealing temperature. Direct energy gap for a Zn2SnO4 thin film was increases with increasing temperature for all samples due to crystal growth. The optical properties such as extinction coefficient, refractive index, and dielectric constant were also studied.

تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية Zn2SnO4 الرقيقة والتي رسبت على قواعد زجاجية بواسطة تقنية ترسيب الليزر النبضي (PLD) باستخدام ليزر Nd: YAG النبضي عند طول موجة (1064 نانومتر) باستخدام طاقة ليزر (800 مللي جول). ومعدل تكرار قدره (6 Hz). باستخدام متوسط 400 نبضة ليزر. عند درجة حرارة الغرفة ثم التلدين بواسطة فرن الكوارتز الأنبوبي عند درجة حرارة (773، 573) كلفن لمدة ساعتين بوجود الهواء. أظهرت قياسات (XRDs) أن البنية البلورية لجميع العينات هي متعددة التبلور ذو تركيب مكعبي نانوي. تمت دراسة مورفولوجيا السطح باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) ومجهر القوة الذرية (AFM). بعد التلدين، تزداد خشونة السطح ومتوسط الحجم الحبيبي. تمت دراسة الخواص البصرية كدالة الى الطوال الموجي في المدى (300-1100 نانومتر). وأظهرت أطياف الامتصاص لأغشية Zn2SnO4 أن الامتصاصية تنخفض مع زيادة درجة حرارة التلدين. كما ان فجوة الطاقة المباشرة للأغشية تزداد مع زيادة درجة الحرارة لجميع العينات بسبب النمو البلوري. تمت دراسة الخصائص البصرية مثل معامل الخمود، معامل الانكسار ، وثابت العزل الكهربائي.

annealing --- Zn2SnO4 --- PLD technique. --- : التلدين،Zn2SnO4 ، بتقنية .PLD

This research studies the effect of annealing in temperature range (300 - 600)°C on nano-topography of SiO2 film. SiO2 nano film growth on Si (100) p-type substrates, by using the anodic oxidation technique using (%75H2O+%25 isopropanol) solution containing 0.1N KNO3 as supporting electrolyte and applied potential is 5 volts. The chemical analysis of the surface of SiO2 has been done by (EDAX) shows the presence of O and Si elements. (AFM) is used to study the nanotopography of SiO2 nano film. However, it has been found that all of the following characteristics, root mean square RMS surface roughness of the SiO2 film, grain area, grain volume and grain length increase with the increase of annealing temperature.

في هذا البحث تمت دراسة تأثير درجة حرارة التَلْدين للمدى من°C300 الى 600°C على الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2. تم أنماء غشاء نانوي من SiO2 على أرضية Si (100) نوع p-type وذلك باستخدام تقنية الأكسدة الانودية وباستعمال محلول(%75H2O+%25 isopropanol) بوجود 0.1N KNO3 كالكتروليت مساعد وجهد مسلط 5 فولت. ولوحظ من التحليل الكيميائي لسطح SiO2 باستخدام (EDAX) وجود عنصر الأوكسجين (O) وعنصر السليكون (Si). تم استخدام تقنية AFM لدراسة الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2 و لوحظ أن كلاً من الخصائص التالية، الطوبغرافية النانوية لغشاءSiO2 ، معدل خشونة، مساحة الحبيبة، حجم الحبيبة وأخيرا طول الحبيبة تزداد مع درجة حرارة التلدين.

AFM --- annealing --- nanotopography of SiO2 film. --- التلدين ،AFM ،الطوبغرافية النانوية لغشاء SiO2